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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]快速热退火的方法-CN03123664.2有效
发明人：张耀元;周世良;李若玺;林宗德;曾国佑;练文政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-05-12 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明是关于一种快速热退火的方法，其制程是在快速热退火装置中对一晶圆进行第一快速热退火步骤，并监测一制程参数，判断该制程参数的实测值是否超出一第一制程参数范围，其中第一制程参数范围是为第一快速热退火制程正常进行时的制程参数加减一第一预定数值，接着进行一第二快速热退火步骤，并监测该制程参数，判断制程参数的实测值是否超出一第二制程参数范围，其中该第二制程参数范围是为此制程参数加减一第二预定数值，且第一制程参数范围大于第二制程参数范围。本发明制程能够在快速热退火步骤的初期检测出该快速热退火制程的制程稳定性；并能够在热退火制程不稳定时，在快速热退火步骤的初期就停止快速热退火制程，而可避免晶圆报废。
快速退火方法

[发明专利]快速热退火设备中氧气浓度的监测方法-CN201110097054.0有效
发明人：李春龙;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-04-17 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种快速热退火设备中氧气浓度的监测方法，通过引入裸晶圆来监测快速热退火设备中的氧气浓度，在进行快速热退火处理之前，测量裸晶圆表面的自然氧化层的厚度，在快速热退火处理之后，再测量裸晶圆表面具有的氧化层的厚度，通过两次厚度的差值来测出所增加的氧化层厚度，能够准确地监测快速热退火设备中真实的氧气浓度，进而能根据测得的结果对快速热退火设备进行随时的调控，保证快速热退火工艺的有效性和稳定性。
快速退火设备氧气浓度监测方法

[发明专利]快速热处理设备的监测方法-CN201110095825.2有效
发明人：李春龙;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-04-17 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种快速热退火设备的监测方法，对产品晶圆进行离子注入，再对其进行快速热退火处理，然后，通过对产品晶圆上的管芯内焊盘区域进行热波数据测量，并将热波数据送入SPC设备进行处理，从而能够及时并且准确地了解快速热退火设备的状态，进而能根据需要对快速热退火设备进行随时的调控，使各批次晶圆的快速热退火工艺结果稳定、一致。
快速热处理设备监测方法

[发明专利]快速热退火方法-CN201210212947.X无效
发明人：王曼;崔国东;苏小鹏 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种快速热退火方法，用于对晶圆进行快速热退火处理，包括如下步骤：采用晶圆静止型热退火机台对监控晶圆进行初步热退火处理；采用晶圆转动型热退火机台对进行所述初步热退火处理后的监控晶圆进行完全热退火处理该方法既保证了加热的均匀性，又避免了监控晶圆引起晶圆转动型热退火机台报警。
快速退火方法

[发明专利]用于提高半导体表面条件的方法-CN02815864.4有效
发明人： C·马勒维尔;E·内雷 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2002-07-16 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：所述方法包括存在于快速热退火的步骤以便于平滑所述空表面。本发明特征在于：所述方法包括：在快速热退火之前处理晶片的表面区以便于防止在快速热退火期间孔蚀的发生。且快速热退火工艺可以在非还原气氛下进行。
用于提高半导体表面条件方法

[发明专利]减少图案效应的不对称快速热退火-CN201110061223.5有效
发明人：蔡俊雄;吴启明;林大文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种使图案化衬底退火的快速热退火方法和系统，其可以使对衬底温度非均匀性的图案效应最小化。快速热退火系统包括前侧加热源和背面加热源。快速热退火系统的背面加热源提供使衬底温度升高至峰值退火温度的主要热量。前侧加热源提供热量使靠近衬底前侧的环境温度升高至一温度，该温度低于峰值退火温度约100℃至约200℃。这种用于快速热退火的不对称前侧和背面加热可以减少或消除图案效应并且改善WIW和WID器件性能均匀性。
减少图案效应对称快速退火

[发明专利]磁传感器制造-CN201310080431.9在审
发明人： Q·何;丁元俊;M·W·科温顿;M·T·凯夫;陈永华 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：一种磁传感器，包括第一屏蔽、第二屏蔽以及第一屏蔽和第二屏蔽之间的传感器叠层，传感器叠层具有多个层，其中至少一个层使用原位快速热退火被退火。在磁传感器的一种实现中，使用原位快速热退火来对籽晶层进行退火。替代地，使用原位快速热退火来对势垒层、AFM层和覆盖层中的一个进行退火。
传感器制造

[发明专利]快速热退火方法-CN201210147217.6有效
发明人：苏小鹏;谭秀文 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开一种快速热退火方法，包括如下步骤：获取采用质量控制参数热退火所得到的晶圆的第一均匀性分布数据；获取产品实际热退火所得到的晶圆的第二均匀性分布数据；比较所述第一均匀性分布数据和第二均匀性分布数据上述快速热退火方法，对不同区域的灯管采用不同的功率进行定点调整，能够提高产品的均匀性。
快速退火方法

[发明专利]快速热退火方法-CN201010605225.1有效
发明人：周祖源 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速热退火方法，该方法至少包括一个快速升温步骤及在所述快速升温步骤之后依次进行的四个缓速升温步骤，所述快速升温步骤的升温速度为45□/秒，所述四个缓速升温步骤的升温速度依次逐渐减小。相较于现有技术的两步升温步骤，本发明是将快速热退火菜单结构更改优化，增加了适当步数的升温步骤，将总体的升温过程进行了截割，逐步降低了升温速度，不易产生温度过热现象，也方便了对整个过程的热预算的计算和比较
快速退火方法

[发明专利]快速热退火机-CN201710400260.1有效
发明人：黄奔 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了一种快速热退火机，其包括：多个依次排布降温室，其设置有用于输入物料的入口以及用于输出物料的出口；以及设置在入口周围且用于吸收从降温室的入口输入的热量的第一冷却模块，其中，相邻两个降温室中的一个降温室的入口与另一个降温室的出口相接通采用这种设计能进一步地提高相邻两个降温室的温差，来实现对基板进行更快地降温，从而可以通过减少降温室的数量方式来降低快速热退火机的成本。
快速退火

[发明专利]快速热退火方法-CN201711329238.9有效
发明人：范世炜;张凌越 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速热退火方法，包括：提供一基底，所述基底中注入有杂质离子，所述基底表面具有自然形成的生长层，通过在对所述基底执行快速热退火工艺时，向快速热处理机台中通入预定的气体，以使所述气体能够与所述基底反应以增加所述生长层的厚度，以利用增加后的所述生长层防止位于所述基底中的所述杂质离子溢出，进而避免了生长层厚度过小导致的快速热退火时注入的杂质离子从所述基底表面溢出的情况；以及，采用上述快速热退火方法减少了操作人员因注入离子溢出而需要停机并对机台或工艺进行问题分析与故障排除的情况
快速退火方法

[发明专利]快速热退火设备-CN202010884966.1有效
发明人：李贇佳;袁立军 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速热退火设备，包括：反应室；预热灯源，设置于所述反应室顶部；晶圆测温器，设置于所述反应室内以实时测量晶圆的温度；腔壁测温器，设置于所述反应室内以实时测量所述反应室的温度；加热线圈，设置于所述反应室的腔壁上
快速退火设备

[发明专利]快速热退火装置-CN201210018609.2无效
发明人：蒋猛;刘志强 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种快速热退火装置，包括：用于置放衬底的衬底承载单元；在其中放置用于制造气氛的固体物质的坩埚；以及置于所述衬底和所述坩埚之间的加热装置，所述加热装置用于使所述坩埚中的固体物质蒸发以及向上加热所述衬底架中的衬底
快速退火装置

[发明专利]快速热退火方法-CN201010607697.0无效
发明人：周祖源;孟昭生 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种快速热退火方法，该方法包括：低温台阶阶段，设置边缘区域的灯管功率大于中心区域的灯管功率；升温阶段，设置边缘区域的灯管功率小于中心区域的灯管功率；降温阶段，设置边缘区域的灯管功率大于中心区域的灯管功率
快速退火方法

[发明专利]快速热退火工艺能力的监控方法-CN201810672950.7有效
发明人：崔冶青;黄然;邓建宁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速热退火工艺能力的监控方法，通过在所述晶圆边缘至所述晶圆圆心之间的区域设置多个测试区，然后将所述晶圆表面非晶化，再对所述有源区进行正常的源漏离子注入和快速热退火工艺，所述快速热退火工艺修复激活所述有源区注入的杂质，并且修复所述晶圆表面因为非晶化而产生的晶格缺陷，通过获取所述测试区的晶化参数以得到所述晶圆表面的晶化参数与位置的实际对应关系，将所述实际对应关系与一理想对应关系进行比较就能够判断出所述快速热退火工艺能力是否满足控制要求，实现对快速热退火工艺的在线监控，避免不同的批次间的晶圆存在差异而导致器件的性能差异。
快速退火工艺能力监控方法

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