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[发明专利]外延设备-CN201810058600.1在审
发明人：李国强;林宗贤;吴龙江 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种外延设备，包括：工艺腔室；位于工艺腔室中的基台，所述基台用于固定晶圆并带动所述晶圆旋转；位置检测单元，所述位置检测单元用于检测基台上的放置的晶圆是否发生偏移，并获得晶圆在基台上的偏移位置；位于基台一侧的气体供应单元本发明的外延设备能在偏移晶圆的表面形成厚度均匀的膜层。
晶圆气体供应单元工艺腔室位置检测单元外延设备偏移基台供应工艺气体偏移位置膜层表面形成膜层表面形成厚度均匀检测

[发明专利]外延设备-CN201610278856.4在审
发明人：季文明;林志鑫;刘源;保罗·邦凡蒂 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延设备，包括反应腔体、位于反应腔体上部的盖板以及位于反应腔体下部的托盘，通过冷却水进出口在空心中通入冷却水，用于在生长外延层的过程中降低整个反应腔室的温度，防止外延设备各部件长时间承受高温，从而能够一次生长相对较厚的外延层，并且不影响外延设备的性能及机台产能；使用射频加热线圈代替现有技术中的加热灯管，并将射频加热线圈设置为空心，在其中通入冷却水，以防止射频加热线圈的温度过高；将腔室盖板的一部分设置为透明材质
外延设备

[发明专利]外延设备-CN202011453551.5有效
发明人：赵万辉 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种外延设备。外延设备包括基座环、上顶盖和下顶盖；基座环包括相背的第一面和第二面，上顶盖和下顶盖分别与第一面和第二面密封连接，上顶盖与下顶盖形成封闭空间，封闭空间中设置有基座，基座用于放置基片；基座环上设置有进气口和出气口
外延设备

[实用新型]外延设备-CN201020643268.4无效
发明人：吕秀正;李尚文;梁文进 -专利权人：拓志光机电股份有限公司
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：一种外延设备，包括一壳体、贯穿壳体中央位置的中央轴、流体管模块、公转轴套、复数承盘、外齿环、复数行星齿轮及马达。
外延设备

[外观设计]外延设备-CN202230240881.X有效
发明人：胡志坤;胡凡;巴赛;陈国钦;袁祖浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：外延设备。2.本外观设计产品的用途：用于碳化硅外延生长的设备。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
外延设备

[外观设计]外延设备-CN202130881064.8有效
发明人：杨永雷;燕春;杨进 -专利权人：江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：外延设备。2.本外观设计产品的用途：用于化学气相外延设备淀积硅衬底上的外延层。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
外延设备

[发明专利]外延基座及外延设备-CN201810903652.4在审
发明人：董晨华;林志鑫;季文明;牛景豪 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明提供一种外延基座，包括基座主体、环形基座外沿及多个凸块；基座主体包括用于放置待处理的晶圆的基座载台及环绕基座载台外围的环形侧壁，基座载台与环形侧壁相连接；环形基座外沿位于环形侧壁上，环形基座外沿自基座主体向远离基座主体的方向延伸本发明的外延基座，能够实现（110）晶面上的外延沉积速率相应降低，从而使晶圆边缘整体的外延生长速度趋于相同，因而在本发明的外延基座中进行外延沉积的晶圆的ESFQR相对于在传统外延基座中沉积的晶圆有极大改善采用本发明的外延设备，能有效提高外延层厚度均匀性，提高生产良率。
环形基座外延基座外沿基座主体环形侧壁晶圆载台外延沉积外延设备凸块均匀间隔排布厚度均匀性方向延伸晶圆边缘外延生长上表面外延层良率沉积环绕外围生产

[实用新型]外延基座及外延设备-CN202220841965.3有效
发明人：曹共柏;潘帅;俞登永;张斌 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种外延基座及外延设备，外延基座的第一面设置有用于装载晶圆的承载槽，承载槽的底壁包括第一接触部以及环绕第一接触部的第二接触部，第一接触部相对晶圆内凹于第二接触部，且第一接触部在执行外延工艺时与晶圆接触；第一接触部上设置有多个呈环状分布的第一凸点或第一凹坑，和/或，外延基座的第二面上设置有多个呈环状分布的第二凸点或第二凹坑。在本实用新型中，通过在外延基座的第一面设置第一凸点或第一凹坑，和/或在第二面设置第二凸点或第二凹坑，利用第一凸点及第二凹坑以提高晶圆对应区域的温度，或者利用第一凹坑及第二凸点以降低晶圆对应区域的温度，从而提高外延工艺时外延层的厚度及电阻率的均匀性
外延基座设备

[实用新型]外延设备加热装置及外延设备-CN202222125648.4有效
发明人：张永杰;马彪;王杨;谭友强;宋海峰 -专利权人：中芯南方集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种外延设备加热装置及外延设备，其中外延设备加热装置包括：外罩，外罩内具有罩腔；固定于罩腔内的支撑柱；绕卷于支撑柱上的加热丝。
外延设备加热装置

[发明专利]外延设备的测温装置以及外延设备-CN202010065733.9有效
发明人：夏振军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开一种外延设备的测温装置以及外延设备，用于测量外延设备反应腔室中校温托盘的温度，测温装置包括：温度传感器，其可选择性地插设于校温托盘内，用于检测校温托盘的温度；驱动机构，用于驱动温度传感器沿校温托盘的径向移动
外延设备测温装置以及

[发明专利]用于外延设备的支撑组件及外延设备-CN202211250724.2在审
发明人：曹共柏;潘帅 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于外延设备的支撑组件及外延设备，所述支撑组件包括：基座，所述基座用于承载晶圆；支撑件，所述支撑件包括支撑轴和多个连接杆，所述连接杆的第一端连接于所述基座远离所述晶圆的一侧，所述连接杆的第二端连接于所述支撑轴根据本申请的用于外延设备的支撑组件及外延设备，能够改变基座的温度分布，提升外延层的厚度均匀性和电阻率均匀性。
用于外延设备支撑组件

[发明专利]用于外延设备的基座以及外延生长设备-CN202010067413.7有效
发明人：盛方毓 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开一种用于外延设备的基座以及外延生长设备，基座为圆盘状，在基座的上表面开设有凹槽，凹槽包括凹槽底面和凹槽侧壁；基座上开设有多个自基座的底面向上延伸至凹槽侧壁上的气道；气道的进气口开设在基座的底面上
用于外延设备基座以及生长

[发明专利]外延生长设备-CN201510988437.5在审
发明人：黄小辉;杨斌;滕龙;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技股份有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，包括：反应室、控制装置、测量装置；其中，控制装置分别与测量装置和反应室连接；待生长外延片设置在反应室内部的生长载体上；测量装置设置在反应室的窗口的上方；测量装置，用于实时测量待生长外延片的当前量子阱层的温度和波长，并将当前量子阱层的温度和波长发送给控制装置；控制装置，用于控制反应室生长待生长外延片，并根据当前量子阱层的温度和波长，以及预设反应参数，调整反应室在生长待生长外延片的下一量子阱层时的温度；预设反应参数包括待生长外延片的目标波长本发明提供的外延生长设备，能够提高外延片的成品率。
外延生长设备

[发明专利]外延生长设备-CN201610353583.5在审
发明人：刘源;保罗·邦凡蒂 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，所述外延生长设备包括一反应室，所述反应室的内表面设有反射层，所述反射层上设有保护层。本发明提供的外延生长设备，通过在反应室内表面的反射层上设置保护层，从而延缓所述反射层的表面在高温下的形变，因此延长了所述反射层的使用寿命，降低了生产成本，提高了生产效率。
外延生长设备

[发明专利]外延生长设备-CN201210444086.8有效
发明人：董志清 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备，其包括反应腔室和加热单元，其中，反应腔室的腔室侧壁采用石英制作；加热单元围绕在腔室侧壁的外侧，并透过腔室侧壁朝向反应腔室的内部辐射热量。
外延生长设备

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