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[实用新型]一种石墨烯电热膜的消辐射装置-CN202022104713.6有效
发明人：滕翔升;滕洪福;张迎迎 -专利权人：山东绿品佳智能科技有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯电热膜的消辐射装置，由下基发热片、绝缘片、上基屏蔽片、电源线及电源零线识别电路组成，下基发热片包含下基绝缘片、石墨烯发热层和电源连接片，石墨烯发热层喷涂在下基绝缘片上侧，2个电源连接片分别固定在下基绝缘片上侧两端，且与石墨烯发热层小电阻接触；上基屏蔽片包含上基绝缘片、导电材料和屏蔽连接片，导电材料喷涂在上基绝缘片下侧，屏蔽连接片固定在上基绝缘片下侧中间位置，且与导电材料小电阻接触；下基发热片、绝缘片、上基屏蔽片压合在一起，形成无电辐射石墨烯电热膜，利用这种技术可将石墨烯电热膜产生的电磁辐射通过电源零线进行消除。
一种石墨电热辐射装置

[发明专利]无砟轨道路基基床表层翻浆整治方法-CN201910918971.7在审
发明人：陈仕奇;陈占;彭志鹏;崔国庆;刘成;刘杰;倪国章;李丹 -专利权人：中铁四院集团岩土工程有限责任公司;中铁第四勘察设计院集团有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： E01B1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种无砟轨道路基基床表层翻浆整治方法，其特征在于，包括确定所述基床表层的翻浆地段；在所述翻浆地段的路肩开设排水槽，所述排水槽与所述基床表层的离缝连通以将所述离缝内的积液排出所述无砟轨道，填充封闭所述排水槽本申请提供的整治方法，通过排水槽将离缝内的积液排出无砟轨道，再对基床表层的离缝进行注胶填充，使得胶体能够完全填充离缝，恢复路基支撑强度，防止积液渗入路基基床底层，避免基床表层的骨料被挤压出无砟轨道，解决基床表层翻浆的问题
基床表层翻浆无砟轨道排水槽填充注胶孔积液缝连通排出路基基床底层路基基床支承层骨料路肩注胶灌注申请渗入挤压封闭贯穿支撑恢复

[发明专利]一种慢病毒包装与纯化方法-CN202210915387.8在审
发明人：谢海涛;方晓;马丽雅 -专利权人：深圳市先康达生命科学有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C12N7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种慢病毒包装与纯化方法，包括步骤：完全培养基静置培养293T细胞；去掉完全培养基后加入无血清培养基孵育；293T细胞孵育完成后去掉无血清培养基，加入质粒转染混合液进行转染处理；转染处理结束后去除质粒转染混合液，加入无血清培养基，静置培养并收集慢病毒上清液；对慢病毒上清液进行初步纯化，获得慢病毒纯化液；对慢病毒纯化液进行浓缩、无菌过滤，获得纯化的慢病毒浓缩液。本方法中，由于293T细胞在培养的过程中采用完全培养基，保证了293T细胞的状态；在慢病毒包装的过程中使用无血清培养基，不带入动物源性成分，使下游的慢病毒纯化更简单。
一种病毒包装纯化方法

[发明专利]一种无血清培养基及其在杂交瘤细胞体外培养中的应用-CN202210692135.3在审
发明人：张志鹏;缪连军;张磊 -专利权人：安徽环球基因科技有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C12N5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种无血清培养基，包括以下重量份原料：1份DMEM培养基、1份Ham’sF‑12培养基和1份RPMI1640培养基，该无血清培养基还包括以下原料：牛血清白蛋白50μg/ml、胰岛素10μg/ml、转铁蛋白20μg/ml、乙醇胺5μg/ml、亚硒酸钠5ng/ml、水解小麦谷蛋白0.15g/L、大豆水解蛋白0.15g/L、谷氨酰胺2mmol/L和氯化胆碱3mg/L，一种由上述制备得到的无血清培养基应用于杂交瘤细胞体外培养中；本发明通过balb/c小鼠脾脏细胞和小鼠骨髓瘤细胞SP2/0融合来源的杂交瘤细胞在本发明无血清培养基中可无限传代增殖。
一种血清培养基及其杂交瘤细胞体外培养中的应用

[发明专利]一种增强间充质干细胞表达肝生长因子的无血清培养基及增强表达HGF的培养方法-CN202311042187.7在审
发明人：李雪阳;雷建慧;赵雅宁;刘彦彦 -专利权人：北京葆来生物科技有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C12N5/0775 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强间充质干细胞表达肝生长因子的无血清培养基及增强表达HGF的培养方法，属于细胞培养技术领域。该培养基属于增强型培养基，培养基含有细胞所需的营养因子，可以提供维持细胞生长和增殖的良好环境。通过添加乙酸芳樟酯，异鼠李素，茵陈黄酮，可以显著提高间充质干细胞的贴壁，促进细胞增殖速率和表达HGF。利用增强间充质干细胞表达肝生长因子的无血清培养基在增强表达HGF的培养方法中的应用，该培养基中添加的成分明确，效果稳定，无批次间差异，适合标准化的工艺生产，促进MSCs表达的无血清培养基能够满足细胞生长
一种增强间充质干细胞表达生长因子血清培养基 hgf 培养方法

[发明专利]含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其组合物和压印的软模板-CN201110332455.X有效
发明人：林宏;姜学松;印杰;锻治诚 -专利权人：上海交通大学;日立化成工业株式会社
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：所示的含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其用于制备压印的软模板的组合物以及压印工艺，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5CH2CH2CH2SR2)n (1)其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH，m表示3～12的整数；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的烷氧基、无取代或者被取代基取代的酯基和无取代或者被取代基取代的芳香基，所述取代基为卤素，n表示1～12的整数；该组合物是一种高憎水性光刻胶，将其应用于纳米压印模板的制备中，会得到高精度的结构
巯基官能团低倍多聚硅氧烷化合物及其组合压印模板

[发明专利]4－氨基－5－甲基吡唑衍生物及其制备方法-CN200710104160.0无效
发明人：梶野久喜;森本宗嗣 -专利权人：三共农业株式会社
申请日： 2003-12-25 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： C07D231/12 文献下载
摘要：本发明提供可用作医药、农药等的合成中间体的新的化合物，即，由下述通式(3－1)表示的化合物，式中，R⁹表示无取代的或具有苯基作为取代基的直链或支链C₃－C₆烷基、无取代的或具有C₁－C₄烷基或苯基作为取代基的C₃－C₆环烷基甲基、通过sp³碳原子键合的无取代的或具有苯基作为取代基的直链或支链C₃－C₈烯基、通过sp³碳原子键合的无取代的或具有苯基作为取代基的直链或支链C₃－C₈炔基、或者C₅－C₆环烯基甲基。
氨基甲基吡唑衍生物及其制备方法

[发明专利]寄生虫防除或驱除剂-CN201580020293.2在审
发明人：岩佐孝男 -专利权人：日本曹达株式会社
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： A61K31/17 文献下载
摘要：(式(I)中，Cy表示杂芳基等，X表示卤素基团等，n为0～5中的任一整数，n为2以上时，X彼此可以相同也可以不同，R1表示无取代的或具有取代基的C1～6烷基等，A表示氮原子等，R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、无取代的或具有取代基的C1～6烷基等，R5表示无取代的或具有取代基的C6～10芳基、无取代的或具有取代基的杂芳基等。)
寄生虫驱除

[实用新型]无基岛无源器件封装结构-CN201020182624.7有效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无基岛无源器件封装结构，包括引脚(2)、不导电粘结物质(6)、芯片(7)、金属线(8)和有填料塑封料(9)，所述引脚(2)正面延伸到后续需装芯片的区域旁边，在所述引脚(2)外围的区域、后续需装芯片的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，所述无填料的塑封料(3)将引脚下部连接成一体，在所述后续需装芯片的区域正面通过不导电粘结物质(6)设置有芯片(7)，在引脚(2)与引脚2之间跨接有无源器件(10)，在所述引脚(2)的上部以及芯片(7)、金属线(8)和无源器件(10)外包封有填料塑封料(9)。
无基岛无源器件封装结构

[发明专利]2-(3-氰基-4-烷氧基)苯基-4-取代噻唑-5-甲酸类化合物、组合物及其制备方法和用途-CN201310251495.0有效
发明人：王绍杰;施翔;林园园 -专利权人：沈阳药科大学
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C07D277/56 文献下载
摘要：本发明涉及具有黄嘌呤氧化酶抑制活性的如通式I所示的2-(3-氰基-4-烷氧基)苯基-4-取代噻唑-5-甲酸类化合物、组合物及其制备方法，本发明还涉及它们在制备治疗和（或）预防高尿酸血症及痛风病药物中的用途式I中：R₂为取代或无取代的苯基、取代或无取代的芳杂环基；R₁为可取代的直链或支链的脂肪烃基、取代或无取代的脂环烃基、取代或无取代的芳基烷基；A为氧原子、硫原子或氮原子
氰基烷氧基苯基取代噻唑甲酸化合物组合及其制备方法用途

[实用新型]一种建筑复合墙板-CN201721570250.4有效
发明人：郑亮之;吴剑;周兴文 -专利权人：上海迅铸建筑科技有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： E04C2/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种建筑复合墙板，包括相互粘合的石膏基墙板本体和钢板，所述钢板位于所述石膏基墙板本体的一侧。与现有技术相比，本实用新型的一种建筑复合墙板，所述钢板设置在所述石膏基墙板本体的侧面，并且在上下两侧有包边，在搬运安装过程中不易破损，钢板与石膏基墙板本体复合无裂缝、抗冲击性优越，复合墙板产品有质感与厚重感
复合墙板墙板本体石膏基钢板本实用新型安装过程抗冲击性上下两侧施工工艺施工过程粘合包边喷涂质感裂缝破损搬运复合侧面

[发明专利]GaN基高电子迁移率晶体管的低温无金欧姆接触的制作方法-CN201310632276.7无效
发明人：黄森;刘新宇;王鑫华;魏珂;刘果果;章晋汉;郑英奎;陈向东;张昊翔;封飞飞;万远涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基高电子迁移率晶体管的低温无金欧姆接触的制作方法，包括：在GaN基高电子迁移率晶体管外延片上涂覆光刻胶，并光刻形成欧姆接触图形；利用低损伤刻蚀技术从欧姆接触图形的开孔区域刻蚀减薄GaN基HEMT的势垒层；对刻蚀区域进行湿法表面处理，并在处理后的外延片上沉积多层无金欧姆金属；剥离GaN基高电子迁移率晶体管外延片表面的光刻胶及该光刻胶之上沉积的多层无金欧姆金属；以及退火形成低温无金欧姆接触利用本发明，降低了GaN基HEMT的工艺温度，解决了GaN基HEMT与Si-CMOS工艺兼容的技术瓶颈，有助于降低GaN基HEMT的制造成本，加快GaN基功率电子器件的产业化进程。
gan 电子迁移率晶体管低温欧姆接触制作方法

[发明专利]一种无铅低温锡基合金焊片-CN202011366724.X在审
发明人：彭巨擘;蔡珊珊;罗晓斌 -专利权人：云南锡业集团（控股）有限责任公司研发中心
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： B23K35/14 文献下载
摘要：本发明提供一种无铅低温锡基合金焊片，其包括中间的高温锡基合金层、位于高温锡基合金层两侧的成分梯度变化金属层、位于成分梯度变化金属层外侧的低温合金层，无铅低温锡基合金焊片低温回流过程中低温合金层先熔化后经液固扩散使得成分梯度变化金属层和高温锡基合金层熔化
一种低温合金

[发明专利]生物质基无醛粘合剂及其制备方法以及利用生物质基无醛粘合剂制备实木复合地板的方法-CN201310061697.9无效
发明人：张强 -专利权人：黑龙江佰嘉生物质材料有限公司
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C09J175/04 文献下载
摘要：生物质基无醛粘合剂及其制备方法以及利用生物质基无醛粘合剂制备实木复合地板的方法,本发明涉及一种粘合剂及其制备方法以及利用粘合剂制备复合地板的方法。本发明是要解决甲醛释放量大，危害性强的问题。生物质基无醛粘合剂由去离子水、丙烯酸酯类单体、引发剂、乳化剂、多异氰酸酯、聚乙烯醇、淀粉物水溶液和固化剂制备；粘合剂制备方法：一、称取；二、制预乳化的丙烯酸酯单体；三、制聚合物；四、制聚氨酯乳液；五、制生物质基无醛粘合剂本发明用于制备生物质基无醛粘合剂以及利用生物质基无醛粘合剂制备实木复合地板。
生物质基无醛粘合剂及其制备方法以及利用实木复合地板

[发明专利]覆有钎料层结构的铜基无银电触头及其制造方法-CN200410044184.8无效
发明人：刘立群;刘金城;孔琦琪;杨丛涛;李木林;邹强 -专利权人：哈尔滨东大高新材料股份有限公司
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01H1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种覆有钎料层结构的铜基无银电触头及其制造方法，可以直接钎焊在低压电器的桥架上。本发明的目的是这样实现的：铜基无银电触头材料作为母材，在母材上覆盖一层钎料，钎料层厚度0.01－0.50mm。本发明制造方法是：把涂有钎剂的钎料预置在铜基无银电触头母材上，通过粘结法、金属压力加工或热源加工的方法，使钎料均匀地贴在或熔化在铜基无银电触头上，使之成为自身带有钎料层的铜基无银电触头。通过检验证明，用此方法生产的覆有钎料层结构的铜基无银电触头，可直接钎焊在低压电器的桥架上。焊接效率、钎着率、焊接质量明显提高，且具有良好的一致性和稳定性，对保障低压电器的质量有明显作用。
覆有钎料层结构铜基无银电触头及其制造方法