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[外观设计]燃料电池集成式功率控制器-CN202230807771.7有效
发明人：辛纪元;梅营 -专利权人：致瞻科技(上海)有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：燃料电池集成式功率控制器。2.本外观设计产品的用途：用于燃料电池的功率控制。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
燃料电池集成功率控制器

[发明专利]新型功率半导体模块封装结构及其封装方法-CN202210134922.6在审
发明人：史经奎;朱楠;邓永辉;徐贺;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种新型功率半导体模块封装结构及其封装方法，所述功率半导体模块封装结构包括：绝缘衬底；至少一个功率半导体芯片和至少一个驱动芯片，所述功率半导体芯片和所述驱动芯片均固定在所述绝缘衬底上；塑封材料，设置在所述绝缘衬底四周，并包封所述功率半导体芯片和所述驱动芯片；多个导电柱，设置在塑封材料中，所述多个导电柱的下端部分别连接所述功率半导体芯片的电极和驱动芯片的电极，上端部伸出所述塑封材料；重布线层，设置在所述多个导电柱的上端部一侧的所述塑封材料表面。本发明的功率半导体模块封装结构中功率半导体芯片与驱动芯片不使用键合线连接，可提高模块可靠性，降低成本，简化电路结构。
新型功率半导体模块封装结构及其方法

[外观设计]燃料电池集成式功率控制器-CN202330101845.X有效
发明人：解鹏程;梅营;许慧慧;辛纪元;孙玉祥;崔建勇 -专利权人：致沿科技(南京)有限公司;致瞻科技(上海)有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：燃料电池集成式功率控制器。2.本外观设计产品的用途：用于燃料电池的功率控制。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
燃料电池集成功率控制器

[实用新型]薄膜电容器散热装置及其电机驱动控制器-CN202320239857.3有效
发明人：崔建勇;辛纪元;徐贺;史经奎;刘昌金;瞿博;梅营;解鹏程 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01G2/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜电容器散热装置及其电机驱动控制器，包括：薄膜电容器组，所述薄膜电容器组包括一个或多个薄膜电容器；叠层母排，所述叠层母排至少两个面通过接触传热方式与所述薄膜电容器组正、负极直接接触，所述叠层母排与所述薄膜电容器组电气连接；液冷散热器，所述液冷散热器至少两个面通过接触传热方式与所述叠层母排直接或间接接触。本实用新型有效降低薄膜电容器的工作温度，显著提高薄膜电容器组的散热效率，同时减少了散热构件和辅助安装构件的使用，可有效降低薄膜电容器体积，在电机驱动控制器功率等级相同的前提下，有效控制薄膜电容器组的温度，从而进一步显著提高电机驱动控制器的功率密度。
薄膜电容器散热装置及其电机驱动控制器

[实用新型]一种电机驱动控制器及其新能源汽车-CN202320239855.4有效
发明人：崔建勇;辛纪元;徐贺;史经奎;刘昌金;瞿博;梅营;孙玉祥 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H02P29/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电机驱动控制器及其新能源汽车，包括：两套功率模块，每套功率模块包括功率半导体元件、驱动电路板和控制电路板，所述每套功率模块配置为直流电进行升压或降压的直流‑直流变换模块、交流电进行调压调频的交流‑交流变换模块的一种或多种；集成液冷散热器，所述集成液冷散热器包括母线电容，所述母线电容包括电容芯子、液冷散热器和叠层母排，所述两套功率模块设置于所述母线电容两侧，所述母线电容设置有冷却所述功率半导体元件的流道，所述叠层母排设置有输入、输出端口与所述两套功率模块相连接。本实用新型能够满足不同场合应用的电力变换，在降低电容杂散参数的同时，减少桥接铜排数量和铜排成本，并提高了功率密度。
一种电机驱动控制器及其新能源汽车

[实用新型]具有驱动能力配置的智能功率模块及开关器件-CN202221495769.1有效
发明人：徐贺;朱楠;史经奎;邓永辉;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种具有驱动能力配置的智能功率模块及开关器件，属于智能功率模块技术领域。所述智能功率模块包括：第一开关管，第一开关管的漏极与外部母线的正极连接；第二开关管，第二开关管的漏极与第一开关管的源极连接，第二开关管的源极与外部母线的负极连接；第三开关管，第三开关管的漏极与外部母线的正极连接；第四开关管，第四开关管的漏极与第三开关管的源极连接，第四开关管的源极与外部母线的负极连接；第五开关管，第五开关管的漏极与外部母线的正极连接；第六开关管，第六开关管的漏极与第五开关管的源极连接，第六开关管的源极与外部母线的负极连接；智能驱动芯片。该智能功率模块和开关器件具有更灵活的驱动配置能力。
具有驱动能力配置智能功率模块开关器件

[发明专利]一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法-CN202210344709.8有效
发明人：邓永辉;史经奎;朱楠;徐贺;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法，所述该方法包括：将第一导电类型重掺杂区上的中间区域刻蚀出第一沟槽结构；第二导电类型体区深入到第一导电类型外延层内刻蚀出第二沟槽结构，第二沟槽结构的宽度小于第一沟槽结构的宽度；所述第一导电类型重掺杂区深入第二导电类型体区；第一沟槽结构和第二沟槽结构内表面形成二氧化硅；二氧化硅上淀积多晶硅，形成多晶硅栅。通过第一沟槽结构和第二沟槽结构形成了MOSFET的T型分裂栅沟槽结构，缩小了MOSFET器件元胞的尺寸，有效的消除JFET电阻、提高沟道的迁移率，降低碳化硅MOSFET器件的损耗。
一种基于分裂碳化硅 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种自恢复熔断结构和具有其的功率半导体芯片-CN202210002578.5在审
发明人：徐贺;朱楠;史经奎;邓永辉;梅营 -专利权人：致瞻科技(上海)有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01H85/055 文献下载
摘要：本发明公开了一种自恢复熔断结构和具有其的功率半导体芯片，涉及功率器件领域。所述自恢复熔断结构包括：上极板、下极板和基板，所述基板位于所述上极板和下极板之间，并被上极板和下极板覆盖；所述基板具有多个中空通道，所述多个中空通道连接上极板和下极板；所述中空通道内填充熔丝材料。本发明使用具有熔丝特性的自恢复熔断结构用于功率半导体芯片的功率回路和信号回路的连接，适用于任何多芯片并联的功率半导体模块的拓扑，在模块发生单芯片故障失效时能够迅速将失效芯片进行电气隔离，防止失效蔓延至其余健康芯片，从而保证功率模块具有容错运行的能力。
一种恢复熔断结构具有功率半导体芯片

[发明专利]高电容密度的半导体电容器及其制备方法-CN202210673015.9在审
发明人：邓永辉;史经奎;朱楠;徐贺;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及半导体电容器领域，公开了一种高电容密度的半导体电容器及其制备方法，该电容器包括基底、导电层和介电层，所述导电层和介电层依次交替堆叠设于所述基底上，所述导电层包括奇数层和偶数层，所述电容器上分别设有贯穿所述导电层和介电层的奇数层连接孔和偶数层连接孔；所述奇数层连接孔内填充有导电材料，用于通过导电材料与所述奇数层电性连接且与所述偶数层绝缘连接；所述偶数层连接孔内填充有导电材料，用于通过导电材料与所述偶数层电性连接且与所述奇数层绝缘连接。通过多层堆叠结构以及电容电极的连接方式，增加了电极的有效面积，提高了电容密度和电容器使用寿命，实现在电力电子高压等领域的应用。
电容密度半导体电容器及其制备方法

[发明专利]堆叠半导体电容器及其制备方法-CN202210674780.2在审
发明人：邓永辉;史经奎;朱楠;徐贺;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及半导体电容器领域，公开了一种堆叠半导体电容器及其制备方法，所述电容器包括堆叠设置的导电层和设于所述导电层底部的基底、奇数连接线和偶数连接线，所述导电层包括奇数层和偶数层；所述奇数连接线设于所述电容器内部，用于与所述奇数层电性连接且与所述偶数层绝缘连接；所述偶数连接线设于所述电容器内部，用于与所述偶数层电性连接且与所述奇数层绝缘连接；所述奇数连接线和偶数连接线远离所述基底的一端均设有引出所述电容器的引线。增加了电极的有效面积，提高了电容密度和电容器使用寿命，制备过程不需要在基底上刻蚀高深宽比的电容孔及对高深宽比的电容孔的填充，大大降低了工艺难度以及工艺成本。
堆叠半导体电容器及其制备方法

[实用新型]一种集成功率半导体模块封装单元-CN202220841894.7有效
发明人：朱楠;徐贺;史经奎;邓永辉;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成功率半导体模块封装单元，属于半导体的封装技术领域。所述封装单元包括：绝缘衬底；直流功率端子、第一三相直流功率端子、第二三相直流功率端子、第三三相直流功率端子、第一三相交流功率端子、第二三相交流功率端子、第三三相交流功率端子、信号端子，设置于绝缘衬底的正面，且延伸出绝缘衬底；至少两组功率半导体芯片，其中一组的功率半导体芯片的漏极与直流功率端子连接，一组的功率半导体芯片的源极分别与另一组的功率半导体芯片的漏极一一对应连接，另一组的每个功率半导体芯片的源极分别与第一三相直流功率端子、第二三相直流功率端子以及第三三相直流功率端子一一对应连接。该封装单元能够降低电路的寄生电感。
一种集成功率半导体模块封装单元

[实用新型]用于燃料电池交流阻抗的采样电路-CN202221198013.0有效
发明人：齐旭升;梅营;许慧慧;徐贺 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种用于燃料电池交流阻抗的采样电路，属于燃料电池的信号采集技术领域。所述采样电路包括：高压隔离电容模块，所述高压隔离电容模块的一端用于与燃料电池连接，以隔离所述燃料电池中的直流信号；高集成化隔离运放及供电模块，所述高集成化隔离运放及供电模块的一端与所述高压隔离电容模块的另一端连接，以采集所述交流阻抗的信号；第一差分放大模块，所述第一差分放大模块的一端与所述高集成化隔离运放及供电模块的另一端连接，所述第一差分放大模块的另一端用于输出所述交流阻抗的信号，以实现所述交流阻抗的信号的高精度差分放大，电流采样模块，所述电流采样模块的一端与所述燃料电池连接，所述电池采样模块的另一端用于输出所述交流阻抗的电流信号。
用于燃料电池交流阻抗采样电路

[实用新型]立体集成母线电容的功率半导体架构-CN202221198640.4有效
发明人：朱楠;史经奎;徐贺;邓永辉;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种立体集成母线电容的功率半导体架构，属于半导体的封装技术领域。所述功率半导体架构包括：第一母线电容；上层散热基板，设置于所述第一母线电容的底部；垫高块，设置于所述上层散热基板的底部；功率半导体芯片，设置于所述垫高块的底部；下层散热基板，设置于所述功率半导体芯片的底部；第二母线电容，与所述第一母线电容的设置方向相反，且设置于所述下层散热基板的底部。该功率半导体架构相对于现有技术中的母线电容具有更好的散热效率和集成度。
立体集成母线电容功率半导体架构

[实用新型]功率半导体模块及功率半导体模块组-CN202221198691.7有效
发明人：朱楠;徐贺;史经奎;邓永辉;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种功率半导体模块及功率半导体模块组，属于功率半导体的设计技术领域。所述功率半导体模块包括：散热基板，所述散热基板内部设置有散热流道和导电过孔；导体层，设置于所述散热基板的正面和背面，且设置于正面和背面的所述导体层通过所述导电过孔相互连接；功率半导体芯片，设置于所述散热基板的正面，且位于所述导体层上，与所述导体层连接；功率引脚和门极控制引脚，与所述散热基板的正面的导体层连接，用于连接至外部电路。该功率半导体模块以功率半导体模块组能够降低环境热阻。该功率半导体模块以功率半导体模块组能够降低环境热阻。
功率半导体模块

[发明专利]一种基于T型沟槽栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法-CN202210342728.7在审
发明人：邓永辉;史经奎;朱楠;徐贺;梅营 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于T型沟槽栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法，所述方法包括：将第一导电类型重掺杂区上的中间区域刻蚀出第一沟槽结构；第二导电类型体区深入到第一导电类型外延层内刻蚀出第二沟槽结构，第二沟槽结构的宽度小于第一沟槽结构的宽度；所述第一导电类型重掺杂区深入第二导电类型体区；第一沟槽结构和第二沟槽结构内表面形成二氧化硅；二氧化硅上淀积多晶硅，形成多晶硅栅。通过第一沟槽结构和第二沟槽结构形成了MOSFET的T型沟槽结构，缩小了MOSFET器件的尺寸，有效的消除JFET电阻、提高沟道的迁移率，降低碳化硅MOSFET器件的损耗。
一种基于沟槽碳化硅 mosfet 器件及其制造方法

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