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[发明专利]一种加强散热的存储芯片的封装结构及其制作方法-CN202210875700.X有效
发明人：华毅;陈仁升;张光明 -专利权人：太极半导体（苏州）有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储芯片的封装结构，其包括：基板；逻辑芯片，所述逻辑芯片设置于所述基板之上；第一存储芯片，所述第一存储芯片设置于所述逻辑芯片之上；第二存储芯片，所述第二存储芯片设置于所述第一存储芯片之上；第三存储芯片，所述第三存储芯片设置于所述第二存储芯片之上；其中所述第二存储芯片的面积小于第一存储芯片，所述第三存储芯片的面积小于第二存储芯片的大小，所述第一、第二、第三存储芯片层叠呈阶梯状结构单元；在所述阶梯状结构单元之间还设置有导热模块本发明相比于现有技术，不但可实现多个存储芯片的堆叠，提高了存储密度的同时保证了良好的散热性能。
一种加强散热存储芯片封装结构及其制作方法

[发明专利]存储芯片堆叠封装及电子设备-CN202080094663.8在审
发明人：焦慧芳;赫然;栗炜;刘静遐;李檀 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本申请提供一种存储芯片堆叠封装及电子设备，能够避免因采用micro‑bump结合TSV或者采用RDL等技术造成制作成本高的问题。该存储芯片堆叠封装包括基板以及依次堆叠在基板上的多层存储芯片；多层存储芯片包括：位于第一层的第一、第二存储芯片，位于第二层的第三、第四存储芯片，以及位于第三层的第五存储芯片；基板在对应第一存储芯片和第二存储芯片的位置设置有第一、第二窗口；第一存储芯片和第二存储芯片与基板直接连接；第三存储芯片和第四存储芯片与基板的引线连接；第五存储芯片搭接在第三存储芯片和第四存储芯片上；第五存储芯片与基板引线连接。
存储芯片堆叠封装电子设备

[实用新型]一种芯片封装结构-CN202221976409.3有效
发明人：金若虚 -专利权人：力成科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片封装结构，包括结构主体以及成型于结构主体上的塑封料，结构主体基板、存储芯片组、闪存芯片组和控制芯片，存储芯片组包括第一存储芯片组和第二存储芯片组，第一存储芯片组和第二存储芯片组并排堆叠于基板上，且第一存储芯片组和第二存储芯片组之间具有隧道，闪存芯片组堆叠于第一存储芯片组和第二存储芯片组上的同一侧，控制芯片堆叠于第一存储芯片组或第二存储芯片组的另一侧。本实用新型在第一存储芯片组和第二存储芯片组上方一侧堆叠闪存芯片组，另一侧堆叠控制芯片，控制芯片和闪存芯片分别堆叠在存储芯片的上方，完全利用有限的封装空间，维持较小的封装尺寸，实现高密度封装。
一种芯片封装结构

[发明专利]存储芯片编程器及其设置与对存储芯片进行编程控制方法-CN201210553347.X在审
发明人：莫越章;张晓成;雷红章 -专利权人：上海市共进通信技术有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储芯片编程器及其设置与对存储芯片进行编程控制方法，属于计算机技术领域。本发明的存储芯片编程器包括集成有多个不同类型的存储芯片控制器的中央处理模块，该中央处理模块通过各类型存储芯片的软件端口连接相应的存储芯片，从而实现对所述的存储芯片进行擦除、编程和读操作。利用本发明的存储芯片编程器的设置与对存储芯片进行编程控制的方法，在不需要了解存储芯片内部算法的情况下，存储芯片编程器能够过通过存储芯片的软件端口对存储芯片进行擦除、编程和读操作，从而有效缩短开发周期，降低开发成本，简化用户操作简单，且本发明的存储芯片编程器及其设置与对存储芯片进行编程控制方法的使用范围也较为广泛。
存储芯片编程及其设置进行控制方法

[发明专利]存储芯片测试方法、装置、电子设备及可读存储介质-CN202310460347.3在审
发明人：谢登煌 -专利权人：深圳市晶存科技有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种存储芯片测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。方法包括：获取存储芯片测试指令；对存储芯片测试指令进行解码处理得到存储芯片测试信息；根据存储芯片测试信息在待测试存储芯片的第一测试输入引脚输入测试信号；从待测试存储芯片的第一测试输出引脚读取反馈信号；在反馈信号不满足预设的芯片工作参数阈值的情况下，对待测试存储芯片停止测试处理，并且将对应的待测试存储芯片标记为不良品；其中，芯片工作参数阈值表征存储芯片实现任意功能而需要达到的最低参数阈值要求。根据本发明实施例的方案，能够加快存储芯片的测试效率，快速对测试不合格的存储芯片进行剔除处理。
存储芯片测试方法装置电子设备可读介质

[发明专利]半导体装置-CN202010611284.3在审
发明人：寗树梁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其包括存储芯片及温度检测单元，所述温度检测单元用于检测所述存储芯片的温度，所述温度检测单元与所述存储芯片采用不同的电源供电。本发明的优点在于，存储芯片与温度检测单元采用不同的电源，则可分别控制两者启动，即温度检测单元的启动不受存储芯片是否启动的影响，使得对存储芯片温度的检测不受存储芯片是否启动的影响，从而能够为存储芯片的启动及运行提供参考，进而能够避免存储芯片在低温下启动或者运行，提高存储芯片的稳定性。
半导体装置

[发明专利]存储装置-CN201611232739.0有效
发明人：王兴隆;何佳;陈晓岩 -专利权人：上海宝存信息科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明提出一种存储装置，包括一主板、一主控芯片、一第一存储芯片单元、一第二存储芯片单元以及一散热器。该主板包括一金手指连接部。主控芯片设于该主板之上并对应该金手指连接部。第一存储芯片单元耦接该主板，并位于该主控芯片的一侧，其中，该第一存储芯片单元包括多个第一存储芯片。第二存储芯片单元耦接该主板，并位于该主控芯片的另一侧，其中，该第二存储芯片单元包括多个第二存储芯片。散热器热连接该主控芯片，该散热器位于该第一存储芯片单元与该第二存储芯片单元之间。
存储装置

[发明专利]存储芯片的测试方法及设备-CN202210059291.6在审
发明人：刘东 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储芯片的测试方法及设备，包括：在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据；从存储单元中读取存储数据；根据测试数据与存储数据，生成待测存储芯片的测试结果；其中，待测存储芯片当前的位线预充电电压小于待测存储芯片的标准位线预充电电压，和/或，待测存储芯片当前的感测延迟时间小于待测存储芯片的标准感测延迟时间。本申请实施例提供的存储芯片的测试方法及设备，可以准确检测出存储芯片是否存在失效的存储单元，进而提升存储芯片的良率。
存储芯片测试方法设备

[发明专利]存储芯片的测试方法及设备-CN202210246819.0在审
发明人：第五天昊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种存储芯片的测试方法及设备，涉及半导体技术领域，包括：在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据，该待测存储芯片包括多列存储单元；从上述存储单元中读取存储数据；其中，在从上述存储单元中读取存储数据时，待测存储芯片使用的tCCD小于待测存储芯片的标准tCCD；根据上述测试数据与存储数据，生成待测存储芯片的测试结果。本公开实施例通过改变待测存储芯片的工作参数tCCD，使待测存储芯片的读取环境变得更严格，通过对比写入的测试数据与读取到的存储数据，即可准确判断出待测存储芯片是否存在异常，可以有效提升存储芯片的检测准确率，进而提升存储芯片的良率。
存储芯片测试方法设备

[发明专利]存储芯片的温升时间测量方法、存储芯片测试方法及设备-CN202110926120.4在审
发明人：刘小龙;李智锋 -专利权人：深圳市江波龙电子股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储芯片的温升时间测量方法、存储芯片测试方法及设备，该方法包括在对目标存储芯片升温过程中，读取目标存储芯片的寄存器的值；若检测到寄存器的值满足预设条件，则确定目标存储芯片的温度达到预设温度；获取目标存储芯片的温度达到预设温度的温升时间。通过上述方式，本申请能够准确确定存储芯片内部温度是否达到预设温度，何时达到预设温度，以此可以确定该存储芯片的准确温升时间，进而后续可以将该温升时间作为存储芯片测试过程中加热时间长度的依据，从而能够提高存储芯片测试过程中的加热效率，进而提高存储芯片测试的效率，降低存储芯片测试的成本。
存储芯片时间测量方法测试方法设备

[发明专利]一种集成电路结构-CN202310643750.X在审
发明人：陈珍;谢冬;姜玉丽 -专利权人：湖北江城实验室科技服务有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：集成电路结构包括：依次堆叠的第一逻辑芯片、第一存储芯片、第二存储芯片和第二逻辑芯片。其中，第一逻辑芯片，用于控制并直接访问第一存储芯片；第一存储芯片，用于存储动态数据；第二存储芯片，用于存储静态数据；第二存储芯片为相变存储器；第二逻辑芯片，用于控制并直接访问第二存储芯片。
一种集成电路结构

[发明专利]具有芯片ID生成电路的半导体器件及多芯片封装-CN201610917264.2有效
发明人：卢亮均;柳济民;金玄基;郑伦在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：提供了一种包括芯片标识(ID)生成电路的半导体器件。半导体器件可以是包括多个存储芯片的多芯片封装，并且每个存储芯片包括被配置为选择性地修改相应存储芯片的芯片ID的芯片ID生成电路。芯片ID生成电路通过使用模式寄存器测试存储芯片的芯片ID来确定存储芯片的芯片ID，并且通过使用至少两个熔断组来选择性地编程存储芯片的芯片ID。当存储芯片被确定为有缺陷的芯片或者被选择为停止其使用时，芯片ID生成电路可以阻止存储芯片的芯片ID的输出。
具有芯片 id 生成电路半导体器件封装

[发明专利]集成芯片、电子设备以及数据处理方法-CN202211130401.X在审
发明人：周小锋 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请公开了集成芯片、电子设备以及数据处理方法。该集成芯片包括：易失性存储芯片；非易失性存储芯片；逻辑芯片，逻辑芯片与易失性存储芯片三维键合连接；非易失性存储芯片设置于逻辑芯片与易失性存储芯片的一侧，且与逻辑芯片连接；其中，非易失性存储芯片的厚度小于或等于易失性存储芯片和逻辑芯片的厚度之和通过上述方式，能够减小集成芯片的厚度。
集成芯片电子设备以及数据处理方法

[实用新型]基于双存储芯片的启动电路及计算机设备-CN202222325709.1有效
发明人：简方军;张天云;郭清成 -专利权人：龙芯中科技术股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G06F9/4401 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于双存储芯片的启动电路及计算机设备，双存储芯片启动电路包括处理器、第一控制芯片、第二控制芯片、第一存储芯片和第二存储芯片；处理器分别与第一控制芯片和第二控制芯片电连接，第一控制芯片与第二控制芯片电连接，第二控制芯片分别与第一存储芯片和第二存储芯片电连接，第一存储芯片和第二存储芯片中存储有BIOS程序；处理器为第二控制芯片输出第一信号，第一控制芯片为第二控制芯片输出第二信号，第二控制芯片根据第一信号和第二信号控制第一存储芯片切换至第二存储芯片，通过两个信号的控制实现存储芯片的切换，能够有效提升存储芯片切换过程中的可靠性，加强了计算机启动系统的稳定性。
基于存储芯片启动电路计算机设备

[实用新型]存储装置-CN202021255441.3有效
发明人：李小丰;曾崇 -专利权人：深圳市中网信安技术有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储装置，存储装置包括：电路板；存储芯片，设置于电路板上；其中，存储芯片至少包括第一存储芯片和第二存储芯片，对称设置于电路板的顶面和底面；第一存储芯片与第二存储芯片的引脚结构不同，对贴于电路板时，第一存储芯片的引脚与第二存储芯片的对应功能的引脚相对设置。通过上述方式，能够提升存储装置的性能，减少存储装置的设计成本。
存储装置

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