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[发明专利]一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片-CN202210602897.X有效
发明人：程龙;高虹;曾家明;郑文杰;刘春杨;胡加辉 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片，外延片包括依次沉积第一量子阱子层、第二量子阱子层、第三量子阱子层、第四量子阱子层以及第五量子阱子层而成的量子阱层，其中，前两个子层为GaN层，其余子层为InGaN层，在生长第一量子阱子层、第二量子阱子层以及第三量子阱子层的过程中，掺杂Si，且第一量子阱子层和第二量子阱子层中的Si掺杂浓度均高于所述第三量子阱子层中的Si掺杂浓度，其中，掺杂Si可以降低量子阱极化电场作用，提高电子和空穴波函数的交叠，进而提升辐射复合效率，达到提升发光二极管的发光效率。
一种 gan led 外延生长方法芯片

[发明专利]一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管-CN202210404564.6在审
发明人：刘春杨;胡加辉;吕蒙普;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管，所述外延片包括多量子阱层，所述多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层；其中，所述量子阱层包括依次层叠设置的第一量子阱子层、第二量子阱子层以及第三量子阱子层，所述量子垒层包括周期性层叠在所述第三量子阱子层上的第一量子垒子层和第二量子垒子层，所述第一量子阱子层、所述第三量子阱子层以及所述第二量子垒子层均采用TMGa源进行生长，所述第二量子阱子层采用TEGa源进行生长和所述第一量子垒子层均采用
一种外延制备方法以及发光二极管

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202011033026.8有效
发明人：洪威威;王倩;梅劲;董彬忠;吕蒙普 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：多量子阱层中阱层包括沿发光二极管外延片生长方向依次层叠的第一BInGaN子阱层、第一InGaN子阱层、InN子阱层、第二InGaN子阱层、第二BInGaN子阱层。阱层中部捕获更多的电子并，减小电子的迁移速率，载流子分布更均匀。垒层包括沿发光二极管外延片生长方向依次层叠的第一BInGaN子垒层、第一BGaN子垒层、BN子垒层、第二BGaN子垒层、第二BInGaN子垒层。垒层与阱层之间通过BInGaN材料进行良好过渡，减小阱层与垒层之间由于晶格失配而产生的缺陷，提高阱层与垒层的晶体质量并最终提高发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201510874393.3在审
发明人：胡任浩;郭炳磊;谢文明;胡加辉;魏世祯 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，多量子阱层包括若干第一多量子阱子层和层叠在若干第一多量子阱子层上的第二多量子阱子层，第一多量子阱子层包括量子阱层和层叠在量子阱层上的量子垒层，第二多量子阱子层包括依次层叠在若干第一多量子阱子层上的量子阱层、量子垒层、掺杂Mg的量子垒层，第二多量子阱子层中的量子垒层和掺杂Mg的量子垒层的厚度之和等于第一多量子阱子层中的量子垒层的厚度
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法-CN201910815397.2有效
发明人：洪威威;王倩;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：发光二极管外延片的多量子阱层的每个量子阱层均包括依次层叠的第一量子阱子层、第二量子阱子层和第三量子阱子层，第二量子阱子层的In/Ga比大于等于第一量子阱子层和第三量子阱子层的In/Ga比；第一量子阱子层中掺有Si；每个量子垒层均包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层和第三量子垒子层；第二量子垒子层的Si/Ga比大于等于第一量子垒子层和第三量子垒子层的Si/Ga比。该发光二极管外延片可以改善多量子阱层中的能带倾斜现象，增加电子和空穴的波函数在空间分布上的重叠度，提高LED的内量子效率。
发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种多量子阱基发光二极管及其制备方法-CN202210499766.3在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;曾家明;胡加辉 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多量子阱基发光二极管及其制备方法，包括衬底，还包括：依次层叠于衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层及P型GaN层；其中，多量子阱层包括若干周期交替堆叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层依次包括第一量子阱子层、第二量子阱子层及第三量子阱子层，第一量子阱子层设于N型GaN层之上；第一量子阱子层包括第一GaN层以及设于第一GaN层之上的第二GaN层，第一GaN层设于N型GaN层之上；第三量子阱子层包括第一InGaN层以及设于第一InGaN层之上的第二InGaN层，第一InGaN层设于第二量子阱子层之上，本发明能够解决现有技术中低温生长的InGaN量子阱层降低了多量子阱层的晶体质量，影响多量子阱基发光二极管的发光效率的技术问题。
一种多量子阱基发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法-CN202310806216.6有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及制备方法，所述发光二极管外延片包括包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、第一N型AlGaN层、有源层及电子阻挡层；所述有源层包括多个交替层叠的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括依次设置的第一量子阱子层、第二量子阱子层、以及第三量子阱子层，所述第一量子阱子层和所述第三量子阱子层均包括AlGaO层和第二N型AlGaN层，所述第二量子阱子层为Ga2O3层，所述复合量子阱层的禁带宽度呈V字型变化，所述第一量子阱子层与所述第三量子阱子层的禁带变化及厚度对称，提高发光二极管发光效率。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]高光效发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片-CN202310564896.5在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片，该外延片包括：衬底、缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，有源层包括量子阱层和量子垒层组成的超晶格结构，量子阱层包括第一量子阱子层、第二量子阱子层、第三量子阱子层和第四量子阱子层，第一量子阱子层为N型AlaInbN层，第二量子阱子层为AlmInnGa1‑m‑nN层，第三量子阱子层为P型AlxInyN层，第四量子阱子层为AlzGa1‑z<本发明降低了量子阱层极化电场效应，提高电子与空穴波函数的交叠，提升量子阱层辐射复合效率，提升了光效。
高光效发光二极管外延及其制备方法 led 芯片

[发明专利]一种GaN基发光二极管的外延结构及其制备方法-CN202210753881.9有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基发光二极管的外延结构及其制备方法，外延结构包括：包括衬底及在衬底上依次外延生长的低温缓冲层、未掺杂的U型GaN层、掺杂Si的N型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层和掺杂Mg的P型GaN层；多量子阱有源层包括第一多量子阱有源层、多量子阱间插入层和第二多量子阱有源层，多量子阱间插入层包括第一插入子层、第二插入子层和第三插入子层。本发明的第二插入子层能够为距离掺杂Mg的P型GaN层较远的多量子阱有源层部分提供更多的空穴，第一插入子层和第三插入子层用来匹配第二插入子层与多量子阱有源层的晶格。
一种 gan 发光二极管外延结构及其制备方法

[实用新型]一种多量子阱结构及发光二极管-CN202022230865.0有效
发明人：李家安;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种多量子阱结构及发光二极管，其中多量子阱结构包括第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，所述第三量子阱层由第三阱层和第三垒层交替层叠而成，其特征在于：所述第三垒层包括依次层叠的第一GaN子层、第一InGaN子层、第二InGaN子层、第三InGaN子层、第二GaN子层。
一种多量结构发光二极管

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202211314798.8有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、有源层、电子阻挡层和P‑GaN层，有源层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层；所述量子阱层包括依次层叠的第一量子阱子层、第二量子阱子层和第三量子阱子层；其中，所述第一量子阱子层为N‑InGaN层，所述第二量子阱子层为多个交替层叠的InAlGaN层和InN层形成的周期性结构，所述第三量子阱子层为P‑InGaN层。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN201811412842.2有效
发明人：李昱桦;乔楠;蒋媛媛;刘春杨;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括多个复合结构，复合结构包括阱层和垒层；最靠近P型半导体层的几个阱层为第一阱层，第一阱层包括第一子层、第二子层和第三子层；除第一阱层之外的阱层为第二阱层，第二阱层包括第四子层、第五子层和第六子层；第二子层的材料和第五子层的材料均采用InxGa1‑xN，第一子层的材料和第三子层的材料均采用AlaInbGa1‑a‑bN，第四子层的材料和第六子层的材料均采用Al
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202210812034.5有效
发明人：程龙;郑文杰;曾家明;高虹;刘春杨;胡加辉 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片包括：衬底，在衬底上依次沉积的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，有源层包括周期性交替堆叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层包括依次沉积的量子阱准备层、量子阱子层、量子阱升温层和量子阱高温层，量子阱准备层、量子阱子层、量子阱升温层和量子阱高温层均为InGaN层，量子阱准备层中In组分为0.01~0.5，量子阱子层中In组分为0.1~0.5，量子阱升温层中In组分为0.05~0.5，量子阱高温层中In组分为0.05~0.25。本发明可以降低量子阱非辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN202210457982.1在审
发明人：张彩霞;程金连;印从飞;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，GaN基发光二极管外延片包括多量子阱层，多量子阱层为量子阱层、量子阱帽层和量子垒层交替层叠的周期性结构；量子阱帽层包括依次层叠的BInGaN子层、复合子层及BGaN子层，复合子层为SiN层和BN层交替层叠的周期性结构，BInGaN子层、复合子层及BGaN子层的生长温度梯度升高，并且BInGaN子层的In组分含量渐变减少。本发明通过对多量子阱层中的帽层做了特殊设计，既很好的实现了保护量子阱In组分的目的，又有利于减少阱垒晶格失配，缓解量子阱垒界面处In的偏析，提升量子阱垒处的界面晶体质量，使得阱垒界面处更加陡峭，有利于波长均匀性的提升和获得更好的抗静电能力
一种 gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202211143257.3有效
发明人：程龙;郑文杰;曾家明;刘春杨;胡加辉 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、有源层、电子阻挡层和P‑GaN层，有源层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层；量子阱层包括依次层叠的第一量子阱子层、第一极化调控层、第二量子阱子层和第二极化调控层；第一量子阱子层为InGaN层，第一极化调控层为N‑InGaN层，第二量子阱子层为InGaN层，第二极化调控层为P‑InGaN层；第一量子阱子层中In组分的占比小于第二量子阱子层中
高光效发光二极管外延及其制备方法

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