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[发明专利]气体喷头、成膜装置及成膜方法-CN03800692.8无效
发明人：村上诚志;花田良幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-02-20 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的气体喷头，它与基板的表面相对地设置，同时，在与上述基板相对的表面上设置多个孔，从气体供给通路送出的多种成膜气体可通过这些孔同时供给上述基板，该气体喷头具有喷头本体和多个气体流路，该喷头本体有多个金属构件，通过在将该多个金属构件上下重合的状态下，在给定的温度条件下加热，各个金属构件的接触面彼此可以在局部金属扩散接合，该多个气体流路横切贯通上述喷头本体内的上述接触面，而且可使每种成膜气体均不混合地独立地形成
气体喷头装置方法

[发明专利]成膜装置、气体供给装置以及成膜方法-CN201410118264.7有效
发明人：那须胜行;佐野正树;布重裕 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置、气体供给装置以及成膜方法，用于降低作为基板的半导体晶圆（W）的微粒污染。在该成膜装置中，依次向真空气氛的处理容器（1）内的晶圆供给相互反应的多种反应气体，来进行成膜处理，在进行了薄膜的形成处理之后，通过使吹扫气体流通而将附着于与反应气体接触的部位的微粒除去。并且，利用用于使反应气体暂时升压之后排向处理容器的升压用的储存容器（61、62），将吹扫气体的压力提高到比反应气体在升压时的压力高，之后供给到处理容器内。因此，在吹扫气体的强流的作用下，在储存容器下游侧的流路内存在的微粒与吹扫气体一起流动而被除去。因此，带入处理容器内的微粒减少，所以能够降低晶圆的微粒污染。
装置气体供给以及方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201710192799.2有效
发明人：吉田武史 -专利权人：株式会社昭和真空
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供能够减少向压力传感器附着的成膜物质，延长压力传感器的寿命的成膜装置及成膜方法。原料气体供给部用于成膜处理，向成膜室(10)供给含有成膜成分的原料气体，第二气体配管(90)用于成膜处理，将与原料气体不同的处理气体从蓄存该处理气体的处理气体蓄存部向成膜室(10)供给。对成膜室(10)的内部的压力进行测量的压力传感器(50)安装于第二气体配管(90)。控制部在从原料气体供给部向成膜室(10)供给原料气体期间，以使处理气体在第二气体配管(90)中流动而从处理气体蓄存部向成膜室(10)供给的方式进行控制。
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202110614529.2在审
发明人：反田雄太;齐藤哲也;大仓成幸;古屋雄一;原正道 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：本公开提供一种成膜装置和成膜方法，能够进行抑制了微粒的影响的成膜。在基板上形成膜的成膜装置具有：腔室；基板载置台，其设置于腔室内，载置基板并且将基板保持为成膜温度；气体供给部，其供给包含成膜原料气体的气体；气体喷出构件，其与基板载置台相向地设置，具有用于喷出从气体供给部供给的包含成膜原料气体的气体的气体喷出区；以及过滤器，其以覆盖气体喷出构件的同与基板载置台相向的相向面相反一侧的面的至少气体喷出区的方式设置，所述过滤器使包含成膜原料气体的气体通过来捕获包含成膜原料气体的气体中的微粒。
装置方法

[发明专利]成膜装置、成膜方法以及存储介质-CN201810206185.X有效
发明人：藤川诚;新纳礼二;桥本浩幸;山口达也;野泽秀二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置、成膜方法以及存储介质。能够在纵型的反应容器内对被棚架状地保持的多个基板进行成膜处理时分别控制基板的中心部的膜厚和周缘部的膜厚。具备：成膜气体喷出部，设置在反应容器内的基板的保持区域的后方，用于喷出所述成膜气体；排气口，设置在基板的保持区域的前方，用于排出成膜气体；旋转机构，用于使基板保持器具绕纵轴进行旋转；以及加热部，将反应容器内加热至比从成膜气体喷出部喷出的成膜气体的温度低的温度在成膜气体喷出部中，第一喷出口和第二喷出口各自朝向不同的方向开口，使得从第一喷出口喷出的成膜气体与反应容器内的气体降温用构件碰撞而降温，从第二喷出口喷出的成膜气体不与气体降温用构件碰撞。
装置方法以及存储介质

[发明专利]一种显示面板成膜设备及方法-CN201710647166.6有效
发明人：华梓同;吴勃;扈映茹;谌文娟;王东花;邹志杰 -专利权人：成都天马微电子有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板成膜设备及方法。该显示面板成膜设备包括：至少一个真空腔体，每个真空腔体形成有真空腔室；气体输送系统，与真空腔体连接，用于将气体输送至真空腔室；待成膜基板，设置于真空腔室中；气体流速调控装置，设置于真空腔室中，位于待成膜基板成膜的一侧，且与待成膜基板具有一定间距，输入真空腔室的气体流经气体流速调控装置后，在待成膜基板上成膜；气体流速调控装置用于调控流经气体流速调控装置的不同位置的气体的流速。本发明实施例解决了成膜设备的成膜膜厚及膜质存在差异性的问题，实现了在整张基板不同位置和在不同基板之间成膜的一致性。
一种显示面板设备方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200580009990.4有效
发明人：大见忠弘;松冈孝明 -专利权人：大见忠弘;东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：以提供成膜速度快，使均匀成膜成为可能，能够节省原料的成膜装置和成膜方法为目的，使蒸发的成膜材料通过输运气体的气体流动到达基板表面，可以通过气体的气体流动控制成膜条件，能够将均匀的膜堆积在大面积的基板上。即、通过将气化的原料引导向基板而提高成膜速度，可以均匀成膜。
装置方法

[发明专利]钨膜的成膜方法-CN201610176793.1有效
发明人：铃木健二;前川浩治;堀田隼史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明涉及钨膜的成膜方法。[课题]即使进行器件的微细化、复杂化，通过使用氯化钨气体作为原料气体的ALD法，也能够以良好的嵌入性形成具有良好的密合性的钨膜。[解决手段]具备如下工序：主钨膜成膜工序：以间隔腔室内的吹扫的方式依次向腔室内供给氯化钨气体和还原气体来形成主钨膜；以及、初始钨膜成膜工序：先于主钨膜成膜工序，使氯化钨气体的供给量少于主钨膜成膜工序，以间隔吹扫气体的供给的方式依次向腔室内供给氯化钨气体和还原气体，或者同时向腔室内供给氯化钨气体和还原气体，从而在基底膜上形成初始钨膜。
方法

[发明专利]自发光元件的制造方法和制造装置-CN200610058388.6无效
发明人：丹博树 -专利权人：日本东北先锋公司
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：在基板上直接或隔着其它层形成下部电极，在该下部电极上层叠成膜层之后形成上部电极的自发光元件的制造中，即使在下部电极上等的被成膜面上存在异物或凹凸的情况下，也不会形成成膜缺陷部。具备：成膜室(20)；基板保持单元(22)，把基板(1)保持在成膜室(20)内；压力调整气体流入路径(20A)，使压力调整气体(Gp)流入成膜室(20)内；以及原料气体产生部(21)，与压力调整气体流入路径(20A)分开地设置在成膜室(20)内，产生成膜材料的原料气体(Gm)，在使压力调整气体(Gp)流入成膜室(20)内的加压状态下，使下部或上部电极(2、4)、或者成膜层(3)的至少一层成膜。
发光元件制造方法装置

[发明专利]活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法-CN200910169417.X有效
发明人：加藤寿;竹内靖;牛窪繁博;菊地宏之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C23C16/452 文献下载
摘要：本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气体活化的电力的一对电极，为了将被活化的气体喷出到气体活化室内而沿着电极的长度方向设置的气体喷出口。
活化气体注入装置方法

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201910440025.6有效
发明人：中村秀雄;芹泽洋介;出野由和;芦泽宏明;清水隆也;村上诚志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，重复进行原料气体吸附工序和氮化工序，且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部，其中，所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201910154884.9有效
发明人：三浦纮树;小堆正人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够不损坏成膜的均匀性而抑制粒子的产生。一种使用了具有原料气体供给部和清洗气体供给部的成膜装置的成膜方法，该成膜方法包括以下工序：不向所述清洗气体供给部供给吹扫气体而从所述原料气体供给部向基板供给原料气体，来使所述原料气体吸附于所述基板；以及不向所述清洗气体供给部供给吹扫气体而向吸附了所述原料气体的所述基板供给能够与所述原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201910783797.X有效
发明人：桑田拓岳;布重裕;藤井康 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及成膜装置和成膜方法。在对多个基板进行成膜处理时，抑制基板间的膜厚的变动。本公开的成膜装置具备：载置部，其用于在真空容器内载置基板并且对该基板进行加热；喷淋头，其具备与载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的多个气体喷出口，该喷淋头用于从多个气体喷出口向基板供给成膜气体来对该基板进行成膜；清洗气体供给部，在向多个基板分别供给成膜气体的间歇，在该基板没有被收纳于真空容器时，该清洗气体供给部供给用于对该真空容器内进行清洗的清洗气体；以及无孔质的覆盖膜，其至少在相向部覆盖构成喷淋头的基材来形成该喷淋头的表面，以使向各基板供给成膜气体时的所述喷淋头处的热的反射率的变动缓和。
装置方法

[发明专利]成膜装置-CN201711130148.7在审
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;矢岛雅美;原一都;藤林裕明;松浦英树;铃木克己 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，收容基板并进行成膜处理；气体供给部，设置在成膜室的上部，并向基板上供给气体；以及加热器，对基板进行加热；成膜室具有温度上升抑制区域，所述温度上升抑制区域位于气体供给部的下部，并且抑制供给到加热器上部的气体的温度上升。
成膜室加热器气体供给部成膜装置成膜处理供给气体收容基板对基板基板加热

[发明专利]成膜装置-CN201410079015.1有效
发明人：酒见俊之 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，其能够降低因成膜对象物的位置产生的膜质的偏差。本发明的成膜装置（1）具备向真空腔室（10）内供给原料气体（在此为氧气）的原料气体供给部（30），并且具备对成膜对象物（11）局部地供给比原料气体活化的活化气体的活化气体供给部（40）。其中，通过成膜对象物（11）与沉积部（2）的位置关系，有时在成膜对象物（11）中的一部分中，与其他部分相比供给到膜中的氧变少。对于膜中的氧变少的部分，通过活化气体供给部（40）局部地供给氧的活化气体，从而能够弥补膜中的氧。因此，能够降低因成膜对象物（11）的位置产生的膜中的氧的偏差。综上，能够降低因成膜对象物（11）的位置产生的膜质的偏差。
成膜对象物活化气体成膜装置供给部膜质原料气体供给部供给原料原料气体真空腔室活化沉积氧气

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