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[发明专利]一种精加工粉末静电喷涂方法-CN201710239931.0在审
发明人：茆文斌 -专利权人：天长市金陵电子有限责任公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： B05D1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种精加工粉末静电喷涂方法，通过第一蒙层，建立了一个包覆工件模型且整体教平滑的曲面，并且通过第一蒙层和工件模型复合，标出了工件上的腔室结构。通过通过建立第二蒙层，对工件表面的凹形结构进行评估；第二蒙层的限制条件，有利于将工件模型表面较深或者开口较窄的凹形结构的突出。通过将第一蒙层和第二蒙层复合形成评估蒙层，将工件上较深或者开口较窄的腔室结构标出。本发明中，根据喷射模型确定喷粉入口和喷粉入射方向，有利于向工件表面较深或者开口较窄的腔室结构喷粉，解决了工件表面上较深或较窄的凹形结构不易附粉的问题。
一种精加工粉末静电喷涂方法

[发明专利]一种CMOS器件的接触孔刻蚀方法及CMOS器件制造方法-CN202110140864.3在审
发明人：季明华;孟昭生;张显 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS器件的接触孔刻蚀方法及CMOS器件制造方法，在经前端工艺形成器件层之后，在器件层的栅极和有源区上形成刻蚀停止层，在该刻蚀停止层上形成碳帽层，或者在刻蚀停止层中离子注入碳在刻蚀停止层表层形成富碳层，然后在刻蚀停止层上形成层间介质层。由于刻蚀停止层上方碳帽层或者富碳层的存在，当刻蚀至深度较浅的刻蚀停止层时，会在该刻蚀停止层中形成大量聚合物，该聚合物会保护刻蚀停止层被进一步刻蚀。因此在后续深度较深的接触孔的刻蚀过程中，能够有效保护深度较浅的接触孔不会出现过刻蚀现象，直至深度较深的接触孔刻蚀完成。避免出现过刻蚀现象，同时也能保证深度较深的接触孔能够充分刻蚀，避免出现刻蚀不足的现象。
一种 cmos 器件接触刻蚀方法制造

[实用新型]一种塑料薄膜与塑料按键粒结合的按键-CN00228258.5无效
发明人：吴意诚 -专利权人：东莞大洋硅胶制品有限公司
申请日： 2000-05-23 - 公布日： 2001-12-19 - 主分类号： H01H13/712 文献下载
摘要：其技术方案为透明或亚光的塑料薄膜的一面有一层黑色或其它较深色的油墨层,且在按键的形成顶面为字形或图案,贴靠在字形或图案的另一面有一层配色块,灰白色或其它浅色油墨层覆盖在黑色或其它较深色的油墨层上,塑料按键粒与塑料薄膜、黑色或其它较深色的油墨层及灰白色或其它浅色油墨层紧固连接。由于采用字形或图案夹在塑料按键粒与塑料薄膜之间,在使用过程中手触摸到的是高强度的塑料薄膜,彻底的保护了按键表面的字形或图案不被磨损。
一种塑料薄膜塑料按键结合

[发明专利]读取功率控制-CN201110462053.1有效
发明人： J·E·赫尔希;K·B·威尔斯;史晓蕾;任志远;V·P·奥斯特罗弗霍夫 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11B7/0065 文献下载
摘要：提供用于基于要在全息盘中读取的目标数据层控制从全息盘读取微全息图的技术。读取位于盘中相对较深的位置(例如，远离发射读取射束的光学头)的目标数据层可涉及利用较高功率的读取射束来补偿返回的读取射束的功率衰减。例如，可以利用功率调整模块来基于动态改变的目标数据层动态地调整发射读取射束的读取激光器。通过补偿较深目标数据层中的功率衰减，可减小返回的读取射束中的功率的方差，从而可能改善微全息图读取技术中的误码率。
读取功率控制

[发明专利]一种土壤的修复方法-CN201810176778.6在审
发明人：刘立新;朱鹏程;舒小明;齐峰;马永华;刘涛;王硕 -专利权人：航天慧能（江苏）环境工程有限公司
申请日： 2018-03-03 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B09C1/00 文献下载
摘要：一种土壤的修复方法，其特征在于，包括将表层的已污染的土壤添加生物菌及秸杆搅拌混合均匀后摊铺到较深一层，较深一层的未被污染的土壤与污泥碳和秸杆按比例混合摊铺到表层，所述较深一层土壤与表层土壤之间设置一薄层秸杆
秸杆土壤修复摊铺污染按比例混合农作物生长表层土壤节省资源生物菌养料薄层污泥农作物

[发明专利]一种化合物及包含其的有机发光器件、显示面板和显示装置-CN202010524204.0有效
发明人：张磊;高威;牛晶华;代文朋;冉佺;李侠 -专利权人：武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C07D213/16 文献下载
摘要：所述有机发光器件包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括发光层、电子传输层和空穴阻挡层中的一种或至少两种的组合，且至少包括发光层；所述发光层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一层含有至少一种所述化合物本发明提供的化合物具有较深的LUMO能级、较深的HOMO能级和较高的三线态能级，电子迁移率高，Tg高，热稳定性和化学稳定性好，不易结晶，可用于有机发光器件的发光层、电子传输层和/或空穴阻挡层中，降低器件开启电压，提高器件发光效率和寿命。
一种化合物包含有机发光器件显示面板显示装置

[发明专利]一种新型降低正向残压的单向保护器件-CN201910966061.6在审
发明人：吕海凤;赵德益;苏海伟;王允;赵志方;霍田佳 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，包括N型衬底硅片，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区和推结较深的N型扩散区，在推结较深的P型扩散区有推结较浅的N型杂质扩散区和P型杂质扩散区，推结较深的N型扩散区通过金属与P型杂质扩散区相连，N型杂质扩散区通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出本发明通过在单向负阻结构中增加PNPN器件，并且将PNPN器件的门极通过电阻短路到阳极，从而实现了一种新型的降低正向残压的单向保护器件。
推结保护器件扩散区残压正向金属衬底硅片器件阳极器件阴极蒸发金属阳极衬底片氧化层短路电阻负阻开孔门极背面

[实用新型]一种新型降低正向残压的单向保护器件-CN201921723359.6有效
发明人：吕海凤;赵德益;苏海伟;王允;赵志方;霍田佳 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型降低正向残压的单向保护器件，包括N型衬底硅片，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区和推结较深的N型扩散区，在推结较深的P型扩散区有推结较浅的N型杂质扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，推结较深的N型扩散区通过金属与推结较浅的P型杂质扩散区相连，推结较浅的N型杂质扩散区通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出本实用新型通过在单向负阻结构中增加PNPN器件，并且将PNPN器件的门极通过电阻短路到阳极，从而实现了一种新型降低正向残压的单向保护器件。
一种新型降低正向单向保护器件

[发明专利]对准标记的形成方法-CN201110335272.3有效
发明人：孙贤波;陈蓓;顾以理 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种对准标记的形成方法，包括：在衬底上形成多层结构；在所述多层结构中形成凹槽，所述凹槽至少贯穿所述多层结构中的两层；向所述凹槽中填充金属材料，形成金属层，所述金属层围成凹陷，所述凹陷为对准标记。本发明形成的对准标记较深，可以提高对准的准确度，提高集成电路的制造良率。
对准标记形成方法

[发明专利]基于透光率优化双沟槽工艺中较深沟槽刻蚀形貌的方法-CN202211058079.4在审
发明人：陈串;张俊学;吕亚冰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种基于透光率优化双沟槽工艺中较深沟槽刻蚀形貌的方法，包括建立透光率与双沟槽工艺中前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度关系的数学模型；获取前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度形貌图形；根据数学模型在不同透光率条件下重合比对前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度形貌图形，判断前后两道刻蚀形成合格的较深沟槽的侧壁角度形貌与透光率在数学模型中是否匹配；当不匹配时，在后续工艺中通过调整后道刻蚀的刻蚀气体配比来调整后道刻蚀的侧壁角度，以使前后两道刻蚀形成合格的较深沟槽的侧壁角度形貌与透光率相匹配，以优化后续工艺中较深沟槽的刻蚀形貌。
基于透光率优化沟槽工艺深沟刻蚀形貌方法

[实用新型]防刺耐用的力车和助动车的外轮胎-CN99225527.9无效
发明人：魏中林 -专利权人：魏中林
申请日： 1999-01-22 - 公布日： 2000-01-26 - 主分类号： B60C19/12 文献下载
摘要：外轮胎由胎面,防刺层和帘布层粘覆后经硫化而成。它具有较深的防滑花纹。防刺层由坚韧又有挠曲弹性的材料组成。由于采用了上述结构,当轮胎遇到地面上的尖锐物刺破外轮胎时,由于有防刺层的阻挡,尖锐物不会碰到或不易碰到内胎,防止内胎被刺破。又因为设有防刺层,即增加了外轮胎底部厚度和设有较深的防滑花纹,所以可延长外轮胎的使用寿命。
耐用动车外轮

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201110188635.5有效
发明人：中泽治雄;窪内源宜 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，它能够充分地激活较深的离子注入层，并完全恢复离子注入过程中所产生的晶格缺陷。连续地发射激光脉冲(21a至25a)，以形成基本上为CW(连续波)的激光。本发明的该特征能够在大约2μm处稳定的进行较深处离子注入层的激活，且产生较少的缺陷。
制造半导体器件方法

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201811455354.X在审
发明人：穆钰平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及形成方法，该半导体器件包括：半导体结构，半导体结构包括至少两个相邻的第一区域以及位于相邻第一区域之间的第二区域；位于第二区域的沟槽；位于沟槽内的隔离结构，隔离结构包括：位于沟槽表面的绝缘层以及位于绝缘层背离沟槽一侧的信号阻挡层，信号阻挡层包括沿第一方向层叠的第一氧化物层和金属层；从而利用金属层对半导体结构中相邻第一区域中间深度较浅的区域进行信号隔离，提高相邻第一区域中间深度较浅的区域的信号隔离效果，进而缓解半导体器件中不同区域的信号串扰现象，并利用第一氧化物层对相邻第一区域中间深度较深区域进行信号隔离，解决现有工艺无法实现深度较深区域的金属沉积的问题。
第一区域半导体器件半导体结构信号隔离绝缘层信号阻挡层第二区域隔离结构氧化物层金属层深区域沟槽表面金属沉积信号串扰背离缓解

[发明专利]玻璃制品的目标化学强化-CN201810963583.6有效
发明人： V·鲁扎托;T·A·马莎尔;C·C·巴特洛;D·N·梅默林 -专利权人：苹果公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：可执行化学强化以在已被加工的玻璃制品的区域处产生较深的压缩层，包括以及/或者相邻于边缘特征，具有较大的表面粗糙度以及/或者具有较多或较深的裂缝。
玻璃制品目标化学强化

[发明专利]一种在渐进式感应加热淬火中对弯曲工件矫直的方法-CN89101291.5无效
发明人：阿瑟·欧内斯特·毕晓普 -专利权人： A.E.毕晓普及合伙人有限公司
申请日： 1989-03-06 - 公布日： 1993-04-07 - 主分类号： C21D1/10 文献下载
摘要：在淬火过程中可控制工件弯曲的矫直，即检测工件的平直度并利用该信息控制工件的加热和/或淬火，使工件凹入侧形成较深的硬化层，以产生消除弯曲的矫直力矩。感应圈的形状可做成仅对工件圆周的一部分加热，或将热集中在圆周的一部分上，并且改变工件的转速，就可使工件凹入侧在集中加热较长时间，一经淬火就可获得较深的马氏体层。
一种渐进感应加热淬火弯曲工件矫直方法

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