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[实用新型]一种半导体封装结构-CN202220372818.6有效
发明人：郜振豪;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括：基板，基板的表面设置有凹槽；半导体器件，半导体器件固定于基板上凹槽的所在区域，凹槽在基板的正投影覆盖半导体器件在基板的正投影；焊盘，焊盘位于基板的表面，焊盘和凹槽之间间隔有预设间距本实用新型提供的技术方案提高了半导体封装结构的良率。
一种半导体封装结构

[实用新型]半导体制冷箱-CN201520167156.9有效
发明人：肖长亮;芦小飞;张进;杨末;李强;肖曦;刘华;徐海宁 -专利权人：青岛海尔特种电冰柜有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： F25D11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体制冷箱。半导体制冷箱包括保温箱和连接在所述保温箱上的门体，还包括位于所述保温箱上部的上半导体制冷模组和位于所述保温箱下部的下半导体制冷模组，所述上半导体制冷模组包括上半导体制冷片，所述下半导体制冷模组包括下半导体制冷片，所述保温箱中设置有导热内胆，所述上半导体制冷片的冷端与所述导热内胆的顶部导热连接，所述下半导体制冷片的冷端与所述导热内胆的底部导热连接。实现减小半导体制冷箱的运行噪音并降低能耗。
半导体制冷

[实用新型]功率半导体组件以及电梯-CN201620946954.6有效
发明人：迫田友治 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体组件以及具有该功率半导体组件的电梯。该功率半导体组件(100)包括设有功率半导体器件的半导体模块(102)；与所述半导体模块组装在一起，用以冷却所述半导体模块的散热器(104)；以及，充填在所述半导体模块和所述散热器之间的间隙中的导热膏(据此，不需要将半导体模块从散热器卸下，便能够从散热器的外部通过该注入孔直接向半导体模块和散热器之间的间隙补充导热膏。既可以省去拆装半导体模块的作业量和时间，又可以保证良好的散热效果。
功率半导体组件以及电梯

[实用新型]半导体元件封装结构-CN202122861002.8有效
发明人：吴声欣 -专利权人：芯沣科技有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体元件封装结构。在半导体元件封装结构包括半导体元件、模封层以及导电导热层。半导体元件具有一主动面、与主动面相对的一底面以及连接于所述主动面与底面之间的一侧表面。半导体元件包括至少一接垫，其设置于主动面。模封层包覆半导体元件的侧表面，而裸露出半导体元件的底面。模封层具有两相对的第一表面与第二表面，第二表面与半导体元件的底面共平面。导电导热层设置在所述半导体元件的底面与模封层的第二表面。可在半导体元件的底面与侧表面形成保护，并可缩减半导体元件封装结构的体积。
半导体元件封装结构

[实用新型]一种结构牢固的热电装置-CN202122208172.6有效
发明人：崔婉琦 -专利权人：崔婉琦
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L35/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种结构牢固的热电装置，包括热电器件，所述热电器件包括上电极和下电极，所述上电极连接P型半导体的上端面和N型半导体的上端面；所述下电极的端部分别与P型半导体下端面和N型半导体下端面连接，所述上电极的两端部分别嵌入在所述P型半导体和N型半导体中；所述上电极两端部分别从所述P型半导体的上端面和N型半导体的上端面漏出；所述上电极两端部分别覆盖所述P型半导体的部分上表面和所述N型半导体的的部分上端面。利于薄型化、小型化、电极与半导体结合牢固，热电转换效果好，利于应用。
一种结构牢固热电装置

[实用新型]一种半导体交流开关电路及半导体短路保护器-CN202223438501.7有效
发明人：肖全鸿 -专利权人：珠海派诺科技股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体交流开关电路，包括输入端及输出端，其特征在于，还包括第一驱动端、第一半导体开关单元和第二半导体开关单元；第一半导体开关单元为M个，其中M为大于等于1的正整数；第二半导体开关单元为N个，其中N为大于等于1的正整数；第一半导体开关单元与第二半导体开关单元连接；第一驱动端连接第一半导体开关单元，第一驱动端连接第二半导体开关单元，通过第一驱动端的驱动信号触发第一半导体开关单元和第二半导体开关单元异步进入导通或关断状态
一种半导体交流开关电路短路保护

[实用新型]半导体制冷器温控装置-CN201320153276.4有效
发明人：罗明;施申蕾;庞斌;贺青;黄河;郭文正;黄腾超;胡慧珠;舒晓武;刘承 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： F25B49/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体制冷器温控装置。本实用新型包括一个主控板电路、三个结构相同的驱动电路、五个结构相同的半导体制冷器；五个半导体制冷器中的四个半导体制冷器在同一水平面上，构成矩形状，四个半导体制冷器以两个为一组，每组的两个半导体制冷器串联，且每组的两个半导体制冷器由一个驱动电路驱动；另一个半导体制冷器设置在四个半导体制冷器之上，且位于其他四个半导体制冷器构成的矩形状正中心，该半导体制冷器通过导热硅酯与下层的四个半导体制冷器固定，由第三个驱动电路驱动本实用新型本身体积小巧，充分利用电源的驱动能力，提高电源利用率，增加了温度控制的灵活度。
半导体制冷温控装置

[实用新型]一种具有高稳定性电流阻挡层的LED芯片-CN201921316017.2有效
发明人：徐珊珊;吴疆;丁磊 -专利权人：安徽芯瑞达科技股份有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高稳定性电流阻挡层的LED芯片，包括DBR反射层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层和P型电极，所述P型半导体层设置在发光层上方，且所述P型半导体层设置有第一环形凹槽本实用新型的有益效果是：本实用新型是在生长二氧化硅之前，对P型半导体层进行表面结构设计，在P型半导体层上，且在P型电极的正下方，刻蚀出第一环形凹槽，再生长二氧化硅，形成的电流阻挡层与P型半导体层之间紧密结合，结构稳定，电流阻挡层不易从P型半导体层上脱落。P型半导体层上的第一环形凹槽深度为500A，不会破坏P型半导体的结构性能，N型半导体层上的第二环形凹槽深度500A，不会破坏N型半导体层的结构性能。
一种具有稳定性电流阻挡 led 芯片

[实用新型]一种配电机柜用内部冷却装置-CN201720919902.4有效
发明人：刘大钿 -专利权人：四川大钿科技发展有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种配电机柜用内部冷却装置，包括电柜机壳，所述电柜机壳的内部安装有温度传感器，所述温度传感器的下方安装有半导体制冷器，所述半导体制冷器包括N型半导体和P型半导体，且N型半导体和P型半导体的上下端均安装有金属导体，所述金属导体的上方安装有冷端板，所述金属导体的下方安装有热端板，所述半导体制冷器的前端安装有外部扇热口，所述半导体制冷器的左端安装有金属传递件，所述金属传递件的右端安装有金属扇热板，所述半导体制冷器的下方安装有底座本实用新型能进行及时制冷，驱除内部热量，且制冷无噪声、无占据体积小、重量轻等特点。
一种配电机柜内部冷却装置

[实用新型]一种半导体热水器-CN201520825075.3有效
发明人：唐玉敏;虞红伟;余金金;马旦;黄洁 -专利权人：唐玉敏;虞红伟
申请日： 2015-10-24 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： F24H1/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及热水器技术领域，尤其涉及一种半导体热水器。包括用于对水进行加热的加热腔，所述加热腔包括半导体加热板、进水口、出水口、设置在所述加热腔内并且连通所述进水口和所述出水口的加热管道，所述半导体加热板与所述加热管道导热连接；其特征在于：所述半导体加热板的N型半导体设置石墨烯层，或者所述半导体加热板的P型半导体设置石墨烯层，或者所述半导体加热板的N型半导体和P型半导体均设置石墨烯层。石墨烯层提高了半导体加热板的制热效果，只需要以及半导体加热板便可以对所述加热管道内的水进行加热，节约能耗。
一种半导体热水器

[实用新型]半导体制冷片-CN202021117096.7有效
发明人：李俊俏;李永辉;周维 -专利权人：比亚迪股份有限公司;汕尾比亚迪实业有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体制冷片。半导体制冷片包括：半导体制冷组件，半导体制冷组件包括相对设置的第一绝缘导热层和第二绝缘导热层，以及位于第一绝缘导热层和第二绝缘导热层之间的半导体层，半导体层包括多个电偶对，多个电偶对串联连接，半导体制冷组件设置有第一绝缘导热层的一侧为冷端，半导体制冷组件设置有第二绝缘导热层的一侧为热端；封装结构，封装结构覆盖半导体制冷组件的侧壁，并与第一绝缘导热层构成第一凹槽。由此，该封装结构可实现对半导体制冷组件的密封保护，并且有效提高了半导体制冷片的抗过载能力，使得半导体制冷片可承受1000PSI以上的压力。
半导体制冷

[实用新型]功率半导体模块及功率半导体模块组-CN202221198691.7有效
发明人：朱楠;徐贺;史经奎;邓永辉;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种功率半导体模块及功率半导体模块组，属于功率半导体的设计技术领域。所述功率半导体模块包括：散热基板，所述散热基板内部设置有散热流道和导电过孔；导体层，设置于所述散热基板的正面和背面，且设置于正面和背面的所述导体层通过所述导电过孔相互连接；功率半导体芯片，设置于所述散热基板的正面，且位于所述导体层上，与所述导体层连接；功率引脚和门极控制引脚，与所述散热基板的正面的导体层连接，用于连接至外部电路。该功率半导体模块以功率半导体模块组能够降低环境热阻。该功率半导体模块以功率半导体模块组能够降低环境热阻。
功率半导体模块

[实用新型]一种发光二极管芯片-CN201820397077.0有效
发明人：王群;郭炳磊;魏晓骏;董彬忠;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、缓冲层、第一P型半导体层、第一多量子阱层、N型半导体层、N型电极、第一P型电极、第二多量子阱层、第二P型半导体层和第二P型电极；缓冲层、第一P型半导体层、第一多量子阱层、N型半导体层、第二多量子阱层、第二P型半导体层依次层叠在衬底上，第二P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的第一凹槽和延伸至第一P型半导体层的第二凹槽，N型电极设置在第一凹槽内的N型半导体层上，第一P型电极设置在第二凹槽内的第一P型半导体层上，第二P型电极设置在第二P型半导体层上。本实用新型可以减小串联电阻，减少发热量，改善发光二极管芯片的性能。
多量子阱层发光二极管芯片本实用新型缓冲层衬底半导体技术领域发热量串联电阻依次层叠延伸减小芯片

[实用新型]半导体器件和包括半导体器件的通信系统-CN201320059697.0有效
发明人：肱冈健一郎;山口晃一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件和包括半导体器件的通信系统。一个技术问题是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。一种半导体器件包括半导体芯片和半导体封装。半导体封装包括由引线框架形成的天线、连接天线和半导体芯片的第一电极垫的第一导线、以及连接天线和半导体芯片的第二电极垫的第二导线。半导体芯片放置在半导体封装的四个区域中的一个中。半导体芯片的形心位于由连接第一连接点和第二连接点的直线段以及沿着天线连接第一和第二连接点的线构成的闭合曲线之外，天线和第一导线在第一连接点处连接，天线和第二导线在第二连接点处连接。根据本实用新型提供能够增大封装中天线的尺寸而不使半导体芯片的性能恶化的半导体器件。
半导体器件包括通信系统

[实用新型]采用微热电发电机的3D芯片-CN201620509927.2有效
发明人：魏榕山;于静;李睿;钟美庆 -专利权人：福州大学
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种采用微热电发电机的3D芯片，包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机；所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶，则所述3D芯片的底层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。本实用新型利用其高的热功率密度和多维的空间结构，在现有的半导体工艺下，采用微热电发电机技术，提高芯片的整体能效，加快芯片散热。
采用热电发电机芯片