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[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN202010572559.7在审
发明人：池田仁史 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器系统及其操作方法。存储器系统包括多个伪静态随机存取存储器芯片以及存储器控制器。伪静态随机存取存储器芯片互相耦接。当各伪静态随机存取存储器芯片接收到动作命令时，判断本身是否会发生刷新冲突，并据以产生冲突信号。存储器控制器根据冲突信号控制伪静态随机存取存储器芯片。所有伪静态随机存取存储器芯片共享各自的冲突信号，以同步地进行相同的延迟。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]用于高速存储器接口的命令仲裁-CN201680048862.9有效
发明人：詹姆斯·R·麦格罗;凯达尔纳特·巴拉里斯南;杰克逊·鹏;海德凯·卡纳亚玛 -专利权人：超威半导体公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F13/362 文献下载
摘要：在一种形式中，存储器控制器包含命令队列和仲裁器。所述命令队列接收并存储存储器存取请求。所述仲裁器包含多个子仲裁器，所述子仲裁器用于在控制器周期期间从所述存储器存取请求当中提供对应的多个子仲裁获胜者，且用于在对应的控制器周期中在所述多个子仲裁获胜者当中进行选择以提供多个存储器命令。在另一形式中，数据处理系统包含用于提供存储器存取请求的存储器存取代理、存储器系统以及耦合到所述存储器存取代理和所述存储器系统的所述存储器控制器。
用于高速存储器接口命令仲裁

[发明专利]存储器装置内的推测性区段选择-CN202080050709.6在审
发明人： R·E·法肯索尔;J·亚瓦尼法尔德;D·R·米尔斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：描述了用于推测性存储器区段选择的方法、系统和装置。一个存储器区段中的有缺陷存储器组件可使用另一存储器区段中的修复组件来修复。可启用存储器区段的推测性选择，由此当接收到指示一个存储器区段中的地址的存储器命令时可选择多个存储器区段中的存取线。在选择所述多个存储器区段中的所述存取线的同时，执行另一存储器区段中的修复组件是否待存取的确定。基于所述确定，可维持所述存储器区段中的一个中的所述存取线，且可将其它存储器区段中的所述存取线取消选择。
存储器装置推测区段选择

[发明专利]存储器验证方法及存储器验证系统-CN201910988855.2有效
发明人：蒋昌富 -专利权人：点序科技股份有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明提出一种存储器验证方法及存储器验证系统。存储器验证方法，用于模拟固态硬盘的使用者行为。存储器验证方法包括：将随机存取存储器的至少一部分设定为随机存取存储器磁盘；执行应用程序并产生命令以存取随机存取存储器磁盘；判断命令要存取的逻辑区块地址对应到多个处理模块的第一处理模块，并将命令传送到第一处理模块；以及通过第一处理模块执行命令以存取随机存取存储器磁盘中对应逻辑区块地址的实体区块地址。
存储器验证方法系统

[发明专利]数据存取系统与数据存取方法-CN201210120590.2无效
发明人：刘明熙 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提供一种数据存取系统与数据存取方法，所述数据存取系统包含存储器控制器、第一存储器列、第二存储器列、耦接于存储器控制器与第一存储器列之间的第一芯片选择总线、耦接于存储器控制器与第二存储器列之间的第二芯片选择总线、由第一、第二存储器列所共享且耦接于存储器控制器与第一、第二存储器列的每一存储器列之间的一组共享总线、专用于第一存储器列且耦接于存储器控制器与第一存储器列之间的第一组专用总线以及专用于第二存储器行且耦接于存储器控制器与第二存储器行之间的第二组专用总线本发明提出的数据存取系统与数据存取方法能够提升数据存取的效能。
数据存取系统方法

[发明专利]随机存取存储器的自检修补装置及其方法、芯片设备-CN202311121586.2在审
发明人：何学文;张坤;杨帆 -专利权人：合肥智芯半导体有限公司;苏州萨沙迈半导体有限公司;上海萨沙迈半导体有限公司;天津智芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种随机存取存储器的自检修补装置及其方法、芯片设备，随机存取存储器的自检修补装置包括：自检电路用以连接随机存取存储器，用于在接收到自检触发信号时，取得随机存取存储器的存取控制权，并对随机存取存储器进行扫描自检并输出修补地址；读写控制电路用于根据系统总线发送的操作地址进行数据存取操作；修补电路分别与自检电路和读写控制电路连接，用于在存在与操作地址匹配的修补地址时，根据匹配的修补地址通过读写控制电路对随机存取存储器中的错误地址进行重映射修补本发明实施例的随机存取存储器的自检修补装置能够实时完成随机存取存储器的自检和修补，减少软硬件资源的开销，提高随机存取存储器的使用寿命。
随机存取存储器自检修补装置及其方法芯片设备

[发明专利]动态随机存取存储器芯片-CN202210106895.1在审
发明人：卢超群;戎博斗;夏濬 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明系有关于具有强化存取暨回复架构的动态随机存取存储器。动态随机存取存储器包含动态随机存取存储器单元，动态随机存取存储器单元具有存取晶体管与储存电容，字节线耦接至存取晶体管的闸极端。在字节线被选择以开启存取晶体管与字节线未被选择以关闭存取晶体管之间的时段中，第一电压或第二电压储存于动态随机存取存储器单元中，其中该第一电压高于应用在该动态随机存取存储器中的高电位信号的电压，而第二电压低于应用在该动态随机存取存储器中低电位信号的电压
动态随机存取存储器芯片

[发明专利]用于确定存取线的电阻特性的存储器阵列结构及方法-CN202080090291.1在审
发明人：许丹;徐峻;E·E·于;P·泰萨里欧;T·O·伊瓦萨基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C8/14 文献下载
摘要：提供存取线的电阻特性的确定的存储器阵列结构可包含：存储器单元的第一块；存储器单元的第二块；第一电流路径，其在存储器单元的所述第一块的特定存取线与存储器单元的所述第二块的特定存取线之间；及任选第二电流路径，其在存储器单元的所述第二块的所述特定存取线与存储器单元的所述第一块的不同存取线之间。用于确定存取线的电阻特性的方法可包含将存储器单元的所述第一块的所述特定存取线连接到驱动器及响应于通过所述存取线的电流电平及所述存取线的电压电平而确定所述电阻特性。
用于确定存取电阻特性存储器阵列结构方法

[发明专利]硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法-CN201811417388.X在审
发明人：尼尔·格里利;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古尔特杰·桑胡;约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
存储器存取装置绝缘材料自对准存储器元件硫属化合物导电电极通孔交叉点存储器阵列硫属化合物材料三维堆叠生长图案化可用存取掺杂存储暴露制作

[发明专利]硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法-CN201610459395.0有效
发明人：尼尔·格里利;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古尔特杰·桑胡;约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
化合物存储器存取装置对准生长方法

[发明专利]一种闪烁存储器数据存取的实现方法-CN200410037144.0无效
发明人：田波 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2004-06-03 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种闪烁存储器数据存取的实现方法，其核心为：将闪烁存储器划分为预定大小的多个存储块；分别设置各存储块的可用状态标志；当闪烁存储器需要进行数据存取时，根据所述各存储块的可用状态标志对数据进行存取本发明通过设置闪烁存储器各存储块对应的可用状态标志，在闪烁存储器的部分存储块出现存取问题时，可跳过有存取问题的存储块，在不影响数据存取的情况下，使闪烁存储器能够继续使用，从而实现了提高闪烁存储器的可用性
一种闪烁存储器数据存取实现方法

[发明专利]包括磁性随机存取存储器的半导体装置-CN201810523369.9在审
发明人：曾皇文;吴正洲;张哲睿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种包括磁性随机存取存储器的半导体装置。磁性随机存取存储器包括多个磁性随机存取存储器单元。多个磁性随机存取存储器单元包括第一类型磁性随机存取存储器单元及第二类型磁性随机存取存储器单元。每个磁性随机存取存储器单元中包括磁性隧道结层，磁性隧道结层包括被钉扎磁性层、隧穿势垒层及自由磁性层。第一类型与第二类型磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结膜堆叠的尺寸不同。在一或多个以上及以下实施例中，第一类型与第二类型磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结膜堆叠的宽度不同。
磁性随机存取存储器单元磁性随机存取存储器磁性隧道结层结膜半导体装置磁性隧道堆叠被钉扎磁性层隧穿势垒层自由磁性层

[发明专利]对高性能存储器的存储器管理-CN201680068363.6在审
发明人： A·杰哈;T·杰哈;M·孙 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本文描述了用于对高性能存储器进行存储器管理的各种系统和方法。一种用于管理高性能存储器的系统，该系统包括：随机存取存储器；高性能存储器，该高性能存储器具有比随机存取存储器更高的性能；以及存储器管理单元，其用于：获得驻留在随机存取存储器中的多个块的执行度量；基于块的活动性从多个块中选择块；将块移至高性能存储器；以及将针对块的虚拟存储器映射从随机存取存储器更新至高性能存储器。
高性能存储器随机存取存储器存储器管理活动性随机存取存储器中存储器管理单元虚拟存储器映射驻留度量更新管理

[发明专利]直接存储器存取-CN201910641180.4在审
发明人： F·克卢特 -专利权人：意法半导体(格勒诺布尔2)公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G06F13/28 文献下载
摘要：本公开涉及直接存储器存取。一种系统，包括直接存储器存取控制器和耦合到直接存储器存取控制器的存储器。存储器存储记录的链接列表。每个记录包含确定下一个记录的字段的数目的第一字段。例如，每个记录可以表示由直接存储器存取控制器进行的数据传递的执行的参数。
直接存储器存取控制器记录字段直接存储器存取存储器存储存储器数据传递耦合到链接

[发明专利]对安装于安全存储器装置中的文件系统中的文件的会话存取-CN202210898098.1在审
发明人： O·杜瓦尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F21/62 文献下载
摘要：对安装于安全存储器装置中的安全存储器区中的文件系统中的文件的会话存取。响应于来自应用程序的打开用于所述文件系统的会话以存取所述存储器区的请求，安全命令发送到所述存储器装置以安装用于所述存储器区的存取控制密钥。在密钥存储库中存储会话密钥之后，所述应用程序可调用操作系统以存取所述文件系统中的文件。作为响应，所述文件系统可产生待传输到所述存储器装置的存取命令。存储于所述密钥存储库中的所述会话密钥可用以代表所述应用程序签署所述存取命令。所述存储器装置在所述存取命令的执行之前使用所述存取控制密钥核实使用所述会话密钥签署的所述存取命令。
安装安全存储器装置中的文件系统文件会话存取