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[发明专利]立方型PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法-CN202211580431.0有效
发明人：杨尊先;郭太良;孟宗羿;叶雨亮;陈烨;张辉;张永爱;周雄图;吴朝兴;李福山 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种立方型纳米PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法，由硒化锌材料和硒化锡材料交替包覆所组成的立方形核壳结构量子阱材料，以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有立方型形貌的多阱核壳量子阱材料，方法便于控制，所制备的材料具有高量子效率、特殊的形貌结构、良好的结构稳定性，在太阳能电池、照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
立方 pn snse znse 多阱核壳量子材料制备方法

[发明专利]一种多阱结构量子点、QLED及制备方法-CN201610882224.9有效
发明人：程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种多阱结构量子点、QLED及制备方法，其中，多阱结构量子点包括量子点核、依次循环生长在所述量子点核外的第一量子点壳及第二量子点壳，所述第一量子点壳和第二量子点壳的总层数为预定层数，所述量子点核、第一量子点壳和第二量子点壳内均含有金属离子。本发明的多阱结构量子点荧光强度高，并且量子点核和量子点壳内都具有一层金属离子，所以可以提高多阱结构量子点的荧光寿命，同时提高其稳定性。
一种结构量子 qled 制备方法

[发明专利]基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件及其制备方法-CN202211580087.5在审
发明人：杨尊先;郭太良;周元庆;伍文博;曾志伟;孟宗羿;叶芸;张永爱;陈恩果;周雄图 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件及其制备方法，由以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳的立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、发光层的LED器件。本发明运用热注入法制备具有立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料，其结构新颖，发光层形貌优异规整，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、立方形貌、良好的结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。
基于立方型核壳多阱量子发光 qled 器件及其制备方法

[发明专利]一种多阱核壳结构量子点及其制备方法-CN201610903916.7在审
发明人：程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开一种多阱核壳结构量子点及其制备方法，其包括步骤A、生长一层量子点核；步骤B、在量子点核外依次循环生长第一量子点壳和第二量子点壳，直至生长至预定层数的壳；其中，采用阳离子交换法生长第一量子点壳，采用连续离子层法生长第二量子点壳。与现有技术只利用连续离子层技术制备得到多阱结构量子点不同，本发明采用阳离子交换法生长第一量子点壳，采用连续离子层法生长第二量子点壳，从而有效解决阱层与壳层之间得晶格失配问题，同时也可以有效地控制整个量子点的尺寸大小以及发射波长半峰宽较大的问题
一种多阱核壳结构量子及其制备方法

[发明专利]基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法-CN202211580080.3在审
发明人：杨尊先;郭太良;叶雨亮;叶冰清;黄桥灿;沈梓鸿;叶芸;张永爱;陈耿旭;李福山 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法，由硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有一维核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
基于 cdse pbs cds 量子发光 qwled 及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光元件-CN201811460333.7在审
发明人：王星河 -专利权人：王星河
申请日： 2018-12-01 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，依次包括衬底、n型氮化物半导体，多量子阱，V‑pits，CdHgTe/ZnSSe核壳量子点，CdSeTe/CdSTe核壳量子点以及p型氮化物半导体，其特征在于所述CdHgTe/ZnSSe核壳量子点发出红光；所述CdSeTe/CdSTe核壳量子点发出绿光，所述多量子阱发出蓝光，从而在同一外延片内形成发出红光、蓝光和绿光的半导体发光元件。
核壳量子点半导体发光元件多量子阱红光蓝光绿光外延片衬底

[发明专利]一种用于核-壳结构CdTe/配体量子点量子阱的探测方法-CN201510283924.1无效
发明人：李葵英 -专利权人：燕山大学
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种用于核-壳结构CdTe/配体量子点量子阱的探测方法，它主要采用的仪器是表面光电压谱设备，检测具有核-壳结构CdTe/配体的纳米晶粉末的表面光电压谱，表面光电压谱中出现三个波峰和两个波谷，通过两个波谷对应的能量相关数据计算得到在核壳结构量子点类异质结中量子阱的深度本发明方法简单、易于操作、灵敏度高，能够利用表面光伏技术直接定量求得II/VI族半导体材料核-壳结构量子点量子阱的深度。
一种用于结构 cdte 体量量子探测方法

[发明专利]基于纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱发光层的QWLED及其制备方法-CN202211580096.4在审
发明人：杨尊先;郭太良;周元庆;伍文博;曾志伟;孟宗羿;叶芸;张永爱;陈恩果;周雄图 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上得到硫化镉平面的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、核壳量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，PN结材料性能优异，器件结构稳定高效，制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。
基于纳米板异质结构 cds cdte 量子发光 qwled 及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光元件-CN201910284584.2在审
发明人：郑清团;王星河;叶芳 -专利权人：福建省南安市清信石材有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，依次包括衬底、n型氮化物半导体，多量子阱，V‑pits，CuInP/Ag₂S核壳量子点，AgInS₂/CuInS₂核壳量子点以及p型氮化物半导体，其特征在于所述CuInP/Ag₂S核壳量子点发出红光；所述AgInS₂/CuInS2核壳量子点发出绿光，所述多量子阱发出蓝光
核壳量子点半导体发光元件多量子阱红光蓝光绿光外延片衬底

[发明专利]一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法-CN202211580432.5在审
发明人：杨尊先;郭太良;孟宗羿;叶雨亮;陈烨;张辉;张永爱;周雄图;吴朝兴;李福山 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法，由硒化镉材料和硫化镉材料包裹硫化铅材料所组成的核壳结构材料，以硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳，通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，过程清晰明了，操作便于控制，所制备的具有N‑P‑N异质结型的材料，相比于其他的量子点具有更优异的量子效率、良好的光学特性、可调的激发波长
一种具有一维核壳异质结构 pn cdse pbs cds 量子材料及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光元件-CN201811460342.6有效
发明人：王星河 -专利权人：王星河
申请日： 2018-12-01 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，依次包括衬底、n型氮化物半导体，多量子阱，V‑pits，PbSe/InPAs核壳量子点，Cd3P2/InP核壳量子点以及p型氮化物半导体，其特征在于所述PbSe/InPAs核壳量子点发出红光；所述Cd3P2/InP核壳量子点发出绿光，所述多量子阱发出蓝光，从而在同一外延片内形成发出红光、蓝光和绿光的半导体发光元件。
一种半导体发光元件

[发明专利]具有核-壳结构的半导体器件-CN201410315836.0有效
发明人：卡洛斯·H.·迪亚兹;林群雄;张惠政;章勋明;王建勋;黄懋霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：本发明提供了具有核‑壳结构的半导体器件。一种器件结构包括形成在支撑件上的核结构、以及形成核结构上并且围绕核结构的至少一部分的壳材料。壳材料和核结构配置为在壳材料中形成量子阱沟道。
具有结构半导体器件

[发明专利]一种多波长GaN基核壳纳米棒LED器件结构及其制备方法-CN201910746696.5在审
发明人：张士英;徐庆君 -专利权人：张士英
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多波长GaN基核壳纳米棒LED器件结构及其制备方法。纳米岛作为模板来制备高度一致性的GaN纳米棒，然后使用湿法腐蚀技术，修复纳米棒表面的干法刻蚀损伤，在所得的GaN纳米棒阵列上进行n型GaN再生长，形成具有顶部锥的六面柱，然后依次层叠包覆在GaN纳米棒阵列每个表面上的多量子阱层和P型GaN层，获得多波长GaN基核壳纳米棒LED器件结构。GaN纳米棒阵列与包覆其每个表面的多量子阱层、P型GaN层构成三维核壳结构，在相同的电流密度下可以产生更多的光子数，提高了LED外延结构的内量子效率。本发明的方法无需图形化的衬底，工艺成本低，简单易行，适合规模化制，所得核壳纳米棒阵列可广泛应用于光电子器件和微电子器件。
核壳纳米棒纳米棒阵列多波长制备多量子阱层纳米棒包覆退火高度一致性光电子器件内量子效率微电子器件干法刻蚀高温氨气工艺成本核壳结构湿法腐蚀依次层叠光子数规模化纳米岛图形化再生长自组织衬底六面三维损伤修复应用

[发明专利]一种基于球型核壳CdS/Cu2S/CdS量子阱发光层的QLED制备方法-CN202211580440.X在审
发明人：杨尊先;郭太良;洪宏艺;洪泽乾;叶淞玮;程志明;叶芸;吴朝兴;胡海龙;李福山 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于球型核壳CdS/Cu2S/CdS量子阱发光层的QLED制备方法，其是由硫化镉为核、硫化亚铜为中间层、再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，通过热注入法、一锅法、旋涂镀膜、退火结晶、热蒸镀等工艺，制备出含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件。本发明所得核壳量子阱结构新颖，具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，且所得器件结构稳定高效，具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力
一种基于球型核壳 cds cu2s 量子发光 qled 制备方法

[发明专利]一种球型核壳结构的CdS-Cu2S-CdS量子阱材料及制备方法-CN202211580456.0在审
发明人：杨尊先;郭太良;蓝倩婷;王嘉祥;陈烨;张辉;张永爱;周雄图;吴朝兴;李福山 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C09K11/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种球型核壳结构的CdS/Cu2S/CdS量子阱材料及制备方法，其是以硫化镉为核，以硫化亚铜为中间层，再利用硫化镉为壳进行包覆，组成的一种球型壳核结构材料本发明运用热注入法和连续离子层法进行制备，其方便可行，便于控制，所制备的材料具有连续的PN异质结构，优异的外壳深阱结构，拥有着高量子效率、良好的电子空穴束缚特性，在量子点的固体照明、led显示、光电探测等领域有巨大的应用潜力
一种球型核壳结构 cds cu2s 量子材料制备方法

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