专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构的制造方法和半导体结构-CN202110931841.4有效
  • 李雄;朱黄霞;郭肖林 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-08-13 - 2023-10-17 - H01L23/29
  • 本申请实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构,至少可以提高半导体结构的外围区的可靠性。半导体结构的制造方法包括:在所述外围区形成PMOS器件;在所述阵列区形成NMOS器件;形成位于所述PMOS器件上的第一钝化层;形成位于所述NMOS器件上的第二钝化层;所述第一钝化层和所述第二钝化层内具有氢元素,所述第一钝化层内的氢含量小于所述第二钝化层内的氢含量;形成所述第一钝化层和所述第二钝化层后进行退火处理。
  • 半导体结构制造方法
  • [发明专利]晶体管的恢复方法及半导体器件-CN202210697936.9在审
  • 郭肖林;许杞安;李雄;朱黄霞 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-06-20 - 2022-09-20 - H01L21/326
  • 本公开提供了一种晶体管的恢复方法及半导体器件,涉及半导体技术领域。晶体管的恢复方法包括:在待恢复的晶体管的温度高于预设温度的情况下,向待恢复的晶体管的栅极与底电极之间施加第一电压,其中,工作状态下待恢复的晶体管的栅极与底电极之间施加的电压定义为第二电压,第一电压与第二电压符号相反。使用本公开中的晶体管的恢复方法,能够有效减小或者消除热电子诱导穿透效应产生的影响,降低晶体管的关断漏电流,优化晶体管和半导体器件的关态特性,提升半导体器件的可靠性。
  • 晶体管恢复方法半导体器件
  • [发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202210681171.X在审
  • 朱黄霞;李雄;郭肖林 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-06-16 - 2022-08-09 - H01L21/768
  • 本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构,制作方法包括:提供衬底;在衬底上形成第一材料层,图形化第一材料层,在第一材料层中形成第一图形,在第一方向上,第一图形的两侧具有第一沟槽,第一沟槽暴露出衬底上的第一预设区域;沿第一沟槽对第一预设区域进行第一掺杂工艺;在第一沟槽中填充第一介质层,继续图形化第一材料层,以暴露出衬底上的第二预设区域;对第二预设区域进行第二掺杂工艺;热处理衬底。本公开中,第二掺杂工艺之前,先在沟道区的两端进行第一掺杂工艺,形成未激活的第一类型掺杂区域,从而第二掺杂工艺注入的离子能够被第一类型掺杂区域阻挡,无法向沟道区扩散,减小栅极结构与掺杂区的重叠面积,减小隧穿漏电流。
  • 半导体结构制作方法
  • [发明专利]机械手臂和半导体处理设备-CN201910344610.6在审
  • 郭肖林 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-04-26 - 2020-10-30 - H01L21/677
  • 一种机械手臂和半导体处理设备,机械手臂包括第一手臂、第二手臂以及固定块,所述固定块中且贯穿所述固定块的部分所述底部表面的第一凹槽,所述第一凹槽的两侧侧壁具有若干螺丝安装孔;位于所述固定块中且分别贯穿所述固定块的两相对的侧面的部分表面的第二凹槽,所述第二凹槽位于第一凹槽的两侧;所述第一手臂的端部和所述第二手臂的端部分别位于第一凹槽两侧的第二凹槽中,若干螺丝从第一凹槽中穿过相应的螺丝安装孔将第一手臂和第二手臂分别固定。本申请的机械手臂防止了第一手臂和第二手臂在左右方向上和向前的方向上松动,提高被传送晶圆的位置精度。
  • 机械手臂半导体处理设备

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