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[发明专利]开关管动态频率调节方法及系统-CN201410854414.0有效
发明人：郭智峰 -专利权人：郭智峰
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：开关管动态频率调节方法包括根据当前的开关管电流、开关管压降和门极驱动电压的占空比获取开关管的当前通态损耗；根据当前的母线电压，开关管电流和上一次获取的开关管结温获取当前一次开关损耗；根据当前一次开关损耗和上一次获取的开关频率获取当前的总开关损耗；根据当前的通态损耗和当前的总开关损耗获取当前的总损耗；根据当前的总损耗、开关管散热器温度以及预设的开关管结至散热器之间的热阻获取当前的开关管结温；根据当前开关管结温对应调节开关频率，以驱动开关管。上述发明可大大减少重负载时总损耗，同时优化系统在轻负载时的动态特性即灵活性，而且能够保证开关管的各参数始终位于稳定和安全范围内。
开关动态频率调节方法系统

[发明专利]半导体模块-CN201580009332.9有效
发明人：龟山悟 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明的半导体模块(2)具备高电位配线(300)、输出配线(400)、低电位配线(500)、上臂开关元件(110)、上臂二极管(120)、下臂开关元件(210)和下臂二极管(220)。上臂开关元件(110)的稳态损耗/开关损耗比率被形成为与下臂开关元件(210)的稳态损耗/开关损耗比率相比较小。另外，上臂二极管(120)的稳态损耗/开关损耗比率被形成为与下臂二极管(220)的稳态损耗/开关损耗比率相比较小。
半导体模块

[发明专利]功率开关电路-CN201510190456.3有效
发明人：李锃;蔡超峰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开一种功率开关电路，包括至少一开关管单元，开关管单元包括至少一第一开关管和一第二开关管，第一开关管和第二开关管并联连接；开关管单元的控制时序和控制周期由开关管单元所包括的开关管的控制时序和周期合并构成且等同于功率开关电路中一个开关管的控制时序和控制周期，其中第一开关管的开通损耗小于第二开关管的开通损耗，第一开关管的关断损耗大于第二开关管的关断损耗；在开关管单元的一个控制周期内，控制开关管单元开启时，控制第一开关管的开通时刻早于第二开关管的开通时刻，控制开关管单元关断时，控制第二开关管的关断时刻晚于第一开关管的关断时刻。该功率开关电路可降低电力电子半导体器件的开通和关断损耗。
功率开关电路

[发明专利]一种SiCMOSFET三电平逆变电路损耗计算方法-CN201510900848.4有效
发明人：孟向军;吕淼;牛化鹏;张海龙;姚为正 -专利权人：西安许继电力电子技术有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET三电平逆变电路损耗计算方法，根据T型三电平电路拓扑建立开关管导通损耗计算模型和开关管开关损耗计算模型；根据建立开关管导通损耗计算模型和开关管开关损耗计算模型，建立单相4个SiC MOSFET和二极管的损耗计算模型；将单相4个SiC MOSFET和二极管的损耗相加，之和乘以三，即得到SiC MOSFET三电平逆变电路损耗。该方法根据已知所使用的SiC MOSFET器件在额定状态下的特性参数，可以快速估算各种条件下的功率损耗，该方法的计算结果精确，计算速度快，能够满足工程需要。
一种 sic mosfet 电平电路损耗计算方法

[发明专利]一种现场测量变流器IGBT模块损耗的方法-CN201610822936.1有效
发明人：向大为;宁晨 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种现场测量变流器IGBT模块损耗的方法，该方法包括如下步骤：(1)变流器输入端并联直流电容，输出端连接三相感性负载；(2)直流电容充电；(3)待测IGBT管为主开关管，其所在桥臂另一IGBT管的反并联二极管为续流二极管，调整各开关管的开关信号，组成BUCK电路；(4)调整待测IGBT管的开关频率，保持负载电流为设定值，记录两种不同开关频率下直流电容两端电压随时间的变化曲线；(5)根据变化曲线求得开关损耗与通态损耗，开关损耗为待测IGBT管开关损耗与续流二极管的反向恢复损耗之和，通态损耗为续流二极管与构成的BUCK电路中短路IGBT管的通态损耗之和。
一种现场测量变流器 igbt 模块损耗方法

[发明专利]一种结温计算方法、运算电路及功率开关-CN202211656228.7在审
发明人：王春鹏;黄猛;黄颂儒;陈宁宁 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;国创能源互联网创新中心（广东）有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种结温计算方法、运算电路及功率开关。其中，该方法包括：计算IGBT开关管的瞬时发热功率、开通瞬时损耗功率和关断瞬时损耗功率，二极管的瞬时发热功率以及反向恢复损耗功率；根据IGBT开关管的瞬时发热功率、开通瞬时损耗功率和关断瞬时损耗功率计算IGBT开关管的发热功率，根据二极管的瞬时发热功率和反向恢复损耗功率计算二极管的发热功率；根据IGBT开关管的发热功率和二极管的发热功率计算IGBT开关管和二极管的结温。通过本发明，能够直接通过IGBT开关管和二极管的发热功率计算出结温，提高了温度计算的准确性，还可以实现提前预测IGBT开关管和二极管的结温以便于提前进行高温保护。
一种计算方法运算电路功率开关

[发明专利]一种基于三相整流器的混合矢量变频控制方法-CN202211434049.9在审
发明人：王鹏程;王睿;刘俊琦;崔皓然;赵鑫;徐嘉利;柳虎;孙宏雨;钱本华;李俊达;孙秋野 -专利权人：东北大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H02M7/72 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于三相整流器的混合矢量变频控制方法，涉及电力电子电能变换技术领域；目前的三相PWM整流技术由于是重要的前级设备往往通过开关管的电流较大，而开关管的损耗是由开通损耗和导通损耗共同构成的，在大功率的状态下导通损耗是没有办法避免的，而开关损耗是和频率相关的，如果不对开关管损耗加以控制，开关管损耗会以热的形式累计，当温度超过开关管的极限值时，往往会造成开关管不可逆的损坏，因此需要在考虑直流侧电能质量的基础上对三相PWM整流器的开关管动作频率加以动态控制以实现三相PWM系统大功率下的持续运行，本方法考虑到了直流侧电压的稳定性与IGBT的温度特性对驱动频率进行变频调制。
一种基于三相整流器混合矢量变频控制方法

[发明专利]一种变换器及其ANPC电路驱动方法-CN202310153254.6在审
发明人：庄园;庄富帅;常仁贺;庄加才 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本申请提供一种变换器及其ANPC电路驱动方法，该ANPC电路驱动方法，首先以使变换器中ANPC电路在开关周期的两个半开关周期内分别以内管和外管承担开关损耗为目标，确定ANPC电路的输出状态切换序列；再根据该输出状态切换序列，生成并输出ANPC电路的各开关管控制信号，使得ANPC电路能够实现内外管开关损耗的均衡，而且开关损耗的均衡颗粒度为半个开关周期，均衡效果精细，损耗波动低。
一种变换器及其 anpc 电路驱动方法

[发明专利]一种三电平逆变器-CN201510434103.3有效
发明人：张永辉 -专利权人：维谛技术有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明公开了一种三电平逆变器，包括：第一直流源、第二直流源、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第五开关管以及第六开关管，其中，第一开关管和第四开关管为高速IGBT，第二开关管、第三开关管、第五开关管及第六开关管为低速IGBT。该发明的有益效果为：通过配置不同开关特性参数的IGBT，降低系统损耗，提高逆变器的转换效率；此外，外管使用MOSFET承受主要的开关损耗，从而提高了开关速度，降低了开关损耗，通过附加二极管解决MOSFET自带体二极管反向恢复特性较差的问题。
一种电平逆变器

[发明专利]提高DC-DC变换器轻载效率的方法及电路-CN201210385366.6有效
发明人：朱波;王宇星;范建林;史训南;刘大伟;王国瑞;徐义强 -专利权人：无锡新硅微电子有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高DC-DC变换器轻载效率的方法及电路，按照本发明提供的技术方案，所述提高DC-DC变换器轻载效率的方法，包括同步开关管及用于连接负载电阻与输入电压源并调节负载电阻与输入电压源连接状态的主开关管，所述主开关管的栅极端及同步开关管的栅极端均与驱动电路相连；其特征是：所述驱动电路根据负载电流Iout、输入电压源的电压调节主开关管和/或同步开关管对应导电沟道的宽长比，以使得主开关管导通电阻的损耗增加量小于主开关管驱动损耗的减少量和/或同步开关管导通电阻的损耗增加量小于同步开关管驱动损耗的减少量，提高对负载电阻的输出效率。
提高 dc 变换器效率方法电路

[发明专利]降低开关损耗与提高可靠性的一种功率开关管使用方法-CN94111561.5无效
发明人：陈大可;陈然 -专利权人：陈大可
申请日： 1994-10-24 - 公布日： 1996-10-09 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本发明是一种将开关速度较高，或开关工作较可靠，或兼有以上两种特性的功率开关管与导通压降较低的功率开关管并接的使用方法。前者主要承担开关损耗，后者主要承担功率输出，它们分别由两组控制驱动电路进行时序控制。采用本方法的开关电源，可以降低功率开关管损耗，或可以提高开关工作可靠性，或可以既降低开关损耗又提高可靠性。
降低开关损耗提高可靠性一种功率使用方法

[发明专利]一种开关电路的控制方法-CN202010643111.X在审
发明人：付加友;朱强;李晨光;赵志正;黄钰森;朱建国 -专利权人：深圳市永联科技股份有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提出一种针对并联全控型开关器件开关电路的控制方法，通过驱动开关时序设计，无级调节并联开关管的开通、关断损耗来调整每个开关管的总体损耗，进而使并联的多个开关管的结温温升相同，使系统热设计更加均衡。
一种开关电路控制方法

[发明专利]一种考虑输出电流纹波的逆变器损耗精确计算方法-CN202210062483.2在审
发明人：陈国柱;林弘毅;赵钧 -专利权人：浙江大学;浙江国研智能电气有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明公开了一种考虑输出电流纹波的逆变器损耗精确计算方法。本发明的逆变器的输出电流由低频基波电流和高频纹波电流组成。该方法包括分析逆变器每个桥臂的工作状态及对应的换流模式；计算逆变器的每个桥臂中每个开关管在相应的换流模式下的导通损耗；计算逆变器的每个桥臂中每个开关管在相应的换流模式下的开关损耗；将逆变器的每个桥臂中每个开关管的导通损耗及开关损耗进行累加，得到逆变器的损耗。本发明中输出电流含有的高频纹波电流分量将会导致输出电流在过零点附近时，桥臂的两个功率器件都将处于软开关状态。本发明考虑高频纹波电流导致功率器件出现的软开关状态，提高逆变器损耗预测的精确度。
一种考虑输出电流逆变器损耗精确计算方法

[发明专利]一种三电平风电变流器的功率损耗计算方法-CN202010864772.5有效
发明人：屈鲁;唐博进;曾嵘;郭明珠;余占清;翟冬玲;崔彬;赵彪 -专利权人：中国长江三峡集团有限公司;清华大学
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明提供一种三电平风电变流器的功率损耗计算方法，包括：确定开关管T1、T2、T5和二极管D1、D2、D5在调制策略下的导通角度与占空比的关系；依据所述导通角度与占空比计算所述开关管T1、T2、T5的开通损耗、关断损耗、通态损耗；依据所述导通角度与占空比计算所述二极管D1、D2、D5的关断损耗、通态损耗。本发明的三电平风电变流器的功率损耗计算方法，提出开关管的开通损耗、关断损耗、通态损耗计算方法和二极管关断损耗、通态损耗的计算方法，从功率器件的开通、关断、导通损耗模型着手，并综合考虑调制策略对风电变流器损耗计算的影响
一种电平变流器功率损耗计算方法

[实用新型]提高DC-DC变换器轻载效率的电路-CN201220521463.9有效
发明人：朱波;王宇星;范建林;史训南;刘大伟;王国瑞;徐义强 -专利权人：无锡新硅微电子有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高DC-DC变换器轻载效率的电路，按照本实用新型提供的技术方案，所述提高DC-DC变换器轻载效率的电路，包括同步开关管及用于连接负载电阻与输入电压源并调节负载电阻与输入电压源连接状态的主开关管，所述主开关管的栅极端及同步开关管的栅极端均与驱动电路相连；其特征是：所述驱动电路根据负载电流Iout、输入电压源的电压调节主开关管和/或同步开关管对应导电沟道的宽长比，以使得主开关管导通电阻的损耗增加量小于主开关管驱动损耗的减少量和/或同步开关管导通电阻的损耗增加量小于同步开关管驱动损耗的减少量，提高对负载电阻的输出效率。
提高 dc 变换器效率电路

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