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[发明专利]字线电压产生电路-CN202010488380.3在审
发明人：张登军;李建球;朱志能;郭润森;胡晓琼 -专利权人：珠海博雅科技有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种字线电压产生电路，涉及存储器技术领域。字线电压产生电路包括：多个字线电压产生单元，字线电压产生单元的个数与存储器中的存储单元的行数一致，每个字线电压产生单元与每一行存储单元对应的字线连接，多个字线电压产生单元用于分别在不同的配置电压下为每一行存储单元的控制端提供不同的字线电压；供电单元，与多个字线电压产生单元连接，用于根据控制信号分别为多个字线电压产生单元提供不同的配置电压。该字线电压产生电路可产生不同的多个字线电压，进而通过该字线电压产生电路提供擦除操作字线电压和读写操作字线电压，减少了字线电压产生电路的成本，同时减少了字线电压产生电路在芯片的占用面积。
电压产生电路

[实用新型]字线电压产生电路-CN202020988778.9有效
发明人：张登军;李建球;朱志能;郭润森;胡晓琼 -专利权人：珠海博雅科技有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种字线电压产生电路，涉及存储器技术领域。字线电压产生电路包括：多个字线电压产生单元，字线电压产生单元的个数与存储器中的存储单元的行数一致，每个字线电压产生单元与每一行存储单元对应的字线连接，多个字线电压产生单元用于分别在不同的配置电压下为每一行存储单元的控制端提供不同的字线电压；供电单元，与多个字线电压产生单元连接，用于根据控制信号分别为多个字线电压产生单元提供不同的配置电压。该字线电压产生电路可产生不同的多个字线电压，进而通过该字线电压产生电路提供擦除操作字线电压和读写操作字线电压，减少了字线电压产生电路的成本，同时减少了字线电压产生电路在芯片的占用面积。
电压产生电路

[发明专利]非易失性存储器和根据被选字线控制虚设字线电压的方法-CN201210182593.9无效
发明人：朱相炫;崔奇焕;金武星 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：非易失性存储器装置包括在操作期间选择字线的访问电路，访问电路在操作期间选择字线、将被选字线电压施加到被选字线、将未被选字线电压施加到字线中的未被选择的字线并将虚设字线电压施加到虚设字线。当被选字线不与虚设字线相邻时，虚设字线电压是第一虚设字线电压，当被选字线与虚设字线相邻时，虚设字线电压是与第一虚设字线电压不同的第二虚设字线电压。
非易失性存储器根据被选字线控制虚设电压方法

[发明专利]存储器装置的操作方法-CN202110273182.X在审
发明人：郑致杰;吕君章;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：该操作方法包括：在一预导通期间，一冗余字线电压上升至一第一冗余字线电压；在一读取期间，该冗余字线电压从该第一冗余字线电压上升至一第二冗余字线电压；以及在该读取期间结束时，降低该冗余字线电压；其中，该第一冗余字线电压低于该第二冗余字线电压
存储器装置操作方法

[发明专利]字线抑制电路和方法-CN201210065958.X有效
发明人：刘逸群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种用于提供抑制字线电压的字线驱动电路包括：开关，被配置成选择性地将字线加载至抑制字线电压节点；和字线充电电路，连接在高电源节点和抑制字线电压节点之间。字线充电电路包括第一晶体管器件，响应于控制脉冲，将字线电压节点充电至抑制字线电压；和第二晶体管器件，用于维持抑制字线电压。本发明还提供了字线抑制电路和方法。
抑制电路方法

[发明专利]存储器装置的操作方法-CN202110150245.2在审
发明人：郑致杰;吕君章;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置的操作方法，其中包括：在一预导通期间，一相邻字线电压上升至一第一相邻字线电压；以及在该预导通期间结束后，该相邻字线电压从该第一相邻字线电压上升至一第二相邻字线电压。该第一相邻字线电压低于该第二相邻字线电压。该相邻字线电压施加到至少一相邻字线，该至少一相邻字线系相邻于一被选字线。
存储器装置操作方法

[发明专利]非依电性内存装置及其操作方法-CN201510966548.6有效
发明人：黄科颖 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：非依电性内存装置包括非依电性记忆胞、程设电压产生电路、字线电压产生电路与共源线电压产生电路。非依电性记忆胞的控制端、第一端与第二端分别电性连接于字线、位线与共源线。程设电压产生电路提供程设电压至位线，以及检测位线的电流。字线电压产生电路提供字线电压至字线，其中字线电压的摆幅为字线高电压至字线低电压。共源线电压产生电路提供共源线电压至共源线。依据位线的电流，字线电压产生电路动态调整字线低电压，或是共源线电压产生电路动态调整共源线电压。本发明所提供的非依电性内存装置及其操作方法可以有效减少位线的漏电流。
产生电路字线电压线电压共源位线字线依电性内存电压产生电路动态调整低电压记忆胞电性电性连接有效减少第一端高电压控制端漏电流摆幅源线检测

[发明专利]字线电压偏置电路-CN201210577055.X在审
发明人：杨光军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明公开一种字线电压偏置电路，包括：字线电压控制信号产生电路，用于产生连接驱动管的第一字线电压控制信号及第二字线电压控制信号，其电源负端接负压产生电路，以于读控制信号控制存储器读操作时，该字线电压控制信号产生电路产生的负压的该第一字线电压控制信号；以及负压产生电路，连接于该字线电压控制信号产生电路，以于读操作时提供负压至该第一字线电压控制信号，本发明使得读操作时字线电压控制信号产生电路产生一负压的字线电压控制信号控制驱动管，以更好的驱动驱动管，
电压偏置电路

[发明专利]一种三维NAND存储器字线充电方法以及控制电路-CN201910308062.1在审
发明人：刘飞;霍宗亮;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维NAND存储器字线充电方法以及控制电路。该充电方法在第一时段，控制电压生成电路输出大于字线目标输出电压的第一电压至字线的输入端，使字线电压快速达到或超过目标电压。然后通过电平检测电路获取三维存储器中的字线电压，进行可控快速放电，当三维存储器中的字线电压等于字线目标输出电压时，充放电结束。可见，在字线充电初期，由于字线电压与第一电压的电压差较大，此时充电电流较大，充电速度快，而在充电后期，字线电压已快充达到或超过目标电压，利用放电电流可控特点，保证即使字线电压接近字线目标输出电压时，字线电压仍能快速达到目标电压，从而解决字线电压与目标电压压差过小导致的充电缓慢问题。
一种三维 nand 存储器充电方法以及控制电路

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其写入方法和删除方法-CN200410049572.5有效
发明人：玉井幸夫;井上刚至;森田晃明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-06-17 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：构成存储器阵列(1)的各可变电阻元件(22)，同一行的一端之间连接共通的字线(20)，同一列的另一端之间连接共通的位线(21)。选择第1字线电压施加到选择字线，选择第2字线电压施加到非选择字线，选择第1位线电压施加到选择位线，选择第2位线电压施加到非选择位线。设定第1字线电压与第1位线电压的电压差在使可变电阻元件的电阻值变化的第1电压差以上，第1字线电压与第2位线电压的电压差、第2字线电压与第1位线电压的电压差、第2字线电压与第2位线电压的电压差的每一个在不使可变电阻元件的电阻值变化的第2电压差以下。
非易失性半导体存储装置及其写入方法删除

[发明专利]用于升压字线定时方案的字线跟踪-CN201310334938.2有效
发明人：王俐文;林志宇;陈炎辉;廖宏仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明的一些方面公开了一种方法，涉及用于升压字线定时方案的字线跟踪。在该方法中，将字线电压提供至字线，字线与多个存储单元相连。提供升压使能信号。升压使能信号的状态表示字线上预定位置处的字线电压是否达到非零的预定字线电压。基于升压使能信号选择性地将字线电压升高至升压字线电压电平。
用于升压定时方案跟踪

[发明专利]存储器内的字线电压控制-CN201110438881.1有效
发明人：张耀强;陈信宇 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供存储器内的字线电压控制。存储器电路(2)包括位栅格(4)，位栅格(4)被选择以利用字线(20)上的字线电压读取。字线电压控制电路(26)产生二步字线电压信号。字线电压首先增大至中间电平，在该中间电平下字线晶体管(12)将位栅格(4)弱耦接至位线(8)。该中间电平被维持长达第一延迟时段。在第一延迟时段后，字线电压增大至全干线值并且该全干线值被维持长达第二延迟时段。随后，字线电压在读取操作的结束时返回至低电平。该二步字线电压信号为位栅格(4)提供较佳的访问干扰裕度。
存储器电压控制

[发明专利]SRAM读写跟踪电路及方法、字线电压调制装置、系统及方法-CN201811569850.8有效
发明人：张一平 -专利权人：成都海光集成电路设计有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供SRAM读写跟踪电路及方法、字线电压调制装置、系统及方法。SRAM字线电压调制装置包括：SRAM读写跟踪电路，其包括用于进行读测试和写测试的一个以上的测试用SRAM单元；以及字线电压调制电路，在测试模式下，所述字线电压调制电路生成一个以上测试用字线电压，并输出到所述SRAM读写跟踪电路，所述SRAM读写跟踪电路在每个所述测试用字线电压下分别进行读测试和写测试，并按照每个测试用字线电压输出表示所述测试用SRAM单元的读测试和写测试成功与否的测试结果，在普通读写模式下，所述字线电压调制电路根据所述SRAM读写跟踪电路的测试结果来生成调制字线电压。
sram 读写跟踪电路方法电压调制装置系统

[发明专利]一种适用于宽温度范围的双电压磁性随机存储器字线驱动电路-CN202310146064.1在审
发明人：蔡浩;付嘉伟;郭亚楠 -专利权人：东南大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于宽温度范围的双电压磁性随机存储器字线驱动电路，包括控制电路、字线译码电路、字线电平转换电路以及字线电压选择电路。电路采用双电源电压，控制电路和字线译码电路工作在低电压域，字线电平转换电路和字线电压选择电路工作在高电压域。根据所需的读写操作输出不同电压作为字线电压，当进行读操作时选择低电压作为字线电压，而进行写操作时选择高电压作为字线电压。本发明采用双电压域的晶体管，可以有效保障整个电路工作在双电源电压下。字线电压选择电路中传输门也必须使用高电压控制，防止读写操作时高电压使得传输门无法关断。本发明有效保证宽温度范围下MRAM写良率，适用于有宽温度范围要求的MRAM存储阵列。
一种适用于温度范围电压磁性随机存储器驱动电路

[发明专利]一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路-CN201810504047.X有效
发明人：刘雯;王建国;何宏瑾 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，包括：字线电压感应模块，通过侦测复制的SRAM存储单元中内部节点电压来实现对施加于SRAM存储单元中传输管栅极的字线WL电压的间接侦测，以判定是否需要进行下字线驱动降挡并输出字线电压降档所需的开关控制信号；下字线驱动幅度控制模块，用于产生字线偏置电压产生模块所需的运放偏置电压，并在开关控制信号的控制下，提供不同档位的字线参考电压；字线偏置电压产生模块，用于产生复制字线电压至运算放大器和字线电压感应模块，并产生字线偏置电压输出至与字线直接相连的字线驱动模块；字线驱动模块，用于在字线偏置电压的控制下产生施加于SRAM存储单元中传输管栅极的字线电压。
一种应用于 sram 调节 wlud 读写辅助电路

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