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- [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201210445200.9无效
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藤森正成;峰利之;大桥直史
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株式会社日立高新技术;株式会社日立国际电气
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2012-11-08
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2013-05-08
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C23C16/44
- 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。光CVD装置(成膜装置)(1)通过对原料气体照射光而生成晶种，并通过使晶种在基板(2)上堆积而使膜成长，并且在光源(13)和保持基板(2)的样品台(基板保持部)(14)之间配置遮光板(遮光构件)(20)遮光板(20)具有：与基板(2)的成膜面(2a)相对的背面(20a)、位于背面(20a)相反侧的表面(20b)、以及从背面(20a)及表面(20b)中的一方贯穿到另一方的多个贯穿孔(21)。此外，遮光板(20)的背面(20a)和基板(2)的成膜面(2a)的距离(C1)在原料气体的气体分子的平均自由行程以下。根据本发明，能够防止或抑制作为成膜对象物的基板的劣化。
- 装置方法
- [发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201110339521.6无效
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中川善之;中野真吾;福田直人
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佳能株式会社
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2011-11-01
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2012-05-23
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C23C14/24
- 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。成膜装置(1)包括成膜源(21)、测量用石英振荡器(22)和校正用石英振荡器(23)。当在成膜对象物(30)上形成成膜材料的薄膜时，在成膜源(21)内加热成膜材料以释放出该成膜材料的蒸气。测量用石英振荡器(22)测量形成在成膜对象物(30)上的成膜材料量，而校正用石英振荡器(23)校正测量用石英振荡器(22)。在成膜装置(1)中，还设置用于相对于成膜对象物在预定成膜待机位置与预定成膜位置之间移动成膜源(21)的移动部(成膜源单元(20))，该移动部保持测量用石英振荡器(22)，以维持其相对于成膜源(21)的相对位置，且当移动部处于成膜待机位置时，校正用石英振荡器(23)设在移动部的上方。
- 装置方法
- [发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201110219275.0无效
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军司勋男
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东京毅力科创株式会社
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2011-07-28
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2012-03-14
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H01L21/20
- 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法，在使用固体原料进行成膜的情况下，能够将成膜原料气体稳定地且有效地向基板的表面供给，并且降低微粒污染、杂质向膜中混入的可能性。成膜装置(100)具备收纳晶片(W)的处理容器(1)；加热晶片(W)的基板加热器(11)；保持晶片(W)的保持部件(21)；作为原料支承部的工作台(31)；以及加热固体原料的原料加热器(41)。在成膜装置(100)中，例如在工作台(31)上一边加热固体原料(A)一边使该固体原料与其他的气化促进气体反应，并将生成的成膜原料气体供给到保持在保持部件(21)的晶片(W)的下表面(被处理面)，使该成膜原料气体在晶片
- 装置以及方法
- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN01140673.9无效
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江间达彦;伊藤信一
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株式会社东芝
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2001-09-20
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2002-05-01
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H01L21/027
- 本发明提供了成膜方法和成膜装置,液状膜形成部分由保护膜滴液喷嘴102和使该保护膜滴液喷嘴102沿y方向移动的喷嘴移动机构以及设置在直径200mm的被处理基板110上的使被处理基板110沿x方向移动的被处理基板移动台构成液状膜干燥部分由吸嘴101和与吸嘴101相连的真空泵103构成。另外,被处理基板移动台也是构成液状膜干燥部分的一部分。利用上述成膜方法及装置,可以抑制涂膜的膜厚不均现象,缩短形成涂膜所需的时间。
- 方法装置
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