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[发明专利]基于开关器件中寄生电容变化率的优化方法及系统电路-CN202211737839.4在审
发明人：王涛;廖红伟;武志超;刘沁文;何宜祥;张玉晶;王忠模;王志宏;邹坤 -专利权人：北京脉创智恒新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种基于开关器件中寄生电容变化率的优化方法及系统电路，系统电路包括晶体管和与晶体管第一端和第二端分别连接的并联电容；该方法包括：获取晶体管中寄生电容变化率；获取寄生电容变化率的至少一个突变点；根据突变点设置并联电容的电容值。本发明实施例提供了一种基于开关器件中寄生电容变化率的优化方法及系统电路，通过获取晶体管中寄生电容变化率的突变点，精确调整并联电容的电容值以实现平滑寄生电容的突变点，减小因寄生电容突变产生的震荡及电压尖峰，从而避免因超出功率器件耐受能力而导致失效，对外系统或外部设备造成干扰等问题。
基于开关器件寄生电容变化优化方法系统电路

[发明专利]一种动态校准方法、设备及计算机可读存储介质-CN202011354229.7有效
发明人：张立振;杨宪昌;邓永庆 -专利权人：杨新芳
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态校准方法、设备及计算机可读存储介质，其中，该方法包括：识别到当检测到频段切换时，检测电容传感器内部的寄生电容值和天线寄生电容值；然后，比较所述寄生电容值和所述天线寄生电容值；当所述寄生电容值与所述天线寄生电容值相同时，将所述寄生电容值作为工作基准值；当所述寄生电容值与所述天线寄生电容值不同时，获取所述寄生电容值与所述天线寄生电容值的差值，并将所述寄生电容值与所述差值的和作为所述工作基准值。实现了一种当天线频率进行切换时，降低天线寄生电容对SAR传感器寄生电容的影响，以确保SAR传感器工作在正常状态。
一种动态校准方法设备计算机可读存储介质

[发明专利]电池包冷却液泄漏检测方法、电路及具有其的车辆-CN202210895385.7在审
发明人：李超 -专利权人：小米汽车科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01M3/40 文献下载
摘要：其中，该方法包括：对电池包的第一寄生电容和第二寄生电容分别进行充电；其中，第一寄生电容由电池包中的主正极与电池包壳体构成，第二寄生电容由电池包中的主负极与电池包壳体构成；检测第一寄生电容的充电时间和第二寄生电容的充电时间；根据第一寄生电容的充电时间和第二寄生电容的充电时间，检测电池包的冷却液是否发生泄漏。本公开通过对电池包的第一寄生电容和第二寄生电容分别进行充电，检测第一寄生电容和第二寄生电容的充电时间，确定电池包的冷却液是否发生泄漏，可在少量冷却液泄漏且未造成绝缘失效的情况下，准确检测电池包的冷却液泄漏情况
电池冷却液泄漏检测方法电路具有车辆

[发明专利]功率模块装置-CN201980037589.3在审
发明人：郑芸;熊谷隆;山本和也;侯虎翼 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：功率模块装置具备：功率模块(23)、配线导体(1)、散热器(11)、将模块底板(3)和散热器(11)绝缘的绝缘片(10)以及连接在配线导体(1)与模块底板(3)之间的具有静电电容或者寄生电容的构件。模块内绝缘片(2)的寄生电容(C1)与具有静电电容或者寄生电容的构件的静电电容或者寄生电容并联连接，模块内绝缘片(2)的寄生电容(C1)与绝缘片(10)的寄生电容(C2)串联连接，具有静电电容或者寄生电容的构件的静电电容或者寄生电容与绝缘片(10)的寄生电容(C2)串联连接。
功率模块装置

[发明专利]液晶显示面板及其像素结构-CN200810133913.5有效
发明人：萧嘉强;罗诚;郑景升;胡至仁 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：在显示区内，透明电极的第一侧与第一数据线部分重叠而形成第一寄生电容，透明电极的第二侧与第二数据线部分重叠而形成第二寄生电容，且第一寄生电容大于第二寄生电容；在非显示区内，透明电极的第一侧与第一数据线部分重叠而形成第三寄生电容，透明电极的第二侧与补偿导体图案重叠而形成第四寄电容，且第一寄生电容与第三寄生电容的总寄生电容与第二寄生电容与第四寄生电容的总寄生电容实质上相等。
液晶显示面板及其像素结构

[发明专利]具有与寄生电容值有关的信号传输路径的封装基板-CN201810824410.6在审
发明人：严柱日;林相俊;崔福奎 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：具有与寄生电容值有关的信号传输路径的封装基板。一种封装基板可包括具有第一寄生电容值的第一总信号路径以及具有不同于第一寄生电容值的第二寄生电容值的第二总信号路径。该封装基板可包括第一电容调节图案，该第一电容调节图案被设置在封装基板内并被配置为减小第一寄生电容值和第二寄生电容值之间的差异。
寄生电容封装基板信号传输路径电容调节信号路径图案减小配置

[发明专利]模数转换电路与电子装置-CN202010514815.7有效
发明人：许莱 -专利权人：高拓讯达（北京）科技有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种模数转换电路与电子装置，该模数转换电路具有电压正输入端、电压负输入端、参考电压端和接地端，还包括采样电容阵列、采样开关阵列、至少一个比较器、第一下极板开关、第二下极板开关、第一寄生电容和第二寄生电容，应用本方案的模数转换电路，在转换阶段完成以后，第一寄生电容的两端均接地端连接，第二寄生电容的两端均接地端连接，第一寄生电容上的电荷不会受到电压正输入端的电压的影响，第二寄生电容上的电荷不会受到电压负输入端的电压的影响，从而避免了第一寄生电容和第二寄生电容对模数转换电路转换结果的影响，即本方案的模数转换电路对寄生电容不敏感。
转换电路电子装置

[发明专利]一种半导体芯片寄生电容的测试方法及装置-CN202110027707.1有效
发明人：黄寓洋 -专利权人：苏州苏纳光电有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片寄生电容的测试方法及装置，所述方法包括：测试芯片的总电容，测试芯片内部的Pad寄生电容，测试芯片的有源区电容，根据总电容、Pad寄生电容和有源区电容，计算芯片的爬坡寄生电容。本发明可以有效地计算出芯片的爬坡寄生电容，从而可以对该电容进行具体调整，进而减小该电容对高速芯片带宽的影响。
一种半导体芯片寄生电容测试方法装置

[发明专利]高压电池储能系统共模干扰检测方法及系统-CN202310149315.1在审
发明人：苏家明;渠展展;陈浩;惠东;斯建东 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司;国网浙江省电力有限公司台州供电公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R31/385 文献下载
摘要：本发明属于储能系统领域，公开了一种高压电池储能系统共模干扰检测方法及系统，包括：获取高压电池储能系统内电池单元的正极对地等效寄生电容值以及负极对地等效寄生电容值；根据所述电池单元的正极对地等效寄生电容值以及负极对地等效寄生电容值，在电池单元的正极与接地线之间加装正极寄生电容，并检测正极寄生电容的电压值，得到电池单元的正极共模干扰电压实测值；在电池单元的负极与接地线之间加装负极寄生电容，并检测负极寄生电容的电压值，得到电池单元的负极共模干扰电压实测值采用寄生电容的电压值，量化电池单元的共模电压值，实现高压电池储能系统共模干扰的量化检测。
高压电池系统干扰检测方法

[发明专利]光伏板寄生电容的均压方法、装置及终端设备-CN202110453911.X在审
发明人：何宏伟;洪培在;吴佰桐 -专利权人：科华数据股份有限公司;漳州科华技术有限责任公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H02S40/34 文献下载
摘要：本发明适用于光伏技术领域，提供了一种光伏板寄生电容的均压方法、装置及终端设备，该方法应用于寄生电容均压电路，该电路包括第一开关、第二开关、第一电阻和第二电阻；该方法包括：获取光伏板第一输出端和地之间的第一寄生电容的电压数据、光伏板第二输出端和地之间的第二寄生电容的电压数据；将第一寄生电容的电压数据减去第二寄生电容的电压数据得到电压差值；根据电压差值控制第一开关和第二开关的开关状态，本申请通过在电容电压过大时向相应的电路中加入电阻以对电容快速放电，能够实现第一寄生电容和第二寄生电容的快速均压，延长电容使用寿命。
光伏板寄生电容方法装置终端设备

[发明专利]MOSFET驱动回路寄生电感的确定方法-CN202210544654.5在审
发明人：赵凤俭 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种MOSFET驱动回路寄生电感的确定方法，包括：提供MOSFET驱动回路的RLC二阶等效电路，所述RLC二阶等效电路包括电连接的驱动信号源、驱动电阻、驱动回路寄生电感以及所述MOSFET的栅源寄生电容、栅漏寄生电容和漏源寄生电容；使所述MOSFET的栅源寄生电容值、栅漏寄生电容值及漏源寄生电容值达到稳定值；将所述RLC二阶等效电路由过阻尼状态转变为欠阻尼状态，期间所述MOSFET不开通，并获得所述栅源寄生电容的端电压与时间的关系；基于所述栅源寄生电容的端电压与时间的关系，获得震荡周期及幅值，进而获得驱动回路寄生电感值。本申请技术方案在不对器件造成损害的情况下，解决了MOSFET驱动回路寄生电感难以获取的问题。
mosfet 驱动回路寄生电感确定方法

[发明专利]半导体测试结构-CN201911201825.9在审
发明人：钱仕兵 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体测试结构，用于在测试MOS器件的栅电容时作为栅电极的引出端与外部测试结构连接。所述半导体测试结构包括衬底，所述衬底上设有待测试的MOS器件；焊盘，用于连接外部测试结构；顶层金属层，与所述焊盘和待测试的MOS器件的栅电极均连接；底层金属层，所述底层金属层与所述衬底、焊盘和顶层金属层均不互连本发明的技术方案通过串联连接多个寄生电容的方法，减小了与栅电容并联连接的总寄生电容，从而降低了总寄生电容对栅电容测试结果的影响，获得了准确的栅电容测试结果。
半导体测试结构

[发明专利]一种触摸屏电容检测电路-CN202011566325.8有效
发明人：张瑛;周梦波;蒋文超;张靖宇 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：一种触摸屏电容检测电路，包括主放大单元和寄生电容校准回路，主放大单元将输入的电容量转化为电压量，寄生电容校准回路消除寄生电容带来的影响；检测电路的输入为待测电容Cx和寄生电容Cpar，待测电容Cx输入路中设有开关K1；其中，主放大单元包括运算放大器、并联在反相输入端和输出端之间的分路以及同相输入端的接地支路和参考电压输入支路；寄生电容校准回路包括依次相连的补偿电路、运算放大器、校准电路和比较器。本电容检测电路，通过增加的寄生电容校准回路能够完全消除输入端寄生电容的影响，即使输入端寄生电容随环境发生变化，也能准确测量输入端电容的变化量。
一种触摸屏电容检测电路

[发明专利]带通滤波器-CN200810107921.2有效
发明人：李宝男 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-05-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H03H5/02 文献下载
摘要：带通滤波器包括一输入端、一第一电感、一第一电容、一第一寄生电容、一第二电容、一第二电感、一第二寄生电容、一第三电感、一第三寄生电容以及一输出端。输入端、第一电感、第一电容、第二电容、第三电感以及输出端依序电性串联。第一寄生电容产生于第一电感以及第一电容与接地端之间。第二电感与第一电容、第二电容及接地端电性连接。第二寄生电容产生于第二电感、第一电容以及第二电容与接地端之间。第二寄生电容电性并联于第二电感。第三寄生电容产生于第三电感以及第二电容与接地端之间。
带通滤波器

[发明专利]一种晶圆的电容测试方法和测试装置-CN201711465714.X有效
发明人：王俊美;郝瑞庭;尹诗龙 -专利权人：北京华峰测控技术股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的电容测试方法和测试装置。测试方法包括获取对应晶圆第一测试位置处的误差寄生电容，误差寄生电容为电容测试设备中测试线路的寄生电容；获取第一测量电容；根据晶圆第一测试位置处的误差寄生电容和第一测量电容获取晶圆第一测试位置处的实际被测电容；更新晶圆第一测试位置处的误差寄生电容至晶圆第二测试位置处的误差寄生电容；获取第二测量电容；根据更新后的误差寄生电容和第二测量电容获取晶圆第二测试位置处的实际被测电容，直至获取晶圆的所有测试位置的实际被测电容通过本发明的技术方案，提高了晶圆各测试位置的实际电容的测试准确性。
一种电容测试方法装置

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