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[发明专利]指纹识别模组及其制造方法、电子设备-CN201910663428.7在审
发明人：石虎;刘孟彬;向阳辉 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：一种指纹识别模组及其制造方法、电子设备，方法包括：提供衬底，衬底中形成有信号处理电路；提供承载基底；在承载基底上形成压电换能器，包括第一电极、位于第一电极上的压电层、以及位于压电层上的第二电极；在承载基底或衬底上形成具有空腔的永久键合层；利用永久键合层键合承载基底和衬底，永久键合层位于压电换能器与衬底之间且压电换能器遮盖空腔；去除承载基底。所述方法无需形成填充满空腔的牺牲层，相应无需进行牺牲层释放的操作，以免出现在空腔中形成牺牲层残留物的问题，且压电换能器遮盖空腔，提高了压电换能器的声学性能；综上，提高了指纹识别的精准度。
指纹识别模组及其制造方法电子设备

[发明专利]平面型复合结构超声换能器-CN200510122648.7无效
发明人：刘晓宙;龚秀芬;叶式公 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：平面型复合结构的超声换能器：采用PZT压电材料来发射超声波，采用PVDF来接收回波信号，超声换能器采用多层结构，在背衬上先设有第二匹配层材料，在第二匹配层材料上设有PZT压电换能器，然后再设有第一匹配层材料，在第一匹配层材料上设有PVDF压电换能器，或直接采用PVDF压电换能器作为第一匹配层材料；所述背衬材料是环氧材料加钨粉：本发明使用两种压电材料，充分发挥两种材料在发射和接收时的优势。可用PVDF层代替PZT的匹配层，可使设计上比较简单。
平面复合结构超声换能器

[发明专利]具有固定于交互面的至少三个换能器的冲击定位装置的制造方法-CN201880064435.9有效
发明人： J-M·亚历山大;R·博登;C·博尔兹马赫尔 -专利权人：原子能及能源替代委员会
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： F41J5/056 文献下载
摘要：冲击定位装置的制造方法，装置包括：具有接收冲击的前表面的交互面(12)；以及至少三个换能器(PT)，应分布并固定在交互面(12)的前表面(A)或后表面(B)上；制造方法包括以下步骤：确定(102)每个换能器(PT)在交互面(12)的前表面(A)或后表面(B)上的中心定位点(C)；通过形成第一电极的其下导电层(28)将每个换能器(PT)围绕其中心定位点(C)固定(102)。制造方法在固定(102)每个换能器(PT)之后还包括使用机床(32)机加工(104)至少一个换能器(PT)的自由上导电层(26)至少直至换能器(PT)的中间压电层(24)的步骤，以便使换能器(PT)的第二电极
具有固定交互至少三个换能器冲击定位装置制造方法

[发明专利]晶片级换能器涂覆和方法-CN201480014925.X有效
发明人： P·D·科尔 -专利权人：火山公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L41/23 文献下载
摘要：一种制造微型超声换能器的方法包括接收晶片，在所述晶片上形成多个微型超声换能器。微型超声换能器的每个包括换能器膜，其含有压电材料；以及第一接合盘和第二接合盘，每个被电耦合到换能器膜。从晶片的前侧在多个微型超声换能器上共形地沉积保护层。执行第一蚀刻过程以形成从前侧延伸到晶片中的多个第一沟槽。第一沟槽被蚀刻通过保护层。第一沟槽被设置在相邻的微型超声换能器之间。执行第二蚀刻过程以去除保护层的设置在第一接合盘和第二接合盘上的部分，由此暴露出第一接合盘和第二接合盘。
晶片级换能器涂覆方法

[发明专利]线性超声相控阵换能器-CN200910148333.8无效
发明人：徐春广;肖定国;李爽;周世圆;赵新玉;杨天雪;徐圆飞;王立久 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2009-06-16 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明提供的是一种用于检测钢材料的线性超声相控阵换能器，包括该换能器设计方法和制作工艺。该换能器的结构包括一层压电晶片、一层匹配层、背衬和电极制作，其中压电晶片的材料为PZT-5H，匹配层为环氧树脂，背衬为不同颗粒大小的钨粉和环氧树脂固化而成，电极由铜片和银层。该换能器的设计参数为中心频率为1.5MHz，阵元数为16，正的最大偏转角度为30°。在制作工艺上，将整块压电陶瓷与铜片粘贴后，采用多次切割工艺制作超声相控阵换能器，该加工工艺在保证阵列尺寸精度的同时，可以减小相邻阵元间的相互影响。根据换能器优化设计的目标，利用多目标优化设计方法，对换能器的阵列参数，包括阵元宽度、阵元间距和阵元高度进行结构优化，从而获得良好的波束特性和更大的声压。
线性超声相控阵换能器

[实用新型]一种具有抗干扰结构的医用超声换能器-CN202320059028.7有效
发明人：张梦悦 -专利权人：深圳嘉瑞电子科技有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B06B1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有抗干扰结构的医用超声换能器，属于超声换能器领域，一种具有抗干扰结构的医用超声换能器，包括超声换能器主体，所述超声换能器主体两侧分别设置有第一防护壳和第二防护壳，所述第一防护壳和第二防护壳内壁均设置有抗干扰组件；所述抗干扰组件包括PET膜基层，所述PET膜基层一侧壁复合有粘接层，并且粘接层外壁与第一防护壳和第二防护壳内壁表面相连，所述PET膜基层另一侧壁复合有碳纤维层，所述碳纤维层外壁复合有金属网层，本实用新型可对超声换能器主体能够起到双重抗干扰的作用，降低了外界干扰对超声换能器主体使用的稳定性，保证了超声图像显示清洗，进而能够方便医护人员对图形的精确判断。
一种具有抗干扰结构医用超声换能器

[发明专利]超音波探头及其制作方法-CN201910274393.8在审
发明人：李训宾 -专利权人：苏州佳世达电通有限公司;佳世达科技股份有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G01N29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种超音波探头，其包含：换能器层、第一匹配层及透镜层；第一匹配层设置于该换能器层的第一侧，且该第一匹配层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯或聚烯烃；透镜层设置于该换能器层的该第一侧，且该第一匹配层位于该换能器层与该透镜层之间本发明以聚甲基丙烯酸甲酯或聚烯烃作为第一匹配层的材料。当以本发明的超音波探头进行超音波扫描时，超音波影像中的特征点即会明显增加。
超音波匹配层换能器层透镜层探头聚甲基丙烯酸甲酯聚烯烃扫描时特征点影像制作

[发明专利]换能器元件及其制备方法、换能器-CN202010047412.6在审
发明人：陶永春;王锐拓 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种换能器元件及其制备方法、换能器，涉及换能器技术领域，可以解决换能器灵敏度较低的问题。该换能器元件，包括多个阵元；所述多个阵元中的至少一个阵元包括依次层叠设置在衬底上的第一电极层、振膜层以及第二电极层；所述第一电极层和所述第二电极层相互绝缘；所述振膜层包括多个工作区域；所述工作区域在所述衬底上的正投影与所述第一电极层、所述第二电极层在所述衬底上的正投影均具有重叠区域；位于工作区域的所述振膜层与所述第一电极层之间设置有空腔，位于所述工作区域的所述振膜层可在所述第一电极层和所述第二电极层的作用下，沿垂直于所述衬底的方向振动；所述振膜层仅在位于所述阵元的边缘的位置包括多个镂空区域。
换能器元件及其制备方法

[发明专利]超声换能器制造方法-CN202080058716.0在审
发明人：尼古拉斯·塞内贡德;多米尼克·格罗斯;西里尔·梅尼埃 -专利权人：维蒙股份公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种从同一基底(101)同时制造至少一个具有第一谐振频率的第一CMUT换能器(I)和至少一个具有不同于第一频率的第二谐振频率的第二CMUT换能器(II)的方法，该方法包括以下步骤：a)对于每个换能器(I，II)，在基底的上表面侧形成空腔(103)，并形成悬挂在空腔(103)上方的柔性膜(105)；b)形成第一层(109)，该第一层(109)仅在第一换能器(I)的膜(105)的上表面的一部分上延伸，而不在第二换能器(II)的膜(105)上延伸；以及c)形成第二层(111)，该第二层(111)在第一换能器的膜(105)的整个上表面和第二换能器的膜的整个上表面上延伸。
超声换能器制造方法

[发明专利]一种高性能水声换能器结构-CN202210411067.9在审
发明人：袁礼剑;邹黎;王娜娜;张纯;邹雪 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H04R1/44 文献下载
摘要：一种高性能水声换能器结构，属于超声水声换能器技术领域。其特征在于：换能器主体的压电陶瓷晶片侧部设置有凹槽，引线设置在凹槽内，换能器主体外包覆有涂胶层，涂胶层将引线包覆在凹槽内。本发明的压电陶瓷晶片侧部设置凹槽，压电陶瓷晶片连接铜片引出电极的焊点和引线设置在凹槽内，采用嵌入式连接线，有利于涂胶层对裸露引线和焊接头的槽内保护，可减少压电陶瓷晶片外圆的涂胶层的厚度，在相同的安装直径空间下，将引线嵌入换能器主体内部，可改用更大截面的压电陶瓷晶片组合，由于压电反应面积的的增加，提高了换能器发射功率相应和接受灵敏度，并且压电陶瓷晶片外圆和引线凹槽特别涂抹有机硅胶，也能减少换能器Qm值的衰减。
一种性能水声换能器结构

[发明专利]一种超声换能器阵列封装结构和制作方法-CN202011593276.7在审
发明人：鲁瑶;于大全;万里兮 -专利权人：北京万应科技有限公司;厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B06B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声换能器阵列封装结构及其制作方法，超声换能器阵列封装结构包括基体、金属化框架、以及位于金属化框架内的超声换能器阵列，基体设置在金属化框架的上方；金属化框架、超声换能器阵列、以及基体通过低温键合技术形成互联；基体包括焊点、钝化层、以及嵌入钝化层内的金属互连层，焊点在基体相对于金属化框架方向的另一侧；金属化框架与超声换能器阵列之间的空隙及表面，填充和覆盖有声学匹配层。本发明利用了半导体工艺分别制作了基体和金属化框架，并利用半导体封装工艺中的低温键合技术对超声换能器阵列进行了封装，避免了超声换能器阵列经受高温半导体制程和高温键合过程而导致的失效问题。
一种超声换能器阵列封装结构制作方法

[发明专利]一种高透射率超声层析成像探测器-CN202310433985.6在审
发明人：郭希山;苏义印;杨晓慧 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高透射率超声层析成像探测器，属于超声成像装置领域，其组成包括至少一个由呈对立分布的超声发射换能器和超声接收换能器组成的超声发射‑接收单元，其中超声发射换能器的压电元件具有单晶PMN‑PT制备的阵元呈平面矩阵分布的多阵元压电层；超声接收换能器的压电元件具有单晶PIN‑PMN‑PT制备的阵元呈凸面矩阵分布的多阵元压电层。本发明采用高性能压电材料来制备发射和接收换能器，发射换能器压电层阵元采用平面矩阵设计产生均匀的声场，提高发射超声波的指向性；接收换能器压电层采用凸面设计可提高接收灵敏度。
一种透射率超声层析成像探测器

[发明专利]多声束超声消融导管系统-CN201410855825.1有效
发明人：丁毅寿;王挺;刘万兵;严钧;杨永森;蒲忠杰;黄晶;钱俊 -专利权人：上海形状记忆合金材料有限公司;乐普（北京）医疗器械股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： A61B18/12 文献下载
摘要：本发明涉及介入治疗领域，公开了一种多声束超声消融导管系统，包括：消融导管、操控手柄和消融发生装置，消融导管由近端向远端包括依次连接的导管段和消融段；消融发生装置包括信号处理单元和治疗单元，消融段包括超声换能器组件、第一连接导管、超声成像探头和第二连接导管，超声换能器组件包括换能器基座及由换能器基座夹持的换能器振子，换能器振子包括交替层叠的三层电极层和两层压电片，两层压电片之间的电极层连接一正电极，正电极与治疗单元的正极连接；两层压电片两侧的电极层分别连接一负电极，负电极与治疗单元的负极连接。本发明增加超声换能器的工作效率，减少热量的产生，并提高超声消融治疗的安全性。
多声束超声消融导管系统

[发明专利]一种适用于曲面板管类零件检测的柔性梳状导波换能器-CN201410238908.6无效
发明人：周世圆;戴维;徐春广;肖定国;郝娟;付君强 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明涉及了一种柔性梳状导波换能器，所述换能器为激励/接收一体接触式超声换能器。换能器包括多个条形压电振子梳状阵列、吸声填充物、背衬吸声层、匹配层、保护膜、电路板、外套、同轴电缆、接头和电缆固定外壳，其中柔性梳状压电阵列、柔性吸声填充物、柔性背衬吸声层、柔性匹配层、柔性保护膜和柔性电路板形成柔性换能器主体由于换能器具有柔性结构，适用于任意复杂曲面板、管类零件缺陷的快速无损检测。换能器总体尺寸不超过6mm×15mm×30mm(高×宽×长)，可伸入狭小空间或贴装在密闭空间的零构件表面，实现快速原位检测或嵌入式检测。
一种适用于曲面板管类零件检测柔性导波换能器

[实用新型]一种超声换能器阵列封装结构-CN202023280933.0有效
发明人：鲁瑶;于大全;万里兮 -专利权人：北京万应科技有限公司;厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B06B1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超声换能器阵列封装结构，超声换能器阵列封装结构包括基体、金属化框架、以及位于金属化框架内的超声换能器阵列，基体设置在金属化框架的上方；金属化框架、超声换能器阵列、以及基体低温键合互联；基体包括焊点、钝化层、以及嵌入钝化层内的金属互连层，焊点在基体相对于金属化框架方向的另一侧；金属化框架与超声换能器阵列之间的空隙及表面，填充和覆盖有声学匹配层。本实用新型利用了半导体工艺分别制作了基体和金属化框架，并利用半导体封装工艺中的低温键合技术对超声换能器阵列进行了封装，避免了超声换能器阵列经受高温半导体制程和高温键合过程而导致的失效问题。
一种超声换能器阵列封装结构