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[发明专利]层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件-CN201410415587.2有效
发明人：王昆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请公开了一种层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件。该层间介质层包括：介质基体层，介质基体层为含硅氧化物；离子注入区，设置于介质基体层中，离子注入区中注入离子的离子极化率小于硅离子的离子极化率。本申请通过在介质基体层中设置离子注入区以形成层间介质层，且离子注入区中注入离子的离子极化率小于介质基体层中硅离子的离子极化率，同时层间介质层的介电常数与离子极化率成正比的特性，使得层间介质层的介电常数得以减小，进而提高了层间介质层的绝缘性能。
介质制作方法半导体器件

[发明专利]层间介质层的填充方法-CN201810106255.4在审
发明人：郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间介质层的填充方法，包括步骤：步骤一、形成栅极结构；步骤二、在多晶硅栅的侧面形成侧墙；步骤三、淀积形成接触孔刻蚀阻挡层和第一二氧化硅层；步骤四、形成一保护层并进行回刻，回刻后保护层覆盖在间隔区域的底部区域；步骤五、以保护层为掩膜对第一二氧化硅层进行刻蚀减薄以降低间隔区域的深宽比；步骤六、形成层间介质层。本发明能提高层间介质层填充栅极结构之间的间隙的能力，较少甚至消除层间介质层的填充空洞，能防止空洞导致接触孔之间的连通，提高器件的性能。
填充保护层介质层层间介质层二氧化硅层间隔区域栅极结构接触孔回刻空洞刻蚀阻挡层底部区域多晶硅栅刻蚀减薄深宽比消除层侧墙淀积掩膜种层连通侧面覆盖

[发明专利]层间介质层的刻蚀方法-CN201910399028.X在审
发明人：戴鸿冉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间介质层的刻蚀方法，包括：在半导体衬底上依次形成有浮栅介质层、浮栅多晶硅层和层间介质层；在层间介质层上形成图案化的光刻胶层，以光刻胶层为掩模，对层间介质层进行第一次刻蚀，在层间介质层内形成具有第一深度的第一沟槽，所述第一沟槽沿其深度方向的截面从远离浮栅多晶硅层处到所述浮栅多晶硅层处收缩；以图案化的光刻胶层为掩模，对层间介质层进行第二次刻蚀，使第一沟槽形成具有第二深度的第二沟槽，第二沟槽沿其深度方向的截面从远离浮栅多晶硅层处到靠近浮栅多晶硅层处收缩；此时，第二沟槽内部沉积有聚合物，第二沟槽底部残留有部分层间介质层；去除聚合物。本发明能够在层间介质层中形成具有预定形貌的沟槽。
层间介质层浮栅多晶硅层刻蚀光刻胶层介质层聚合物图案化对层掩模收缩形貌浮栅介质层沟槽形成衬底种层沉积去除半导体残留

[发明专利]层间介质层的形成方法-CN202210494077.3在审
发明人：金立培;李宗旭;许隽;张严 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-04-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种层间介质层的形成方法，包括：提供一晶圆，晶圆上形成的结构具有沟槽；通过预设的参数，通过HDP CVD工艺在晶圆上沉积第一介质层，该预设的参数包括补偿参数，该补偿参数是根据晶圆在清洁循环中的排序所设置的工艺参数，清洁循环是进行HDP CVD工艺的沉积设备在两次清洁工艺之间运行晶圆的作业过程；依次在第一介质层上形成第二介质层和第三介质层。本申请通过包含补偿参数的预设参数，采用HDP CVD工艺在晶圆上沉积第一介质层，补偿参数是基于作业中的晶圆在清洁循环中的排序确定的，因此能够补偿设备由于连续作业引起作业环境变化从而导致第一介质层填充后的形貌不利于第二介质层与第三介质层填充
介质形成方法

[发明专利]层间介质层的形成方法-CN202210433789.4在审
发明人：田守卫;姜国伟;孙洪福;王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了层间介质层的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干个金属互联结构，若干个金属互联结构之间具有沟槽；在所有金属互联结构的表面形成第一层间介质层，第一层间介质层覆盖所有金属互联结构，同时填充沟槽，第一层间介质层具有尖端；对第一层间介质层进行离子溅射，降低尖端的高度或者消除尖端；在溅射后的第一层间介质层上形成第二层间介质层；研磨第二层间介质层的表面。本发明通过在形成第一层间介质层后，进行一道离子溅射，减小第一层间介质层的尖端的高度或者消除第一层间介质层的尖端，从而减少或消除了第二层间介质层的空洞，防止第二层间介质层在研磨后表面出现空洞。
介质形成方法

[发明专利]层间介质层化学机械研磨方法-CN200810105922.3有效
发明人：李健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-05-05 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种层间介质层的化学机械研磨方法，包括：在半导体基底上形成具有目标厚度的层间介质层；在所述层间介质层上形成牺牲层，所述牺牲层的硬度大于所述层间介质层的硬度；对所述牺牲层执行化学机械研磨操作，去除所述牺牲层时，获得满足产品要求的层间介质层。可增强无研磨终止层的研磨操作的稳定性。
介质化学机械研磨方法

[发明专利]层间介质层的制作方法-CN200810041366.8无效
发明人：邓永平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种层间介质层的制作方法，层间介质层制作在晶圆器件层表面上，结合化学机械抛光制作。本发明层间介质层的制作方法包括以下步骤：a.在器件层表面形成第一介质层；b.在第一介质层上形成与第一介质层材料相异的第二介质层；c.主抛光第二介质层，至第二介质层与第一介质层界面；d.过抛光第一介质层，形成厚度与预设接触孔深度相同的层间介质层。本发明通过制作两层相异材料的介质层，利用相异材料的界面实现主抛光去除第二介质层，可有效克服传统层间介质层的制作时利用较长抛光时间控制单一材料的介质层抛光量易导致的各晶圆上层间介质层厚度不等的弊端。
介质制作方法

[发明专利]层间介质层的化学机械研磨方法-CN200910055391.6有效
发明人：李健;刘俊良 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种层间介质层的化学机械研磨方法，包括：第一步、在第一研磨垫上对晶圆的层间介质层进行研磨，其中，第一研磨垫与晶圆之间的压强为0.8～1.8PSI；第二步、在第二研磨垫上对晶圆的层间介质层进行研磨，其中，第二研磨垫与晶圆之间的压强为0.8～1.8PSI，所述的第一步和第二步化学机械研磨步骤去除大部分的待研磨材料；第三步、在第三研磨垫上对晶圆的层间介质层进行研磨，进一步提高表面平坦化程度，其中，第三研磨垫与晶圆之间的压强为上述方法可以有效地减少层间介质层化学机械研磨的划痕，提高产品良率。
介质化学机械研磨方法

[发明专利]金属层间介质的形成方法及金属层间介质结构-CN201110341218.X有效
发明人：陈美丽;王乐 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属层间介质的形成方法，包括下列步骤：步骤A，向晶圆片的金属层上淀积富硅氧化物，形成富硅氧化层；步骤B，在所述富硅氧化层上淀积掺杂氟的硅玻璃，形成掺氟硅玻璃层；步骤C，在所述掺氟硅玻璃层上淀积未掺杂的硅玻璃，形成未掺杂硅玻璃层；步骤D，对所述晶圆片形成了所述未掺杂硅玻璃层的一面进行化学机械研磨。本发明还涉及一种金属层间介质结构。本发明利用填充性能较好的掺杂氟的硅玻璃填充IMD(inter-metal dielectric)的底部，同时利用未掺杂的硅玻璃作为掺氟硅玻璃层的阻挡层，防止氟的扩散出。
金属介质形成方法结构

[发明专利]层间介质层及其层内接触孔的刻蚀方法-CN201510587576.7有效
发明人：李健 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种层间介质层和层间介质层内接触孔的刻蚀方法，利用双刻蚀阻挡层结构，可以减少各区域厚度不同的ILD层的刻蚀进度差异，使不同厚度区域的刻蚀进度差异大幅缩小。提高刻蚀的均匀性，防止氧化膜层过薄区域的阻挡层被过早刻穿及STI被过刻蚀，避免漏电造成的芯片失效。
介质及其接触刻蚀方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110301270.6在审
发明人：梁长亮;王莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成若干层层间介质层，形成一层所述层间介质层的方法包括：在所述基底上形成初始层间介质层，所述初始层间介质层内具有自由基氟；对所述初始层间介质层进行去氟处理以形成层间介质层，所述去氟处理的方法包括：使所述初始层间介质层内的自由基氟扩散至所述初始层间介质层的表面，其中，在自由基氟扩散至初始层间介质层的表面之前与之后，初始层间介质层内自由基氟的浓度分布不同；去除扩散至所述初始层间介质层表面的自由基氟
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710174486.4有效
发明人：张城龙;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成多个栅极结构、覆盖栅极结构部分侧壁的第一层间介质层、以及位于第一层间介质层上且覆盖栅极结构部分侧壁的第二层间介质层，第二层间介质层的密度大于第一层间介质层的密度；至少去除第二层间介质层；至少去除第二层间介质层后，在栅极结构两侧的基底上形成第三层间介质层，所述第三层间介质层的密度小于第二层间介质层的密度；形成至少贯穿第三层间介质层的接触孔，且所述接触孔位于相邻栅极结构之间
半导体器件及其形成方法

[发明专利]铜互连结构及铜互连结构的制作方法-CN201310069905.X有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：所述铜互连结构包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一层间介质层；贯穿所述第一层间介质层的铜插塞；位于所述第一层间介质层上的第二层间介质层；贯穿所述第二层间介质层的铜互连线；所述第一层间介质层与所述铜互连线之间具有第一保护层，所述第二层间介质层与所述铜互连线之间具有第二保护层。本发明提供的铜互连结构中，铜互连线与第一层间介质层之间包括第一保护层，铜互连线与第二介质层之间包括第二保护层，从而避免了铜互连线与第一层间介质层和第二层间介质层直接接触，防止第一层间介质层和第二层间介质层被铜互连线压裂
互连结构制作方法

[发明专利]层间介质层的表面平坦方法及基于其的半导体结构-CN201710751879.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种层间介质层的表面平坦方法，包括步骤：提供半导体结构，并预定义需要的层间介质层的第一厚度，于半导体结构的单元集成层上表面形成具有第二厚度的第一层间介质层，第一厚度小于第二厚度；对第一层间介质层进行过度研磨，将第一层间介质层减薄至第三厚度，获得表面平坦化的第一层间介质层，研磨液为酸性研磨液，第三厚度小于第一厚度；于第一层间介质层表面进行补偿沉积，形成具有第四厚度的第二层间介质层，其与所述第一层间介质层的迭加为半导体结构所需要的层间介质层通过上述方案，本发明可以减少层间介质层中产生的刮伤，并提高产品良率，并降低了生产成本，实现了层间介质层厚度的精确控制。
第一层介质层层间介质层半导体结构表面平坦研磨液层间介质层厚度表面平坦化介质层表面产品良率单元集成研磨上表面预定义迭加刮伤减薄种层沉积生产成本

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201310698735.1在审
发明人：陈勇;卜伟海 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底、在衬底上形成栅介质层以及伪栅；在所述衬底形成与所述伪栅相齐平的层间介质层；对层间介质层表面进行离子掺杂，以在层间介质层的表面形成掺杂层；去除栅介质层以及伪栅；在伪栅的位置形成栅极结构本发明还提供一种半导体器件，包括衬底、栅极以及层间介质层、设于所述层间介质层表面的隔离层。本发明的有益效果在于，通过对所述层间介质层表面以及暴露出的伪栅表面进行离子掺杂，以在所述层间介质层的表面以及伪栅表面形成掺杂层，所述掺杂层能够较好的抵挡后续去除所述伪栅的步骤中对层间介质层的影响，进而减小层间介质层表面消耗
半导体器件及其形成方法

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