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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]轴承通孔装置-CN201210546259.7有效
发明人：唐燕广;刘晋权 -专利权人：深圳市双环全新机电股份有限公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本发明适用于自动化领域，提供了一种轴承通孔装置，用于对压入空心杯电机机壳中轴承的通孔；包括：定位机构，用于承载和定位所述机壳；夹持机构，用于对所述定位机构上的机壳进行固定；通孔机构，用于对固定后的所述机壳中的轴承进行通孔；动力机构，用于对所述通孔机构提供通孔的动力；以及控制系统，用于对上述机构进行自动控制。使用定位机构保证机壳内轴承的内孔与机壳的同轴度，定位准确；使用夹持机构保证机壳的稳定；使用通孔机构对轴承的内孔进行通孔修正，精准度高，内孔孔径一致性好，质量高；使用控制系统进行自动控制，加工效率高。同时可将多套所述轴承通孔装置组装为一个轴承通孔机，由一人控制多台装置，降低人力成本。
轴承装置

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610030796.0有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层及图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀抗反射涂层；刻蚀介质层；移除光致抗蚀剂层；进行刻蚀终止层的刻蚀；所述介质层的刻蚀过程包括第一刻蚀过程和第二刻蚀过程采用本发明方法，可提高光致抗蚀剂层的致密度，进而有效地控制刻蚀通孔的形貌；并可进一步调整横向、纵向的刻蚀选择比，精确控制刻蚀通孔的形状，以避免损伤栅极侧墙，保证器件可正常工作。
刻蚀方法

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610147809.2有效
发明人：程卫华;叶彬;曾红林 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；执行一各向异性刻蚀制程，在所述通孔刻蚀基底上刻蚀通孔；沉积牺牲层，所述牺牲层填充所述通孔；刻蚀所述牺牲层，以暴露通孔开口；执行一各向同性刻蚀制程，以使所述通孔开口具有圆角结构；去除所述牺牲层。首先采用各向异性刻蚀通孔，继而再采用各向同性的方法扩大通孔开口，可形成具有圆角开口的通孔结构，相比具有尖角开口的通孔结构，对具有相同深宽比的通孔，更不易在开口处形成沉积材料的堆积。
刻蚀方法

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610030795.6有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层、辅助刻蚀终止层及图案化的光致抗蚀剂层；将所述刻蚀终止层分为第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层，所述第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层分别具有第一厚度及第二厚度通过在介质层上方增加辅助刻蚀终止层，且所述辅助刻蚀终止层与所述刻蚀终止层材料相同，可保证移除通孔内刻蚀终止层材料时，刻蚀终止层的终点检测获得足够的检测粒子数目，提高刻蚀检测数据的相对稳定性，可实现通孔刻蚀的终点检测
刻蚀方法

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610119159.0有效
发明人：元琳;高颖;刘玉丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；在所述通孔刻蚀基底上沉积牺牲层；刻蚀所述牺牲层；沉积填充层，所述填充层覆盖牺牲层及所述通孔刻蚀基底；执行一热氧化或氮氧化制程；在热氧化或氮氧化后的所述填充层上沉积介质层；去除覆盖牺牲层上表面的所述介质层和热氧化或氮氧化后的所述填充层；刻蚀牺牲层，形成通孔。通过在刻蚀后的牺牲层上预先沉积一填充层，以密封沉积牺牲层时在其内部产生的孔洞，进而通过一热氧化或氮氧化制程形成部分或全部通孔侧壁层，可在刻蚀所述牺牲层时不再存在所述通孔侧壁层材料形成的阻挡层，去除此通孔刻蚀开路缺陷
刻蚀方法

[发明专利]自对准通孔-CN201680091230.0有效
发明人： J.M.布莱克维尔;K.L.林;R.L.布里斯托尔;R.霍拉尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在示例中公开了一种集成电路，包括：具有电介质、第一导电互连件和第二导电互连件的第一层；具有第三导电互连件的第二层；在第一层和第二层之间用来将第二导电互连件电耦合到第三导电互连件的导电通孔；电介质插塞，其被垂直设置在第一层和第二层之间，并被设置成防止通孔与第一导电互连件电短路；以及覆盖电介质插塞的电介质盖。
对准

[发明专利]跳通孔结构-CN201810132709.5有效
发明人：张洵渊;林萱;J·J·麦克马洪;S·B·劳 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本揭示内容涉及跳通孔结构，其关于半导体结构，且更特别的是，关于跳通孔结构及其制法。该结构包括：第一配线层，具有一或更多配线结构；上层配线层，具有一或更多配线结构，其位于该第一配线层上方；阻挡材料，接触该上层配线层的该配线结构中的至少一者；跳通孔，具有金属化物，该跳通孔穿过该上层配线层且与该第一配线层的该一或更多配线结构接触；以及导电材料，在该金属化物上方的该跳通孔中以及在该阻挡材料上方的通孔互连中。
跳通孔结构

[发明专利]硅通孔阵列-CN202110450323.0有效
发明人：张卫;刘子玉;蒋涵;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅通孔阵列，属于半导体器件领域，能够抑制信号的耦合，提高信号的完整性。一种硅通孔阵列，该硅通孔阵列包括信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔，其中，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔交错排布成正N边形，N≥5。
硅通孔阵列

[发明专利]通孔检测装置-CN201710800078.5有效
发明人：张守金;孙树波;石江涛 -专利权人：歌尔科技有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔检测装置，涉及检测设备技术领域，包括基座，所述基座上安装有光源及位于所述光源上方的工装组件；所述工装组件包括工装安装座，所述工装安装座上安装有用于固定产品的工装，所述工装能够沿水平轴向在所述工装安装座上转动，所述工装安装座和所述工装上设有供所述光源的光线照射到所述产品上的通孔的透光通道；所述通孔检测装置还包括安装在所述工装组件上方能够上下滑动的相机，及与所述相机通信连接的主控制器。本发明通孔检测装置能够快速检测包括斜通孔在内的通孔是否通透，检测效率高，不需要鱼线，大大的降低了企业的生产成本；同时不会对产品内的声学部件造成损伤，保证了声学部件的性能。
检测装置

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200910045140.X无效
发明人：康劲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔刻蚀方法，下层金属表面形成包括顺序沉积的刻蚀终止层、第一保护层、第二保护层及图案化的光致抗蚀剂层的通孔刻蚀结构，第一次刻蚀停止在第一保护层中；然后移除图案化的光致抗蚀剂层，进行清洗；
刻蚀方法

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200810222118.3无效
发明人：韩秋华;杜珊珊;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔刻蚀方法，在通孔刻蚀中，采用小分子量气体稀释刻蚀气体的浓度。由于小分子量气体在其稀释刻蚀气体的同时，在刻蚀过程中产生的轰击力不足以对通道侧壁造成损伤，因此，刻蚀后得到的通孔光滑、轮廓均匀，在通孔中填充导电材料后，填充密实，减小了通孔中填充导电材料的阻值，保证了通孔具有良好的导电特性
刻蚀方法

[发明专利]喷头通孔器-CN201310187019.7无效
发明人：郑福建 -专利权人：郑福建
申请日： 2013-05-18 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： B05B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种喷头通孔器，其结构包括圆盘和通孔针，所述圆盘的一面上设有通孔针，所述通孔针垂直于所述圆盘，所述通孔针设有多根，所述通孔针的排列分布与对应的喷头的出水孔的排列分布一致。本发明的有益效果是：因为通孔针的分布与喷头的出水孔的分布一致所以能将喷头上的出水孔同时打通。
喷头通孔器

[发明专利]通孔用铆钉-CN201310356251.9无效
发明人：黄屹立 -专利权人：福立旺精密机电（中国）有限公司
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： F16B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔用铆钉，包括帽头和孔柱，该帽头固设于该孔柱的一端面上，孔柱侧面上沿其周向向内凹形成一环状凹槽，该孔柱的另一端面上至少部分向内凹形成一凹部。该铆钉在使用时通过对铆钉的帽头施加外力，使孔柱的凹部向四周方向发生形变，从而挤压待安装件的材料使位于铆钉侧面的材料更容易和更多的被挤入到孔柱侧面上的环状凹槽内，从而实现铆钉的自铆合，由于孔柱侧面和凹部发生形变共同挤压待安装件的材料到孔柱上的环状凹槽内
通孔用铆钉

[发明专利]导电通孔结构-CN201110324369.4无效
发明人：张国钦;谢玉宸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约本发明还提供了一种导电通孔结构。
导电结构

[发明专利]通孔加工工艺-CN201110298574.8无效
发明人：廖汉秋;孙宽海 -专利权人：苏州三维精密机械有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： B26F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：利用冲孔冲头对部件冲孔位置进行至少一次的负间隙挤压，然后利用冲孔冲头将部件冲孔位置冲压去除形成冲孔。本发明解决了现有技术中通孔加工工艺采用一次冲压成型，通孔的边缘位置容易出现塌角，冲裁的断裂面上有毛刺，断裂面不够光滑外观质量较差的问题，提供了一种在部件的特殊区域通过不断挤压，之后再进行剪切的通孔加工工艺，通过此工艺可以加工出无塌角，断裂面较为光滑的通孔。
加工工艺

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