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[发明专利]多晶硅电阻的形成方法-CN201310338253.5在审
发明人：蒲贤勇;程勇;马千成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-05 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种多晶硅电阻的形成方法，所述多晶硅电阻的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有隔离结构；在所述隔离结构表面形成若干分立的多晶硅层，所述多晶硅层分别用于形成若干电阻率的多晶硅电阻；在所述隔离结构表面形成第一掩膜层，同时在若干多晶硅层表面分别形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出部分多晶硅层的表面，单个多晶硅层用于形成的多晶硅电阻的电阻率随着所述单个多晶硅层被第二掩膜层覆盖面积的增大而增大；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，对多晶硅层进行离子注入；对多晶硅层进行退火处理，形成若干至少具有两种电阻率的多晶硅电阻。上述方法可以同时形成具有不同电阻率的多晶硅电阻，节约工艺步骤和成本。
多晶电阻形成方法

[发明专利]一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法-CN201110360070.4无效
发明人：黄志刚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法，包括如下步骤：1)在硅基底上生长栅氧，在栅氧上沉积一层多晶硅，多晶硅光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极作为PIP多晶硅的底部多晶硅；在全硅片上沉积一层侧墙氧化膜作为PIP多晶硅的中间绝缘层，然后再沉积一层多晶硅作为PIP多晶硅的顶部多晶硅，在PIP多晶硅的顶部多晶硅上沉积保护膜，然后进行PIP多晶硅光刻，保护膜和PIP多晶硅的顶部多晶硅刻蚀，光刻胶去除；2)氧化膜侧墙刻蚀和侧墙形成本发明在现有的PIP多晶硅结构的顶部淀积一层保护膜，来改善PIP多晶硅在侧墙刻蚀时候的损失，从而达到稳定晶片面内PIP多晶硅的阻值。
一种 pip 多晶刻蚀工艺方法

[发明专利]一种背部钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池-CN202110825240.5在审
发明人：张树德;刘玉申;况亚伟;连维飞;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种背部钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，该方法包括在硅片的背面沉积隧穿氧化层；按照远离硅片的方向，在隧穿氧化层的表面依次交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成层叠膜层；层叠膜层的最后一层为掺杂多晶硅层；激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子，并使掺杂原子向本征多晶硅层扩散，以使层叠膜层成为完整的掺杂型膜层，得到钝化接触结构。本申请中交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层形成层叠膜层，激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子，使掺杂原子向本征多晶硅层中扩散，使层叠膜层各处均掺杂有掺杂原子，由于层叠膜层中制备有本征多晶硅层，本征多晶硅层的沉积速度很快，所以在掺杂型膜层厚度相同的条件下，制备时间缩短。
一种背部钝化接触结构及其制备方法太阳能电池

[发明专利]降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法-CN201210163138.4有效
发明人：唐在峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法，包括以下顺序步骤：在具有N型掺杂多晶硅和非掺杂多晶硅的衬底板上沉积一层硬掩膜层，分别形成N型掺杂多晶硅硬掩膜层和非掺杂多晶硅硬掩膜层，对非掺杂多晶硅硬掩膜层进行刻蚀使得其厚度小于N型掺杂多晶硅硬掩膜层。在不同厚度的N型掺杂多晶硅硬掩膜层和非掺杂多晶硅硬掩膜层上沉积一防反射层，对整个器件进行预设定图案进行刻蚀，刻蚀至露出N型掺杂多晶硅为止。去除刻蚀过程留下在器件表面的残留物，后对器件进行刻蚀分别形成N型掺杂多晶硅栅极和非掺杂多晶硅栅极。
降低掺杂多晶栅极刻蚀形貌差异方法

[发明专利]在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成钛化硅层的方法-CN200910046709.4有效
发明人：汪铭;韩轶男;贺吉伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成钛化硅层的方法：在器件衬底依次沉积垫氧化膜、非掺杂多晶硅层及氮化硅层；根据图案化的氮化硅层，依次刻蚀氮化硅层、非掺杂多晶硅层、垫氧化膜及器件衬底，形成掺杂多晶硅沟槽；在掺杂多晶硅沟槽内沉积氧化硅层后，沉积掺杂多晶硅柱并刻蚀至垫氧化膜，在掺杂多晶硅沟槽内进行热氧化，氧化非掺杂多晶硅层侧壁，得到作为氧化硅侧墙的氧化膜；干法刻蚀掺杂多晶硅柱上的氧化膜后，依次刻蚀掺杂多晶硅沟槽上的氮化硅层、非掺杂多晶硅层、垫氧化膜及掺杂多晶硅柱上的氧化膜，沉积钛Ti并采用快速退火处理，形成TiSi2层。该方法保证所形成的TiSi2层薄膜连续且在后续金属互连层的制成工艺过程中使表面平整。
器件掺杂多晶沟槽形成钛化硅层方法

[发明专利]半导体存储器件的制造方法及半导体存储器件-CN201911097436.6有效
发明人：宓筠婕;林宏益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明中，半导体存储器件的制造方法包括：提供基底以及位于基底上的功能层，功能层内具有至少一个贯穿功能层的第一沟槽；在第一沟槽的底部和侧壁形成第一掺杂多晶硅膜，且第一掺杂多晶硅膜围成第二沟槽，第二沟槽位于第一沟槽内；在第一掺杂多晶硅膜上形成填充满第二沟槽的第二掺杂多晶硅膜；对第二掺杂多晶硅膜以及第一掺杂多晶硅膜进行第一刻蚀处理，去除部分第一掺杂多晶硅膜和部分第二掺杂多晶硅膜剩余第二掺杂多晶硅膜作为第二掺杂多晶硅层，剩余第一掺杂多晶硅膜作为第一掺杂多晶硅层。
半导体存储器件制造方法

[发明专利]一种多晶硅膜层的均匀性检测装置-CN201910002594.2在审
发明人：王琦 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明涉及显示器件检测领域，特别涉及一种多晶硅膜层的均匀性检测装置，用于检测待测显示面板上的多晶硅膜层的均匀性，上述多晶硅膜层的均匀性检测装置包括：用于自待测显示面板的多晶硅膜层一侧向待测显示面板发射垂直检测光的发射模块，多晶硅膜层在接收到发射模块发射的检测光后内部形成电场；与多晶硅膜层信号连接以检测所述多晶硅膜层中电场的电压的分析模块。上述检测装置能够对待测面板的多晶硅膜层的均匀性进行检测，从而能够防止显示面板出现显示不良的情况。
一种多晶硅膜层均匀检测装置

[发明专利]一种钝化背接触式太阳能电池的制作方法-CN202210259656.X在审
发明人：高嘉庆;屈小勇;郭永刚;吴翔;张博;杨爱静;张天杰;王永冈;李翔虹 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种钝化背接触式太阳能电池的制作方法，包括：在N型单晶硅基片的一侧面上依序层叠形成隧穿氧化层和N型多晶硅层；在N型多晶硅层上形成掩膜层，并刻除掩膜层的预设区域以及位于掩膜层的预设区域的正下方的N型多晶硅层，以形成开槽；在开槽内沉积形成本征多晶硅层，本征多晶硅层的厚度与N型多晶硅层相同；对本征多晶硅层的预设区域进行选择性硼掺杂形成P型多晶硅层，使P型多晶硅层与N型多晶硅层之间具有由本征多晶硅层构成的间隔区域；在P型多晶硅层和N型多晶硅层上分别形成接触电极。本发明解决了背接触式太阳能电池的制作过程中不容易形成型多晶硅层与N型多晶硅层之间的隔离区域的问题。
一种钝化接触太阳能电池制作方法

[发明专利]氮化硅膜层剥离过程中调控多晶硅膜层之膜厚的方法-CN201811216532.3有效
发明人：徐兴国;姜波;张凌越 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硅膜层剥离过程中调控多晶硅膜层之膜厚的方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并沉积底层耦合氧化物膜层、多晶硅膜层、氮化硅膜层；步骤S2：配制含有HNO3溶液的H3PO4溶液；步骤S3：将其浸入溶液；步骤S4：根据多晶硅膜层的蚀刻量，调控多晶硅膜层之膜厚和均匀度。本发明根据多晶硅膜层的刻蚀率要求进行溶液之质量配合比设置，依据多晶硅膜层之膜厚及刻蚀后目标厚度值进行浸入高度设置，以及根据多晶硅膜层的刻蚀量及前馈量测的多晶硅膜层之厚度设置工艺制程时间，以实现氮化硅膜层的剥离和准确的控制多晶硅膜层的膜厚及均匀度，不仅操作简单、实施方便，而且可以通过多晶硅膜层的厚度和均匀度控制极大的提升产品良率，值得业界推广应用。
氮化硅膜层剥离过程调控多晶方法

[发明专利]半导体器件栅极的制作方法-CN200810208080.4有效
发明人：居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件栅极的制作方法，在半导体衬底上生成栅氧化层之后，在所述栅氧化层上形成栅极多晶硅层，关键在于，形成栅极多晶硅层的方法包括：在所述栅氧化层上沉积第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行预掺杂；在所述预掺杂的第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层；在所述第二多晶硅层上形成图案化的掩膜层并刻蚀第一多晶硅层和第二多晶硅层；移除图案化的掩膜层。应用本发明避免了去除掩膜层过程中对预掺杂多晶硅层造成损伤，导致器件失效的问题。
半导体器件栅极制作方法

[发明专利]一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法-CN201811642707.7在审
发明人：徐冠群;包健;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法，包括以下步骤：A)在多晶硅膜层的表面沉积一层掩膜，然后在所述掩膜的表面复合一层指栅线图形的有机蜡，得到预处理的多晶硅膜层；B)将预处理的多晶膜层先浸入第一HF溶液中，蚀刻没有有机蜡保护区域的掩膜，再使用碱溶液将有机蜡清洗除去；C)将除去有机蜡的多晶硅膜层浸入制绒碱液中，蚀刻没有掩膜保护区域的多晶硅膜层，再使用第二HF溶液将掩膜清洗除去，得到具有指栅线图案的多晶硅膜层；D)将所述具有指栅线图案的多晶硅膜层依次进行钝化和丝网印刷。本发明利用掩膜和有机蜡实现选择性的多晶硅钝化技术，达到金属区域多晶硅保留，其他地方被刻蚀掉，而且实现了极低的吸光系数。
多晶硅膜层掩膜有机蜡钝化预处理蚀刻浸入保护区域栅线图案多晶硅再使用清洗表面沉积表面复合钝化技术金属区域丝网印刷吸光系数栅线图形多晶膜碱溶液碱液刻蚀制绒保留

[发明专利]提高自对准接触孔击穿电压的方法和多晶硅栅极结构-CN200710094393.7有效
发明人：迟玉山;吕煜坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高自对准接触孔击穿电压的方法，包括以下步骤：1.在硅衬底上的氧化层上依次淀积多晶硅、氧化膜和硬质掩膜层；2.从上往下依次刻蚀硬质掩膜层、氧化膜层和多晶硅，形成多晶硅栅极，并对多晶硅顶部顶角进行圆化；3.在多晶硅栅极的侧面生长氧化膜层；4.生长侧墙；5.刻蚀自对准接触孔。一种多晶硅栅极结构，包括自下往上依次为多晶硅层、氧化膜层和硬质掩膜层。本发明在硬质掩膜层和多晶硅层之间增加一层氧化物薄膜层作为多晶硅栅极结构，通过对多晶硅栅顶部顶角的圆化，在栅极顶部顶角处形成相对较厚的氧化膜和氮化膜，提高自对准接触孔的击穿电压性能。
提高对准接触击穿电压方法多晶栅极结构

[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管-CN201410524654.4有效
发明人：葛泳;刘玉成;朱涛;顾维杰 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括在基板的第一缓冲层上沉积第一非晶硅层，并对所述第一非晶硅层进行准分子激光退火，形成第一多晶硅膜层；在所述第一多晶硅膜层上沉积第二非晶硅层，并对所述第二非晶硅层进行准分子激光退火，形成第二多晶硅膜层。上述低温多晶硅薄膜及其制备方法，能够使多晶硅表面凸起高度降低，多晶硅晶粒分布更均匀，且在整个制备过程中不引入其它物质。
低温多晶薄膜及其制备方法薄膜晶体管

[发明专利]分裂栅结构的制造方法-CN201811231545.8在审
发明人：罗泽煌;张文文;许超奇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种分裂栅结构的制造方法，包括：在晶圆表面形成沟槽；向沟槽内填充多晶硅；以设计厚度在沟槽内的多晶硅表面形成掩膜层；定量刻蚀所述掩膜层，刻蚀掉的厚度至少为所述设计厚度，以使得表面为平面的多晶硅表面裸露、且多晶硅表面凹陷部的掩膜层因厚度大于所述设计厚度而残留并作为形貌调整掩膜；向下刻蚀沟槽内的多晶硅，直至所述形貌调整掩膜从多晶硅上脱离；将脱离的形貌调整掩膜移除，沟槽内的多晶硅作为分裂栅的底层多晶硅。本发明的形貌调整掩膜在刻蚀多晶硅的过程中作为刻蚀的阻挡结构，使得凹陷处多晶硅的刻蚀速度小于其他位置多晶硅的刻蚀速度，从而最终获得表面较为平坦的底层多晶硅。
分裂结构制造方法

[发明专利]改善沟槽型双层栅MOS中介质层形貌的方法-CN201610427909.4在审
发明人：陈晨 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善沟槽型双层栅MOS中介质层形貌的方法，其中：在沟槽内形成ONO结构的底部介质层；生长第一层多晶硅并反刻蚀形成源多晶硅；热氧化形成多晶硅间隔离氧化层；去除多晶硅间隔离氧化层上方的沟槽侧壁的第三氧化膜；去除多晶硅间隔离氧化层上方的沟槽侧壁的第二氮化膜，并进行过刻蚀使第二氮化膜顶部低于多晶硅间隔离氧化层顶部；在沟槽侧面、多晶硅间隔离氧化层表面以及多晶硅间隔离氧化层与第一氧化膜之间进行高密度等离子体氧化膜淀积，该氧化膜作为栅氧化层。本发明利用高密度等离子体淀积的氧化膜在第二氮化膜和后续形成的多晶硅栅之间形成隔绝，避免了第二氮化膜与多晶硅栅直接接触形成弱点导致栅极到源级的漏电偏大。
改善沟槽双层 mos 介质形貌方法

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