[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池有效

申请号：	201621054544.7	申请日：	2016-09-14
公开（公告）号：	CN206271715U	公开（公告）日：	2017-06-20
发明（设计）人：	高超;黄海宾;周浪;岳之浩	申请（专利权）人：	南昌大学
主分类号：	H01L31/0264	分类号：	H01L31/0264;H01L31/072
代理公司：	南昌新天下专利商标代理有限公司36115	代理人：	施秀瑾
地址：	330031 江西省***	国省代码：	江西;36
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摘要：	一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。由于TiOx光学带隙较宽，从迎光面入射的太阳光几乎可以全部进入到晶体硅内部，从而避免了由于窗口层的吸收而导致的光生电流损失。另外，TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本实用新型所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。
搜索关键词：	一种晶体硅异质结太阳电池
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【主权项】：

一种晶体硅异质结太阳电池，其特征是包括前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极；其结构从迎光面开始依次为：前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。

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摘要：本发明涉及一光吸收层，包括铜元素(Cu)、铟元素(In)、镓元素(Ga)及硒元素(Se)，为Cuy(In1‑xGax)Se2中原位掺杂Se元素，元素之间的摩尔比为1.0<Se(Cu+In+Ga)≤1.5。本发明还涉及一光吸收层的制备方法，包括使用溅射靶，通过溅射法在基底上溅射形成含有Se、Cu、In及Ga的无定形材料薄膜，该溅射靶的制备方法包括将Cuy(In1‑xGax)Se2粉末和单质Se粉末在液态介质中进行球磨混合，再将球磨后的混合物烘干去除该液态介质；以及采用热压烧结、常压烧结或热等静压烧结工艺，对球磨后得到的混合体在400°C~900°C进行烧结；以及对该无定形材料薄膜进行退火处理，该退火处理的气氛为真空、稀有气体及氮气中的至少一种，退火温度为300°C~600°C，升温速率为1°C/min~100°C/min，退火时间为0.1小时~3小时，得到薄膜太阳能电池光吸收层。

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摘要：本发明公开了一种无机钙钛矿吸光材料(La1‑a‑b‑c‑dYaDybBicErd)M0.5Mn0.5O3及其制备方法。步骤为(1)制备前驱体溶液(2)制备溶胶凝胶(3)将溶胶凝胶涂布在底电极上；放入90～110℃的烘箱中干燥；保持600～1000℃进行热处理；(4)在沉积的溶胶凝胶的上表面，制备掺铟的氧化锌电极。本发明利用溶胶凝胶方法制成(La1‑a‑b‑c‑dYaDybBicErd)M0.5Mn0.5O3，在掺杂Nb的SrTiO3衬底上，制备一种带隙宽度在1.3～2.2eV可调节的高度稳定的不含铅的钙钛矿太阳能吸光材料层。短路电流在5～7.55mA/cm2，开路电压在0.24～0.55V。这种材料具有制备工艺简单，化学稳定性好，不含环境污染元素，带隙宽度在较大范围可调的特点，功率转换效率可以达到接近8％，对其它光伏吸收层材料起到有效的补充和调整的作用。

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摘要：一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。由于TiOx光学带隙较宽，从迎光面入射的太阳光几乎可以全部进入到晶体硅内部，从而避免了由于窗口层的吸收而导致的光生电流损失。另外，TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本实用新型所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。

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申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0264
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发明人：陈红征;王玲;傅伟飞;施敏敏;顾卓伟;范聪成;杨曦;李寒莹 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L31/0264
摘要：本发明公开了一种基于CdSe纳米晶体的钙钛矿太阳电池及制备方法。该钙钛矿太阳电池包括从上到下依次排布的阳极、空穴传输层、钙钛矿光敏层、电子传输层、阴极和衬底，其中电子传输层为CdSe纳米晶体制备而成的薄膜。相对于目前常用的电子传输层材料ZnO和TiO₂，CdSe纳米晶体具有较高的迁移率，且其能级与钙钛矿光敏层的能级良好地匹配，能够将钙钛矿光敏层产生的电子有效地传输到阴极，从而保证该太阳电池具有较高的光电能量转换效率。另外，CdSe纳米晶体的制备方法简单易行，并可直接通过低温的溶液加工法制备成膜，成本低，适用于工业化生产。

防老化光电位移传感器-201410229653.7
发明人：何丹农;卢静;尹桂林 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L31/0264
摘要：本发明涉及一种防老化光电位移传感器，包括半导体衬底、半导体衬底表面的Al掺杂氧化锌薄膜以及薄膜表面的两个铟点电极。通过在经超声清洗的Si基片上沉积Al掺杂ZnO薄膜替代金属-氧化物-半导体结构中金属薄膜层，可以得到基于侧向光伏效应的防老化光电位移传感器。该传感器的非线性率可以控制在3.22%,位置灵敏度可以达到41.85mV/mm。且由于直接使用Al掺杂ZnO靶材，制备工艺简单，可以在实际生产中大规模制备。

一种台面铟镓砷探测器及其制作方法-201410226191.3
发明人：胡艳;岳爱文;李晶;吕晨 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L31/0264
摘要：本发明适用于芯片制造技术领域，提供一种台面铟镓砷探测器及其制作方法。所述探测器包括InP衬底、第一梯台和第二梯台，所述第一梯台为n型InGaAs接触层，所述第二梯台底部为I型InGaAs光吸收层，顶部为p型InGaAs接触层，探测器表面还生长有氮化硅介质层，所述第一梯台上表面n型InGaAs接触金属层，所述第二梯台上表面设有p型InGaAs接触金属层，所述第一梯台和第二梯台侧面上的介质层起到钝化作用，有利于降低探测器漏电流，所述p型InGaAs接触层顶面的介质层起到增透作用，保证了透射光强度。本发明探测器结构简单，工艺简洁，可靠性能高，有利于批量生产。

基于纳米氧化物电子传输层的钙钛矿电池-201410120606.9
发明人：董文静;陈鑫;张克难;魏调兴;张云;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L31/0264
摘要：本发明公开了一种基于纳米氧化物电子传输层的钙钛矿电池，该电池的结构包括第一电极、纳米氧化物电子传输层、钙钛矿结构吸光层、空穴传输层和对电极构成，其中：二维纳米结构是纳米级的二氧化钛薄膜、氧化锌薄膜或以二氧化钛、氧化锌、三氧化二铝为基础的多层薄膜；一维纳米结构是纳米级的管、线或棒状的二氧化钛、氧化锌或以二氧化钛、氧化锌、三氧化二铝为基础的复合纳米级的管、线或棒状结构。本发明的优点是：该电池制备过程简单，纳米氧化物电子传输层生长温度低、质量高，且该基于纳米氧化物电子传输层的钙钛矿电池不仅可用于硬质衬底上，而且可用于柔性衬底上。

太阳能电池及其制备方法-201310593814.6
发明人：金贤钟 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L31/0264
摘要：本发明涉及太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括基底、在所述基底上的背电极层、在所述背电极层上的光吸收层、在所述光吸收层上的缓冲层、在所述缓冲层上的透明电极层和在所述透明电极上的抗反射层。所述光吸收层拥有具有渐变带隙能量分布的第一区域、具有渐变带隙能量分布的第二区域、以及在所述第一区域和所述第二区域之间的具有基本上平坦的带隙能量分布的第三区域。这样的带隙能量分布容许价带向导带的容易激发，同时还防止电子和空穴在所述光吸收层中结合，由此提高所述太阳能电池的效率。

一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法-201410069877.6
发明人：翟章印;俞阿龙;张佳 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L31/0264
摘要：本发明提出了一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法。该方法以硅掺杂的n型GaAs基片作为底层，底层上预设两个电极区位，在一个电极区位的基片上，制备Co掺杂的a-C膜，在Co掺杂的a-C膜上，再采用真空热蒸发方法蒸镀Ag层；在底层上另一个电极区位的基片上直接蒸镀Ag层，从而构成具有p-n结和肖特基结的双结串联结构的光敏电阻器件。该器件不仅红光敏感、光灵敏度高、光响应速度快，具有线性的光照特性，可用作火警报警的光电开关或光功率计，而且还具有所取用的原材料价格低廉，制备工艺简洁，环保无污染等优越性。

一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法-201310726455.7
发明人：陈朝;陈蓉;范宝殿 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/0264
摘要：一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法，涉及晶体硅。所述Ni掺杂晶硅中间带材料的载体为晶体硅，在晶体硅中掺杂Ni杂质，Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×1019cm-3，掺杂Ni杂质形成杂质中间带。使用磁控溅射法或蒸发镀膜法在硅片表面制备一层Ni薄膜；使用一维线型连续激光对Ni薄膜进行激光辐照；用氢氟酸溶液对激光辐照后的硅片进行腐蚀后，得Ni掺杂晶硅中间带材料。Ni掺杂晶硅中间带材料能明显提高红外光谱的吸收，提高少子寿命，使用该材料制备的中间带电池能明显提高太阳能电池对红外部分太阳光的利用率，减少电池的发热，提高电池效率，成本低，制作快速简便。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池有效

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