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[发明专利]LED外延层结构生长方法及所得外延层结构和LED芯片-CN201510502776.8有效
发明人：郭嘉杰;苏军;徐迪 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供了LED外延层结构生长方法及所得外延层结构和LED芯片，其中LED外延层结构的生长方法，包括生长P型AlGaN层和设置于P型AlGaN层顶面上的第一P型GaN层的步骤，还包括在P型AlGaN层和第一P型GaN层之间生长遮蔽层的步骤，遮蔽层为P型AlGaN/InGaN超晶格结构；生长P型AlGaN层时生长温度为750～800℃，Al掺杂浓度为1.8E+20～2.2E+20atom/cm3，Mg掺杂浓度为1E+20～2E+20atom/cm3；生长P型AlGaN/InGaN超晶格结构时生长温度为850～900℃，Mg掺杂浓度为2E+20～3E+20atom/cm3。本发明提供的LED外延层结构中将P型AlGaN/InGaN超晶格结构插入P型AlGaN层和P型GaN层之间，一方面既阻挡了来自量子阱区的大量位错缺陷，防止这些位错缺陷与P型GaN层之间形成漏电通道，同时增强阻挡电子从多量子阱区外溢的能力
led 外延结构生长方法所得芯片

[发明专利]外延结构的减薄方法-CN201810933827.6有效
发明人：范谦;倪贤锋;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构的减薄方法，包括：提供一待减薄的外延结构，所示外延结构包括第一外延层、第二外延层和位于所述第一外延层与第二外延层之间的刻蚀阻挡层；以第一刻蚀速率对所述第二外延层进行刻蚀，直至第二外延层达到预定厚度；以第二刻蚀速率对所述第二外延层进行刻蚀，去除剩余的第二外延层；对所述刻蚀阻挡层进行研磨，去除所述刻蚀阻挡层，暴露出第一外延层。本发明所提出的外延结构的减薄方法，在外延结构中插入刻蚀阻挡层，分段对刻蚀阻挡层和外延层进行减薄，使剩余的外延层厚度具有较好的均匀性。
外延结构方法

[实用新型]外延结构以及半导体器件-CN202223476195.6有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延结构以及半导体器件，外延结构包括依次层叠的衬底、AlN缓冲层、AlGaN插入层、AlInN插入层以及AlN外延层。上述外延结构通过在AlN外延层前设置缓冲层以及插入层与衬底之间进行过渡，避免影响AlN外延层表面的粗糙度，获得AlN外延层表面更为平整的外延结构。
外延结构以及半导体器件

[发明专利]外延结构及其形成方法-CN202211249958.5在审
发明人：方信乔;王信介;赖彦霖 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构及外延结构形成方法，外延结构包括第一外延层、第二外延层及界面处理层。第一外延层为欧姆接触层。第二外延层配置于第一外延层上，且为含磷化合物层，其中第二外延层的材质相异于第一外延层的材质。界面处理层接触第一外延层与第二外延层，且位于第一外延层与第二外延层之间。界面处理层与第一外延层的透射电子显微镜的图像亮度对比值及界面处理层与第二外延层的透射电子显微镜的图像亮度对比值均大于1.005。
外延结构及其形成方法

[发明专利]发光面板及其制作方法-CN202310734148.7有效
发明人：陈良键;张羽;岳大川;蔡世星;林立;李小磊;伍德民 -专利权人：季华实验室;深圳市奥视微科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光面板及其制作方法，能够释放GaN外延层应力，降低外延层翘曲度，提升发光效率。该发光面板包括衬底、N型GaN外延层、发光外延层、第一楔形结构、第二楔形结构、P电极和N电极；所述N型GaN外延层和所述发光外延层形成于所述衬底上，所述第一楔形结构贯穿所述发光外延层和所述N型GaN外延层，所述第二楔形结构贯穿所述发光外延层和部分所述N型GaN外延层；所述P电极位于所述发光外延层上，所述N电极覆盖所述第一楔形结构和所述第二楔形结构。
发光面板及其制作方法

[发明专利]一种发光器件、显示面板及电子设备-CN202210179597.5在审
发明人：梁轩;王飞;王明星;王灿;董学;杨明坤;齐琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种发光器件、显示面板及电子设备，发光器件至少包括：第一外延结构、第二外延结构，第一外延结构和第二外延结构能够发出不同波段的光；第一外延结构和第二外延结构沿第一方向依次设置，每个外延结构均包括：N型半导体层、P型半导体层、多量子阱层；第一外延结构和第二外延结构之间设置有导电键合层，包括：第一导电材料层和第二导电材料层，第一导电材料层还与第一外延结构的N型半导体层连接，第二导电材料层还与第二外延结构的P型半导体层连接；第二导电材料层的表面面积小于或等于第一导电材料层的表面面积；第二导电材料层的表面面积与第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2‑1。
一种发光器件显示面板电子设备

[发明专利]一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件-CN202210864713.7在审
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件。AlGaN外延结构包括：衬底；GaN外延复合层，位于所述衬底上，所述GaN外延复合层包括GaN外延工艺层和SiNx插入层，所述GaN外延复合层的至少一部分为交替层叠的GaN外延工艺层和SiNx插入层；AlGaN外延复合层，位于所述GaN外延复合层上，所述AlGaN外延复合层包括AlGaN外延工艺层和MgNy插入层，所述AlGaN外延复合层的至少一部分为交替层叠的AlGaN外延工艺层和MgNy插入层；AlGaN外延层，位于所述AlGaN外延复合层上采用上述结构可以实现GaN外延复合层和AlGaN外延复合层的晶体匹配，为AlGaN外延层提供高质量低应力的生长模板，能够获得低表面缺陷的高晶体质量AlGaN外延层。
一种 algan 外延结构及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法-CN202310060677.3在审
发明人：郝茂盛;袁根如;陈朋;马后永 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法，该方法包括：提供一复合衬底，其中，复合衬底包括第一衬底以及形成在第一衬底上的图形化层，图形化层包括周期性排布的若干第一结构；生长第一外延层，第一外延层形成于周期性排布的若干第一结构之间的间隙中，且填满间隙；生长第二外延层，第二外延层形成于第一外延层上，且控制第二外延层的纵向生长速率，以使得第二外延层具有若干生长顶峰；且控制第二外延层的横向生长速率，以使得第二外延层相邻的生长顶峰之间形成横向闭合低谷；且横向闭合低谷的高度低于生长顶峰；按照第二外延层的形状，在第二外延层的表面依次生长N型外延层、发光层、P型外延层。
一种平面结构外延及其芯片制备方法

[发明专利]一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构-CN201410551438.9有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;蔡建九;白继锋;刘碧霞 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本发明可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
一种衬底重复利用大功率发光二极管外延结构

[发明专利]用于生长半导体超薄外延结构的一种外延层-CN201910643463.2有效
发明人：游正璋;马后永;李起鸣 -专利权人：上海显耀显示科技有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于生长半导体超薄外延结构的一种外延层，外延层从下往上依次包括第一外延层、第二外延层，位于第一外延层与第二外延层之间的电子流扩散层；第一外延层、第二外延层和电子流扩散层的导电类型相同。本发明的外延层能够有效减小外延层表面的应力，为后续材料层的生长提供了良好的生长界面，从而提高超薄外延结构的质量和最终所制备的器件的性能。
用于生长半导体超薄外延结构一种

[发明专利]III-V族氮化物半导体外延结构、包含该外延结构的器件及其制备方法-CN201510288334.8在审
发明人：郝茂盛;袁根如 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种III-V族氮化物半导体外延结构，其包括：(1)衬底；(2)外延缓冲层，其具有上表面及与所述衬底接触的下表面；(3)外延过渡层，其中所述外延过渡层覆盖外延缓冲层，并且该两层界面处具有微观空洞结构，所述微观空洞周期性或非周期性排列，以使两层的界面处仅部分相连，相连的部分和空洞部分在界面处间隔出现，所述外延过渡层具有平整的上表面；(4)外延有效层，位于所述外延过渡层的上表面上，所述外延有效层自下而上含有n型外延层、发光层与p型外延层。本发明还提供该外延结构的制造方法、包含该外延结构的器件及其制造方法。
iii 氮化物半导体外延结构包含器件及其制备方法

[发明专利]外延片及其制备方法、发光器件及显示装置-CN202110831374.8在审
发明人：蔡明达;张杨;陈靖中 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种外延片及其制备方法、发光器件及显示装置，外延片包括基底和外延叠层，外延叠层设置于基底上，外延叠层包括沿平行于基底延伸方向上依次层叠的第一外延结构、导电胶层和第二外延结构；第一外延结构和第二外延结构通过导电胶层粘接固定；第一外延结构包括第一N型半导体层、第一有源层和第一P型半导体层；第二外延结构包括第二N型半导体层、第二有源层和第二P型半导体层。也即，外延叠层包括两个外延结构，则有两个有源层辐射光线，因此光线密度明显增加；另外，TM模式的偏振光传播方向垂直于正出光面，则光很容易被提取出来，由此可以提高光提取率，从而增加出光效率，发光效率明显提升
外延及其制备方法发光器件显示装置

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201210396316.8有效
发明人：贾璐;黄锦才 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括提供半导体基底，半导体基底表面形成有第一外延层；在第一外延层内形成标识结构；以标识结构为基准，在第一外延层内形成掺杂层；在第一外延层表面形成外延层，第二外延层内形成有标识结构，且与第一外延层内标识结构的位置相对应；以标识结构为基准，在第二外延层内形成掺杂层；其中，所述外延层形成时的工艺温度为900℃‑1200℃；和/或，所述外延层形成时的工艺压强为20Torr‑40Torr利用本发明所提供的方法，能够保证各层外延层内形成的掺杂层在竖直方向上严格对齐，从而避免由于各层外延层内所形成的掺杂层在竖直方向上发生错位，而给半导体器件的击穿电压所带来的影响，提高半导体器件的性能。
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]外延结构及其形成方法-CN202211249960.2在审
发明人：方信乔;王信介;赖彦霖 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构及其形成方法。外延结构包括第一外延层、第二外延层及界面处理层。第二外延层配置于第一外延层上。界面处理层位于第一外延层及第二外延层之间。界面处理层与第一外延层和第二外延层接触。第一外延层、第二外延层和界面处理层包含相同材质。界面处理层与第一外延层的透射电子显微镜的图像亮度对比值及界面处理层与第二外延层的透射电子显微镜图像亮度对比值均大于1.005。
外延结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910196119.3在审
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底上具有伪栅极结构；在伪栅极结构两侧的衬底内形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口之间的衬底形成沟道区；在伪栅极结构和沟道区的侧壁形成第一侧墙；形成第一侧墙后，在第一开口底部表面形成第一外延层，在第二开口底部表面形成第二外延层；形成第一外延层和第二外延层后，去除第一侧墙，在伪栅极结构和第一外延层之间形成第三开口，在伪栅极结构和第二外延层之间形成第四开口；在第一外延层上和第三开口内形成第三外延层，第三外延层离子浓度小于第一外延层离子浓度；在第二外延层上和第四开口内形成第四外延层，第四外延层离子浓度小于第二外延层离子浓度。形成的结构提升了性能。
半导体结构及其形成方法

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