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[发明专利]包含无任何贯通孔的内插层的半导体结构的制造方法-CN201780032360.1有效
发明人：比什-因·阮;卢多维克·埃卡尔诺;纳迪娅·本默罕默德;C·马勒维尔 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在选定条件下将氢物种和氦物种(例如离子)引入临时支撑件(1)，以便在其中预定深度处形成弱化平面(2)，并定义所述临时支撑件(1)的表面层(3)和剩余部分(4)；在所述临时支撑件(1)上形成互连层(5)；将至少一个半导体芯片(6)放置在所述互连层(5)上；将加固件(8)组装在所述至少一个半导体芯片(6)的背面上；和对所述临时支撑件(1)提供热能，以便分离所述剩余部分(4)并提供所述半导体结构。互连层(5)形成无任何贯通孔的内插层。
包含任何贯通内插半导体结构制造方法

[发明专利]用于生产在多晶SiC的载体衬底上包含单晶SiC的薄层的复合结构的方法-CN202080081990.X在审
发明人： I·拉杜;H·比亚德;C·马勒维尔;E·吉奥特;D·朗德吕 -专利权人： SOITEC公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生产包含位于碳化硅的载体衬底(20)上的单晶碳化硅的薄层(10)的复合结构(1)的方法。所述方法包括：a)提供单晶碳化硅的初始衬底(11)的步骤，b)在初始衬底(11)上外延生长单晶碳化硅的供体层(110)以形成供体衬底(111)的步骤，c)将轻物种离子注入至供体层(110)以形成界定薄层(10)的掩埋脆性面(12)的步骤，d)在供体层(110)的自由表面上形成碳化硅的支撑衬底(20)的步骤，其包括在介于400℃和1100℃之间的温度下进行沉积，e)沿着掩埋脆性面(12)分离以形成复合结构(1)和供体衬底的剩余部分(111’)的步骤，f)对复合结构(1)进行化学‑机械处理的步骤。
用于生产多晶 sic 载体衬底包含薄层复合结构方法

[发明专利]制造用于正面图像传感器的衬底的方法-CN201980085606.0在审
发明人： W·施瓦岑巴赫;L·埃卡尔诺;D·马西;N·本穆罕默德;N·达瓦尔;C·吉拉尔;C·马勒维尔 -专利权人： SOITEC公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造用于正面图像传感器的衬底的方法，所述方法包括：‑提供包括待转移的半导体层(3a)的供体衬底(30)，‑提供半导体载体衬底(1)，‑使供体衬底(30)与载体衬底(1)结合，电绝缘层(2)位于结合界面处，‑将半导体层(3a)转移至载体衬底(1)，‑将气体离子(40)经由经转移的半导体层(3a)和电绝缘层(2)注入到载体衬底(1)中，‑在注入之后，在经转移的半导体层(3a)上外延生长附加半导体层(3b)。
制造用于正面图像传感器衬底方法

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201580050312.6有效
发明人： B-Y·阮;W·施瓦岑巴赫;C·马勒维尔 -专利权人： SOITEC公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：制造半导体结构的方法，包括：提供绝缘体上半导体(SOI)衬底，该衬底包括：基衬底；应力源层，其在基衬底上方；表面半导体层；以及介电层，其在应力源层与表面半导体层之间。注入离子进入或穿过所述应力源层的第一区域；在所述应力源层的第一区域上方的表面半导体层上形成附加半导体材料。改变所述应力源层的第一区域上方的表面半导体层的第一区域中的应变状态，形成至少部分地进入基衬底的沟槽结构。改变所述应力源层的第二区域上方的表面半导体层的第二区域中的应变状态。利用该方法制造的半导体结构。
用于制造包括应变状态不同晶体管沟道半导体方法以及相关

[发明专利]半导体结构的制造方法以及相关半导体结构-CN201510765107.X在审
发明人：比什-因·阮;玛丽亚姆·萨达卡;C·马勒维尔 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体结构的制造方法以及相关半导体结构。形成半导体结构的方法包括提供多层衬底，该多层衬底具有覆在位于埋置氧化物层之上的应变主半导体层上的外延基层。使用外延基层内的元素来改变多层衬底的第一区域内的主半导体层中的应变状态，而不改变多层衬底的第二区域内的主半导体层的应变状态。形成各包括多层衬底第一区域内的主半导体层的一部分的第一多个晶体管沟道结构，并且形成各包括多层衬底的第二区域内的主半导体层的一部分的第二多个晶体管沟道结构。通过这种方法制造的半导体结构可以包括具有不同应变状态的晶体管沟道结构。
半导体结构制造方法以及相关

[发明专利]制造绝缘体上半导体型衬底的方法-CN200980103473.1无效
发明人： C·马勒维尔 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2009-01-29 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造绝缘体上半导体型衬底(1)的方法，包括以下步骤：在施主衬底(10)或接受衬底(30)上形成氧化物层(20)；在施主衬底中注入原子物质，以形成弱化区(12)；将施主衬底键合到接受衬底(30)上，氧化物层(20)位于键合界面处；在弱化区(12)中断裂施主衬底，并将施主衬底的层转移到接受衬底(30)上；循环使用施主衬底的剩余部分(2)，以形成用于制造第二绝缘体上半导体型衬底的接受衬底(40)。在氧化步骤之前，通过外延在施主衬底(10)上形成半导体材料层(14)。在注入步骤中在所述外延层(14)中形成弱化区(12)，从而被转移的层是外延的半导体材料层(140)。施主衬底(10)被选择为包括密度小于1010/cm3和/或平均尺寸小于500nm的氧沉淀。
制造绝缘体上半导体衬底方法

[发明专利]晶片表面处理方法-CN200580044846.4无效
发明人： C·马勒维尔;D·德尔普拉;C·德拉特;F·梅特拉尔 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理称为施主晶片(10)的第一晶片和称为接收晶片(20)的第二晶片的任一个或两个称为键合表面的表面(12，22)的方法，这两个晶片将互相键合。该方法特征之处在于，它包括通过向所述键合表面(12，22)施加处理溶液，在键合所述施主晶片(10)和接收晶片(20)之前立即实施的清洗及激活步骤。该溶液包含至少97％的氨的水溶液(NH₄OH)，优选为去离子水溶液，其重量浓度范围约从0.05％至2％。本发明适合制造用于光学、电子学或光电子学领域的结构。
晶片表面处理方法

[发明专利]具有对要键合表面的处理的转移方法-CN200480044032.6有效
发明人： S·凯尔迪勒;C·马勒维尔;F·勒泰特;O·雷萨克 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2004-09-21 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将一层材料从顶施主晶片10转移到接收操作晶片20上的方法，该顶晶片和接收晶片包含各自的要键合的表面，该方法包括：用于处理要键合的至少一个表面的处理步骤，对晶片的给定表面的该处理在所述晶片的相反表面上产生污染；用于直接键合顶晶片和操作晶片的要键合的表面的键合步骤，以形成中间多层晶片30；用于从顶晶片移除多余材料的移除步骤，该方法的特征在于，在处理步骤期间，仅处理顶晶片的要键合的表面。
具有要键合表面处理转移方法

[发明专利]用于与另一晶片接合的半导体晶片表面的制备-CN200580015100.0无效
发明人： C·莫南图索特;C·马勒维尔;H·莫里索;A·苏比 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司;原子能源局
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及制备用于与另一晶片接合的晶片氧化表面的方法，该氧化表面已经进行了原子种类的注入，该方法包括通过使用NH₄OH和H₂O₂清洗氧化表面的第一步骤，和使用氢氯酸种类(HCl)清洗的第二步骤，其中实施第一步骤以蚀刻从约10至约120，且其中在低于约50℃的所选温度下实施第二步骤达约10分钟或更少。
用于另一晶片接合半导体表面制备

[发明专利]改善半导体晶片的表面粗糙度的工艺-CN200380110782.4有效
发明人： E·内雷;C·马勒维尔;L·埃卡尔诺 -专利权人： S·O·I·TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低半导体晶片自由面的粗糙度的工艺，所述工艺包括用于平滑所述自由面的单个退火步骤，所述单个退火步骤实施为纯氩气氛下的RTA，其特征在于，在RTA之前，进行晶片表面的化学清洗，以便于减少晶片上初步污染物的量。
改善半导体晶片表面粗糙工艺

[发明专利]分离半导体层的方法-CN200480026866.4有效
发明人： W·施瓦岑巴赫;C·马勒维尔;N·本穆罕默德 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2004-08-04 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种从晶片中分离层的方法，其中该晶片的材料选自半导体材料，该方法包括以下步骤：在晶片的厚度中生成脆化区域，所述脆化区域界定了在晶片厚度中要分离的层；将该晶片进行处理，以在脆化区域的层面上进行层的分离；其特征在于：在生成脆化区域的过程中，产生该区域的局部起始区，在该局部起始区的层面上，该脆化区域局部地具有更大脆化，从而该起始区对应于该脆化区域的超脆化区。
分离半导体方法

[发明专利]由双面施予晶片生成半导体材料薄层的方法-CN200480023063.3有效
发明人： C·马勒维尔 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2004-08-11 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种用于由施予晶片来生成选自半导体材料的材料薄层的方法，包括下列连续的步骤：(a)以和薄层厚度基本上一致的深度在晶片内其第一表面之下形成第一弱化区，(b)在第一弱化区的表面(level)上从晶片上分离第一薄层，该第一薄层作为晶片的一部分，位于邻接于第一表面的第一弱化区一侧，(c)以和薄层厚度基本上一致的深度在晶片内其第二表面之下形成第二弱化区，(d)在第二弱化区的表面(level)上从晶片上分离第二薄层，该第二薄层作为晶片的一部分，位于邻接于第二表面的第一弱化区一侧。这些步骤依次进行，没有中间的再循环步骤，从而省略了再循环操作。以及该方法特别是在绝缘体上半导体结构的生产中的应用。
双面施予晶片生成半导体材料薄层方法

[发明专利]在具有空位团的衬底中形成的薄层的转移的方法-CN200610001992.5有效
发明人： C·马勒维尔;E·尼雷特 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2006-01-25 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：按照本发明的第一方面，涉及一种用于制造衬底的方法，该衬底包括半导体材料的薄层和支撑衬底，通过将具有第一密度的空位团的施主衬底的一部分转移到支撑衬底上而形成所述的薄层，其特征在于：该方法包括：在将施主衬底的所述部分转移到支撑衬底之后，补救存在于被转移到支撑衬底上的施主衬底的该部分中的空位团的步骤，使其从第一密度降低到第二密度；在所述补救步骤之前，采用一个或几个步骤使得不增加在施主衬底的所述部分中具有第一密度的空位团的尺寸。本发明还涉及通过此方法获得的SeOI衬底，以及用于循环利用衬底的方法，该衬底具有空位团并且已经被用作施主衬底，从其上获得薄层并转移到支撑衬底上。
具有空位衬底形成薄层转移方法

[发明专利]通过共同注入和热退火获得质量改进的薄层的方法-CN200480021578.X有效
发明人： C·马勒维尔;E·尼雷特;N·本·穆罕默德 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造在衬底上的包括半导体材料薄层的结构的方法，包括如下阶段：·在必须由其制作薄层的施主衬底的表面下进行粒子注入，以便在施主衬底的厚度中生成脆化区，·在进行注入之后，将施主衬底的表面与支撑衬底紧密接触，·在脆化区处分离施主衬底，以将施主衬底的一部分转移到支撑衬底上并且在支撑衬底上形成薄层，其特征在于：·注入阶段进行至少两种不同原子种类的共同注入，以便使在分离之后获得的结构水平面处的低频粗糙度降低到最小；·以及该方法进一步包括包含至少一种快速热退火操作的精整步骤，以便使在分离之后获得的结构水平面处的高频粗糙度降低到最小。
通过共同注入退火获得质量改进薄层方法

[发明专利]对多层晶片的环圈的预防性处理工艺-CN200480005965.4有效
发明人： E·内雷;C·马勒维尔 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2004-03-01 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于处理多层晶片的环圈的工艺，该多层晶片通过层转移制成并包含选自半导体材料的材料，所述晶片至少包括在表面区和基层之间的中间层，其特征在于，所述工艺包括对晶片快速热退火，以通过晶片表面的所述表面区的层而造成对所述中间层的外围边缘的重叠和封装，由此在晶片的后续处理步骤期间预防对晶片所述中间层的外围部分的侵蚀。本发明还涉及相关的多层晶片。
多层晶片预防性处理工艺

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