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[发明专利]基于吸光人工突触器件的新型环境光自适应显示驱动系统-CN202310567022.5在审
发明人：陈惠鹏;任泽轩;张翔鸿;杨倩;陈聪;刘狄;陈耿旭;郭太良 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于吸光人工突触器件的新型环境光自适应显示驱动系统。包括控制模块和发光模块，控制模块即为吸光人工突触器件，发光模块为单向导电器件。所述吸光人工突触器件为底栅顶接触结构，从下往上依次为底部金属电极层、绝缘层、半导体层、吸光层、顶部金属电极层。单个器件本身具备多电导可调，且受环境光影响电导值变化，应用于环境光变化驱动发光。本发明不仅可以通过人工突触的吸光层响应环境光强大小来调控显示电路的电流大小，而且显示发出的光也可以通过光吸收层反馈来自我调节显示电路的电流大小。
基于人工突触器件新型环境自适应显示驱动系统

[发明专利]基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法-CN202211580080.3在审
发明人：杨尊先;郭太良;叶雨亮;叶冰清;黄桥灿;沈梓鸿;叶芸;张永爱;陈耿旭;李福山 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法，由硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有一维核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
基于 cdse pbs cds 量子发光 qwled 及其制备方法

[发明专利]基于ZnS/硒化亚铜/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法-CN202211580088.X在审
发明人：杨尊先;郭太良;叶雨亮;叶冰清;黄桥灿;沈梓鸿;叶芸;张永爱;陈耿旭;李福山 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，在立方体ZnS种子的基础上，合成了ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，以此结构为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有立方体异质结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
基于 zns 硒化亚铜量子发光 qwled 及其制备方法

[发明专利]一种具有光电双输出的发光突触晶体管及其制备方法-CN202210764867.9在审
发明人：陈惠鹏;刘璐健;陈奇珍;曾华安;陈耿旭;郭太良 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有光电双输出的发光突触晶体管及其制备方法。所述发光突触晶体管，从下往上依次为基底、绝缘层、空穴传输层、发光层、电子传输层、顶部源漏电极。所述基底为硅片、导电玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET），所述绝缘层为有机聚合物，所述空穴传输层为空穴型半导体材料，所述发光层为量子点材料，所述电子传输层为电子型半导体材料，所述顶部源漏电极为金属导电材料。本发明提供的发光突触晶体管可以通过单个人工突触器件同时输出光信号和电信号，并通过这两种信号的强度模拟突触可塑性，在一定程度上解决了电信号互连传输信息时易受串扰、传输带宽窄等问题，有望为人工神经网络在光电并行方向上的发展开辟新的途径。
一种具有光电输出发光突触晶体管及其制备方法

[发明专利]一种自供电触觉传感摩擦纳米发电机及其制备方法-CN201911259957.7有效
发明人：陈惠鹏;刘亚倩;陈耿旭;郭太良;汪秀梅;严育杰;饶智超 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明提出一种自供电触觉传感摩擦纳米发电机其制备方法，包括下基板、下电极、摩擦介质层、上电极和上基板，下电极设于下基板上；摩擦介质层设于下电极上；上电极设于上基板上，摩擦介质层为双网络薄膜；纳米发电机初始状态下的摩擦介质层与上电极分离，当纳米发电机受到预压力而进入工作状态时，双网络薄膜与上基板摩擦使两者表面积累电荷并在上电极和下电极间形成平衡电位；当因受到触摸使纳米发电机所受压力变化时，上电极与下电极的间距变化使电位的平衡状态无法维持，从而形成上电极与下电极之间的信号电流和开路电压；本发明能制备同时实现化学改性和物理改性的摩擦电薄膜，从而得到更高的表面摩擦电荷密度以获得更高效的摩擦纳米发电机。
一种供电触觉传感摩擦纳米发电机及其制备方法

[发明专利]一种拉伸不敏感的摩擦纳米发电机-CN202210764786.9在审
发明人：陈惠鹏;王晖;饶智超;陈耿旭;郭太良;刘亚倩 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种拉伸不敏感的摩擦纳米发电机。提供一基于弹性体聚合物的三明治结构摩擦纳米发电机，从上往下依次为摩擦层、中间电极以及封装层，将液体有机小分子单体、交联剂、光引发剂混合溶液渗入摩擦纳米发电机表面薄膜中，再经过紫外光照射部分区域，使被照射部分的所述混合溶液中的小分子单体形成交联网络嵌入弹性体聚合物中，形成互穿网络，大大增强薄膜局部区域的机械强度。本发明通过提供一块不易受拉伸形变的摩擦电荷感应区域，有效保证摩擦纳米发电机在拉伸形变下进行稳定的摩擦电输出，本发明具有非常强的通用性和兼容性，同时操作方法简单、便捷、低成本，能够进行图案化，是实现摩擦纳米发电机拉伸不敏感的一个非常有效的解决方案。
一种拉伸敏感摩擦纳米发电机

[发明专利]一种用导电丝型人工神经元驱动的基本显示驱动电路-CN202210091182.2在审
发明人：陈惠鹏;周正贤;张翔鸿;凌永杰;陈耿旭;杨倩;郭太良 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种用导电丝型人工神经元驱动的基本显示驱动电路，用于显示驱动电路的导电丝型人工神经元器件为夹层结构，从下往上依次为底部金属电极层、绝缘层、顶部金属电极层，所述底部金属电极层为惰性导体材料，所述绝缘层为离子可迁移的绝缘材料，所述顶部金属电极层为活泼金属材料。发光模块，由第一发光器件、第二发光器件、第三发光器件及第四发光器件组成，均为单向导电器件。分别连接所述导电丝型人工神经元器件以及公共接地电压。应用本技术方案可实现在电路设计上减少了3/4的接线面积，从而达到短路径长度和高驱动集成度的目的。将其应用于显示驱动电路，扩大了神经形态器件的应用领域，并改进了常规的显示驱动电路。
一种导电人工神经元驱动基本显示电路

[发明专利]一种应变隔离的可拉伸衬底的实现方法-CN202210076420.2在审
发明人：陈惠鹏;王晖;陈耿旭;郭太良;饶智超;汪秀梅;刘亚倩;李恩龙 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C08J7/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种应变隔离的可拉伸衬底的实现方法，采用一弹性体聚合物薄膜，该薄膜通过采用溶液法，并利用旋涂工艺在基底上成膜后，将液体有机小分子单体、交联剂、光引发剂混合溶液渗入该薄膜中，再经过激光照射部分区域，使被照射部分的所述混合溶液中的小分子单体形成交联网络嵌入弹性体聚合物中，形成互穿网络，大大增强该弹性薄膜局部区域的机械强度。应用本技术方案可有效保护其局部区域在拉伸状态下不产生形变，实现应变隔离的效果，各种类型的器件可以直接制备或转移至其刚度加强的区域，保证在衬底拉伸状态下，器件不被破坏。
一种应变隔离拉伸衬底实现方法

[发明专利]具有光电信号并行输出功能的发光电化学人工突触及方法-CN202111462402.X在审
发明人：陈惠鹏;曾华安;陈奇珍;陈耿旭;郭太良 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有光电信号并行输出功能的发光电化学人工突触，包括从下至上依次设置的基底、底电极、发光活性层和顶电极；所述发光活性层由发光材料、离子传输基质和锂盐组成，当连续电压脉冲输入时，活性层中的发光材料与离子传输基质发生电化学氧化还原反应，导致了器件电导的逐渐变大，后突触电流也逐渐增大；同时，随着电子和空穴注入的增加，瞬态电致发光强度也逐渐增强。本发明能够同时以输出的光信号和电信号强度作为突触权重，可用于构建光电混合人工神经网络，为实现同时以光和电为媒介神经形态计算系统提供了一种全新可行的方案。
具有光电信号并行输出功能发光电化学人工突触方法

[发明专利]一种基于驻极体的突触晶体管及其制备方法-CN202010088592.2有效
发明人：陈惠鹏;俞礽坚;陈耿旭;郭太良;李恩龙 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于驻极体的突触晶体管及其制备方法，所述的晶体管自下而上由带有绝缘层的基底、驻极体介电层、有机半导体层以及顶部电极组成；所述的驻极体介电层在绝缘层与半导体之间形成一个界面捕获层，用于捕获电子与空穴，形成额外的电场，对半导体层起到额外的栅极调控作用。该晶体管具有高的开关比，较大的电导调控范围，并且电导增加与调控的脉冲数呈现很好的线性关系，适用于神经形态计算，有效地提高对模式识别的精度，为未来的人工突触提供了一个应用前景。
一种基于驻极体突触晶体管及其制备方法

[发明专利]一种透明导电TiC薄膜激光直写图案化制备方法-CN202110746182.7在审
发明人：孙磊;马立安;陈耿旭;余伟杰 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明导电TiC薄膜激光直写图案化制备方法，包括以下步骤：步骤S1：采用溅射技术沉积Ti粘结层；步骤S2：采用99.9%石墨C靶和99.99%金属钛Ti靶磁控共溅射技术沉积TiC涂层；步骤S3：进行TiC的激光直写图案化。采用磁控溅射技术在硅片、白玻和304不锈钢基体上沉积TiC薄膜，借助激光器对整面的TiC薄膜图案化以形成可定制、低成本、大面积的电极阵列。PVD沉积TiC薄膜腔体中靶材是由1个纯钛（Ti）靶和1个纯石墨靶（C）靶构成。Ti和C靶分别安装在两个直流靶源上，不同成分的TiC涂层可通过改变Ti和C靶溅射功率实现。TiC薄膜的图案化通过激光直写方式来实现。
一种透明导电 tic 薄膜激光图案制备方法

[发明专利]一种具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜的制备方法-CN201810061817.8有效
发明人：杨尊先;郭太良;郑康;陆干臻;赵志伟;胡海龙;周雄图;陈耿旭;李福山;林媛媛 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C01B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜的制备方法，其以P123、SDS和C16TMAB混合作为三元表面活性剂，以酸化硅酸钠作为硅源，将两者混合制备模板溶液后，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在硅片衬底上制备薄膜层，再通过干燥、焙烧除去其中的三元表面活性剂后，经水热处理制得具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，所得具有垂直结构的SBA‑15薄膜能够应用于光电器件和锂电池方面的制备。
一种具有垂直孔道 sba 15 多孔薄膜制备方法

[发明专利]一种调节金属氧化物突触晶体管突触可塑性的方法-CN202010027109.X有效
发明人：陈惠鹏;杨倩;陈耿旭;郭太良;吕东旭;黄金松 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种调节金属氧化物突触晶体管突触可塑性的方法，所述金属氧化物突触晶体管为底栅顶接触结构，包括由下至上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极，在制备完成所述金属氧化物突触晶体管的绝缘层后，对其进行激光照射处理，通过调节激光照射参数调节金属氧化物突触晶体管的突触响应特性。该方法有利于快速、便捷、低温地调节突触晶体管的突触可塑性。
一种调节金属氧化物突触晶体管可塑性方法

[发明专利]一种基于自组装隧穿层的浮栅型光电晶体管存储器及其制备方法-CN202010950456.X在审
发明人： 陈耿旭;彭港;林伟坤;陈惠鹏;郭太良;余伟杰 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明涉及一种自组装隧穿层的浮栅型光电晶体管存储器及其制备方法，包括基底、绝缘层、浮栅层、隧穿层、半导体层和顶部源漏电极；将钙钛矿纳米颗粒溶液与TMOS或TEOS共混，制备出浮栅层溶液；具有绝缘层的基底经过清洗及等离子处理后，将浮栅层溶液通过旋涂工艺沉积于基底之上，经退火处理形成浮栅层及隧穿层；将TMOS或TEOS通过旋涂工艺旋涂于得到的隧穿层上并退火，通过重复此步骤调节自组装隧穿层的厚度；在得到的隧穿层上通过旋涂工艺旋涂有机聚合物半导体材料，退火制得半导体层；在得到的半导体层上通过热蒸镀的方法制备源漏电极，得到自组装隧穿层的浮栅型光电晶体管存储器。本发明具有较高的稳定性，实现可重复的多级存储、多波长可达的非易失性存储，工艺流程简单，易于大规模产业化。
一种基于组装隧穿层浮栅型光电晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法-CN202010828202.0在审
发明人：杨尊先;郭太良;叶雨亮;徐雷;张玉飞;周雄图;陈耿旭;陈恩果;余路成 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提出一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法，包括：衬底以及设置在所述衬底上的：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层上旋涂量子点反溶剂去除部分有机物，使得量子点与功能层接触良好的同时有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。
基于量子溶剂去除发光有机物发光二极管及其制备方法

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