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[发明专利]一种过电压吸收及智能计数装置-CN201610470020.4在审
发明人：李阳 -专利权人：合肥仁德电子科技有限公司
申请日： 2016-06-26 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：电压吸收电路中的压敏电阻器引头寄生电感、晶界层电阻和氧化锌晶粒的体电阻依次串联，晶界层的固有电容和泄漏电阻分别并联在晶界层电阻两端，智能计数模块中的电荷检测器、数模转换器、ATM80C51单片机依次相连，LED数字显示屏安装在ATM80C51单片机上，电荷检测器与晶界层的固有电容并联。
一种过电压吸收智能计数装置

[发明专利]半导体装置和其制造方法以及多次可编程的记忆体装置-CN202011000989.8在审
发明人：葛贝夫·辛格;庄坤苍;陈信吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：间隔物包括填充空气的空隙以预防电荷泄露至栅极或从栅极泄漏，从而减少数据损失并提供更好的记忆体保持。电荷泄漏的减少归因于减小的寄生电容、边缘电容、和交叠电容，这是由于空气相对于其他间隔物材料有低的介电常数所致。间隔物可以包括多层，诸如多个氧化物和氮化物层。
半导体装置制造方法以及多次可编程记忆体

[发明专利]用于人工智能电路缺陷检测系统的采样调制装置-CN202210368698.7在审
发明人：李旭;麻晓菲 -专利权人：重庆电子工程职业学院
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请通过电极调制器模拟测试目标检测电路所需电荷脉冲，通过检测端子阵列中形成的寄生感抗调制目标检测电路背侧各信号节点位置的响应信号，从而提取出其中包含较多电路缺陷特征的谐波分量，实现更为精准的缺陷检测效果本申请利用电荷脉冲序列注入检测点，实现对目标检测电路中全部检测点坐标位置的快速遍历，从而全方位获得目标检测电路运行模态，具有检测效率高、检测结论更为准确且能够直接通过测试人员终端直观进行提示的优势。
用于人工智能电路缺陷检测系统采样调制装置

[发明专利]具有双复合层的叠层电池-CN202310496033.9在审
发明人：何博;顾小兵;何永才;李勃超;丁蕾;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K39/15 文献下载
摘要：本申请以隧穿结和沉积在隧穿结上的导电层作为双复合层，有利于横向电荷的收集，提升叠层电池的填充因子；导电层可以降低寄生吸收，提高叠层电池电流，改善顶电池的电荷传输层与隧穿结之间的接触电阻，提升叠层电池的填充因子
具有复合电池

[发明专利]阵列式场效应晶体管-CN200910196326.5有效
发明人：何军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-09-21 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：与现有技术相比，本发明中扩散区与互连区构成阵列式结构，在不减小扩散区与互连阱的接触长度，即MOSFET的沟道宽度前提下，大幅增加了扩散区与互连阱的接触长度，提高扩散区与互连阱之间的寄生二极管的导通静电荷的能力，满足器件工作时释放扩散区中静电荷的需求，适于小尺寸器件的静电防护。
阵列场效应晶体管

[发明专利]显示器及其驱动方法-CN03107261.5有效
发明人：申东蓉;权五敬 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：以这种方式，可以解决由于电荷重新分配，造成图像质量差的问题，电荷的重新分配是存储在寄生电容中的先前的数据电压引起的。
显示器及其驱动方法

[发明专利]电压产生电路、快闪存储器及半导体装置-CN201510488786.0有效
发明人：竹下利章 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本实施例的电压产生电路(100A)，具有电荷泵浦电路(20)、电阻分压电路(120)、对电阻分压电路(120)输出的电压(Vm)和基准电压(VREF)进行比较的比较器(34)、基于比较器(34)的比较结果以控制电荷泵浦电路电阻分压电路(120)更具有用以使电阻(R1、R2、R3、R4)电容性耦接至输出节点(NOUT)的寄生电容(Cp)。
电压产生电路闪存半导体装置

[发明专利]数模转换器、数据驱动器和平板显示装置-CN200610168767.0有效
发明人：权五敬;崔秉德 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种数模转换器(DAC)，该DAC包括：灰阶发生器，包括多个开关，所述多个开关用于通过至少两条数据线之间的电荷共有产生期望的灰阶电压；开关信号发生器，用于提供用于所述灰阶发生器中的所述多个开关的操作控制信号在一个实施例中，通过保持电容器和取样电容器来执行DAC所使用的电荷共有，利用在至少两条数据线中存在的各寄生电容组分来形成保持电容器和取样电容器，因此与现有的R串型DAC相比，减小了面积并降低了功耗。
数模转换器数据驱动器平板显示装置

[发明专利]检测电路、触控面板及电子设备-CN202010187345.8有效
发明人：刘成 -专利权人：北京集创北方科技股份有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本公开涉及一种检测电路、触控面板及电子设备，所述电路包括：电荷放大器，包括第一输入端、第二输入端、输出端；反馈电容，两端分别与所述第一输入端和所述输出端电性连接，所述反馈电容并联有第一开关；传感器电极，根据本公开各实施例，可以消除寄生电容的影响，避免因为电荷放大器输出饱和而无法检测出触摸动作。
检测电路面板电子设备

[发明专利]含Sc掺杂的源空气桥结构GaN射频HEMT及其制备方法-CN202110511021.X有效
发明人：孙慧卿;王鹏霖;黄志辉;丁霄;李渊;谭秀洋;马建铖;夏晓宇;夏凡;张淼 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：HEMT及其制备方法，该器件中在AlN层中掺杂Sc(钪)，将ScAlN引入AlGaN/GaN势垒中，AlGaN层、ScAlN层和GaN过渡层共同构成一个特殊结构的异质结，增加了器件的自发和压电(应变相关)电荷极化，使得其二维电子气(2‑DEG)薄层电荷的载流子密度提高数倍，与此同时，应变驰豫问题也得到了很好的控制，这一特殊的异质结结构增强了器件射频性能和可靠性。另一方面，该器件中的源空气桥结构，能够相对其他介质桥结构降低寄生电容，在上述异质结的基础上进一步增强器件的射频性能。
sc 掺杂空气结构 gan 射频 hemt 及其制备方法

[发明专利]具有单端读出放大器的半导体器件-CN200910128943.1无效
发明人：梶谷一彦 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2009-03-17 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：该半导体器件具有DRAM单元，DRAM单元由信息电荷累积电容器和存储单元选择晶体管构造，监控构成读出电路的MOS晶体管的阈值电压值，并且通过利用以下转移率来转换MOS晶体管的被监控的阈值电压值，其中，转移率是基于信息电荷累积电容器的电容和位线的寄生电容来确定的
具有读出放大器半导体器件

[实用新型]一种过电压吸收及智能计数装置-CN201420619717.X有效
发明人：王青山;桑仕明;刘良军 -专利权人：安徽国安电气股份有限公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：电压吸收电路中的压敏电阻器引头寄生电感、晶界层电阻和氧化锌晶粒的体电阻依次串联，晶界层的固有电容和泄漏电阻分别并联在晶界层电阻两端，智能计数模块中的电荷检测器、数模转换器、ATM80C51单片机依次相连，LED数字显示屏安装在ATM80C51单片机上，电荷检测器与晶界层的固有电容并联。
一种过电压吸收智能计数装置

[发明专利]一种多导体系统的寄生电容参数提取方法、装置及存储介质-CN202310245357.5在审
发明人：曲晓昆;李相启 -专利权人：深圳华大九天科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种多导体系统的寄生电容参数提取方法，其特征在于，包括：基于集成电路版图数据构建集成电路的二维几何结构的物理模型，所述二维几何结构的物理模型包括多个导体及多个介质；计算所述二维几何结构的物理模型内任一点的电压及电荷的数值模拟图；基于所述电压及电荷的数值模拟图确定待候选合并的多个介质；判断待候选合并的多个介质是否满足如下条件：d_iK*H(1)其中，d_i为所述二维几何结构的物理模型中第i个介质的厚度，H为导体的厚度，K为预设的比例系数为所述导体到第i+1个介质的距离，若判断为所述介质i和介质i+1满足上述条件(1)、(2)，则将所述介质i和介质i+1合并为一个介质；以、以及基于合并后的介质求解所述集成电路的二维几何结构的物理模型中的各导体的寄生电容参数
一种导体系统寄生电容参数提取方法装置存储介质

[发明专利]一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路-CN201710223480.1有效
发明人：张有润;刘凯;刘影;钟晓康;王文;李明晔;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明利用单光子雪崩光电二极管SPAD结电容与第一NMOS管M1的漏极寄生电容、第二NMOS管M2和第一PMOS管M3的栅极寄生电容充当负载电容感应雪崩电流，替代了大电阻的引入，节省了版图面积、提高像素单元填充系数，有效提高探测阵列的探测像素；本发明的电路结构简单，不存在无源器件，仅利用单光子雪崩光电二极管SPAD阳极点处的寄生负载电容感应雪崩电流并进行I‑Q‑V积分转换，将电流转换为电压信号，经反相器处理后输出脉冲信号，此结构一方面可以降低电路瞬态功耗，另一方面可以加快检测速率，缩短淬灭时间，减少流过单光子雪崩光电二极管SPAD的电荷数量，且电路结构简单，有利于大规模阵列集成。
雪崩光电二极管单光子淬灭电路结构雪崩电流电容电路电路瞬态功耗光电技术领域寄生负载电容栅极寄生电容大规模阵列电流转换电压信号负载电容积分转换寄生电容输出脉冲探测像素探测阵列填充系数无源器件像素单元阳极电荷大电阻反相器结电容漏极半导体引入检测替代

[发明专利]功率半导体器件及制造方法-CN201010138629.4有效
发明人：阿肖克·沙拉;艾伦·埃尔班霍威;克里斯托弗·B·科康;史蒂文·P·萨普;彼得·H·威尔逊;巴巴克·S·萨尼 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的一个方面将许多电荷平衡技术和用于减小寄生电容的其他技术相结合以实现具有改进的电压性能、更高开关速度、更低导通电阻的功率器件的不同实施例。根据本发明的又一方面，电荷平衡功率器件将诸如二极管的温度和电流感应元件结合在相同的管芯上。本发明的其他方面改进了功率器件的等效串联电阻(ESR)、将附加电路与功率器件结合在相同的芯片上、以及提供对电荷平衡功率器件的封装改进。
功率半导体器件制造方法