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[实用新型]方形动力电芯-CN202021741896.6有效
发明人：吴仪娜;陈栋;许静;谭健;张耀 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01M50/103 文献下载
摘要：该方形动力电芯包括电芯本体和绝缘膜，绝缘膜具有依次连接的第一区、第二区、第三区及与第一区、第二区和第三区均相连的第四区，第二区包覆在第一表面、第一侧面和第二表面上，第一区和第三区层叠在第二侧面上，且第一区和第三区熔接；第四区包括依次相连的第一层叠区、第二层叠区、第三层叠区、第四层叠区及第五层叠区，第一层叠区、第二层叠区、第三层叠区、第四层叠区及第五层叠区均层叠在底面上，且第一层叠区、第二层叠区、第三层叠区、第四层叠区及第五层叠区熔接
方形动力

[实用新型]方形动力电芯-CN202021742807.X有效
发明人：袁铖;胡明江;陈虎;杨伟;张耀 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01M50/103 文献下载
摘要：该方形动力电芯包括：电芯本体、绝缘膜、第一防水层及第二防水层，电芯本体具有首尾依次连接的第一表面、第一侧面、第二表面、第二侧面及底面；绝缘膜具有第一区、第二区和第三区，第一区包覆在第一表面、底面和第二表面上，第二区包括的第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区，第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区层叠在第一侧面上，第三区包括第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区，第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区层叠在第二侧面上；第一防水层覆盖在第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区的接缝处；第二防水层覆盖在第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区的接缝处。
方形动力

[实用新型]方形动力电芯-CN202021742774.9有效
发明人：吴仪娜;陈栋;许静;李超;任祥;谭健;张耀 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01M50/103 文献下载
摘要：该方形动力电芯包括电芯本体和绝缘膜，电芯本体具有首尾依次连接的第一表面、第一侧面、第二表面、第二侧面，以及与第一表面、第一侧面、第二表面、第二侧面均连接的底面；绝缘膜具有依次连接的第一区及位于第一区两侧的第二区和第三区，第一区包覆在第一表面、底面和第二表面上，第二区包括依次连接的第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区，第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区熔接；第三区包括依次连接的第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区，第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区熔接。
方形动力

[发明专利]层叠陶瓷电容器-CN202111156256.8在审
发明人：北原庆汰;齐藤雄太;大川纪行;赤泽亮介;高桥武文;若岛诚宽;黑须勇太;森昭人 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本发明提供一种提高了耐湿性的层叠陶瓷电容器。本发明的层叠陶瓷电容器具备：层叠体，交替地层叠有电介质层和内部电极层；以及外部电极，分别配置在层叠体中的与层叠方向交叉的长度方向上的两端面，与内部电极层连接，并具有从层叠体侧起被分割为第1区域、第2区域以及第3区域的基底电极层，第1区域比第2区域以及第3区域包含更多的内部电极层所包含的金属，第2区域比第1区域以及第3区域包含更多的玻璃，第3区域比第1区域以及第2区域包含更多的铜。
层叠陶瓷电容器

[发明专利]半导体器件的形成方法及半导体器件-CN202210204138.8在审
发明人：朱黄霞;李雄;郭肖林 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件的形成方法及半导体器件；其中，方法包括：提供衬底，所述衬底包括阱区和非阱区；在所述阱区和所述非阱区上形成间隔排布的导电层叠结构；在所述导电层叠结构上形成导电连接层，所述导电连接层连接所述阱区的导电层叠结构，所述导电连接层不与所述非阱区的导电层叠结构连接；其中，所述阱区、所述导电层叠结构和所述导电连接层形成测试结构。
半导体器件形成方法

[实用新型]导电层叠结构、控制面板及显示装置-CN202222715221.X有效
发明人：赵约瑟;乔传兴;王凯;袁进;丁艳东;李水龙 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本申请属于显示技术技术领域，提供了一种导电层叠结构、控制面板及显示装置，导电层叠结构包括基底、第一导电层及第二导电层；其中，第一导电层形成于基底；第一导电层具有第一层叠区，第一层叠区开设有暴露于基底的第一镂空结构；第二导电层形成于基底，且第二导电层具有第二层叠区，第二层叠区层叠覆盖于第一层叠区，并与第一层叠区电性连接，且第二层叠区部分填充于第一镂空结构内，并于第一镂空结构处连接于基底；控制面板包括导电层叠结构；
导电层叠结构控制面板显示装置

[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置-CN201980002170.4在审
发明人：马宏伟;董向丹;汪锐 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示基板(100)包括衬底基板(1000)、引线(1210)、多个接触垫(1310)、第一绝缘层叠层(1320)及第二绝缘层叠层(1330)。衬底基板(1000)包括显示区(1100)与至少部分围绕显示区的围堰区(1102)，围堰区(1102)远离显示区一侧的过渡区(1103)，过渡区(1103)远离围堰区(1102)一侧的第一邦定区(1300)以及邦定周边区(1500)；多个接触垫(1310)位于第一邦定区(1300)，被配置为与引线(1210)电连接；第一绝缘层叠层(1320)位于第一邦定区(1300)；第二绝缘层叠层(1330)位于邦定周边区(1500)，第二绝缘层叠层(330)的至少两个绝缘层延伸到第一邦定区(1300)中以得到第一绝缘层叠层(1320)，第一绝缘层叠层(1320)的在垂直于衬底基板方向上的厚度小于第二绝缘层叠层(1330
显示及其制备方法显示装置

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201310378606.4有效
发明人：崔殷硕;沈思用;李仁惠;郑承旭;吴政锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括：衬底，所述衬底包括第一字线形成区、第二字线形成区、以及插入在第一字线形成区与第二字线形成区之间的支撑区；第一层叠结构，所述第一层叠结构设置在第一字线形成区和第二字线形成区中的每个的衬底之上，并且所述第一层叠结构中交替地层叠多个层间电介质层和多个导电层；第二层叠结构，所述第二层叠结构设置在支撑区的衬底之上，并且所述第二层叠结构中交替地层叠多个层间电介质层和多个空间；沟道层，所述沟道层设置在第一层叠结构中
层叠结构字线衬底沟道层非易失性存储器件层间电介质层交替地层存储层支撑区导电层中导电层制造

[实用新型]一种光伏组件层叠模板-CN201621470836.9有效
发明人：李婷婷;刘亚锋;金浩;刘增胜 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏组件层叠模板，包括层叠基板，层叠基板设置有至少一排多个左右相邻的排版区，排版区中设置有至少一个电池片放置区和与电池片放置区的长边连接的焊带位置区、汇流条位置区，同一排排版区中的焊带位置区、汇流条位置区位于电池片放置区的同侧。所述光伏组件层叠模板，通过在层叠基板上设置多个排版区，排版区中设置有至少一个电池片放置区和与所述电池片放置区的长边连接的焊带位置区、汇流条位置区，在进行组件排版时，按照所述层叠基板中设置的电池片放置区、焊带位置区和汇流条位置区放置相应的部件，然后在焊带位置区进行焊带焊接，在汇流条位置区进行汇流条焊接，满足非常规组件的排版需求。
一种组件层叠模板

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610312012.7有效
发明人：李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，包括单元区、第一接触区和第二接触区；下层叠结构，从单元区在第二接触区之上延伸；上层叠结构，从单元区在第一接触区之上延伸，上层叠结构使第二接触区开放；N个第一组台阶型凹槽(N是2或更大的自然数)，穿通第一接触区中的上层叠结构的至少一部分；以及M个第二组台阶型凹槽(M是等于或小于N的自然数)，穿通第二接触区中的下层叠结构的至少一部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]闪存及其制造方法-CN200810215629.2无效
发明人：朴圣根 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-09-08 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种闪存及其制造方法，该闪存包括：形成在衬底中的浅沟槽隔离和有源区，形成在有源区上和/或上方的多个层叠栅，在层叠栅之间的浅沟槽隔离和有源区的下部形成的深注入区，以及在层叠栅之间的有源区的表面形成的浅注入区
闪存及其制造方法

[发明专利]双极结型晶体管的制造方法及半导体芯片的制作方法-CN201610404770.1有效
发明人：张焕云;吴健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：包括提供衬底；在所述衬底中形成第一阱区及位于第一阱区中的第二阱区；在所述第二阱区上形成两个包括第一材料层和第二材料层的层叠结构；在两个层叠结构之间所述第二阱区中形成第一掺杂区；以及在两个层叠结构相互背离的一侧所述第二阱区中形成第二掺杂区由此，通过层叠结构的形成，再进行掺杂获得第一掺杂区和第二掺杂区，借助于层叠结构的存在，合理的利用了自对准特性，使得第一掺杂区和第二掺杂区相对位置精确，改善甚至避免了现有技术中出现OVL异常的问题。
双极结型晶体管制造方法半导体芯片制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810275599.8有效
发明人：朴海赞;金在泽 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体器件包括设置在基板上的层叠结构，该层叠结构包括牺牲层和绝缘层交替地层叠的第一区域以及导电层和绝缘层交替地层叠的第二区域。该层叠结构还包括设置在第一区域与第二区域之间的边界处的第一狭缝绝缘层，其中，该第一狭缝绝缘层穿透层叠结构并在一个方向上延伸。该层叠结构还包括设置在第二区域中的多个狭缝绝缘图案，其中，所述多个狭缝绝缘图案穿透层叠结构并沿着所述一个方向布置。导电层当中的至少一个导电层在第一狭缝绝缘层与狭缝绝缘图案之间弯曲。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]垂直半导体装置及其制造方法-CN201911241895.7在审
发明人：金钟勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种用于制造垂直半导体装置的方法可以包括以下步骤：制备包括第一区域和第二区域的基板；在基板上形成下交替层叠；蚀刻下交替层叠以在第二区域中形成下开口；在下开口和下交替层叠上形成上交替层叠，以在第二区域中形成由于填充下开口而导致的凹进部分；使用凹进部分作为对准键而在上交替层叠上形成掩模层；并且通过使用掩模层作为阻挡件蚀刻上交替层叠以在第一区域中形成图案。
垂直半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610125380.0有效
发明人：安正烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区和外围区；单元层叠结构，层叠在单元区中的衬底上；一体式结构的沟道层，在穿透单元层叠结构；驱动晶体管，形成在外围区中；以及插塞结构，耦接到驱动晶体管且包括比沟道层短的至少两个接触插塞的层叠结构，其中，所述接触插塞中的每个与单元层叠结构的一部分布置在相同高度。
半导体器件及其制造方法

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