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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]快闪存储器的制造方法-CN201010292464.6有效
  • 杨芸 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-09-19 - 2012-04-11 - H01L21/8247
  • 本发明提供了一种快闪存储器的制造方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括存储单元阵列区以及外围电路区，所述存储单元阵列区以及外围电路区分别具有栅极结构；在存储单元阵列区以及外围电路区的栅极结构表面形成绝缘侧壁；仅在所述外围电路区的绝缘侧壁表面形成牺牲侧壁，然后进行离子掺杂工艺，以形成外围电路区的有源区。本发明通过在外围电路区的绝缘侧壁表面形成牺牲侧壁，以解决外围电路区进行离子掺杂工艺时对器件耐压性的需求，从而扩大了形成绝缘侧壁的工艺窗口，提高产品良率。
  • 闪存制造方法
  • [发明专利]平面单元存储元件的硅化物膜制造方法-CN02154746.7无效
  • 韩昌勋 - 东部电子株式会社
  • 2002-09-05 - 2003-06-11 - H01L21/822
  • 平面单元阵列区硅基片中形成字线和位扩散层、外围电路区硅基片中形成字线和源/漏结,仅除外围电路区之外平面单元阵列区字线间填平间隙填充(Gapfill)绝缘膜,在整个基片形成绝缘膜,干法蚀刻绝缘膜直至露出字线表面和外围电路区基片表面,在外围电路区字线侧壁形成衬垫,平面单元阵列区字线上部形成硅化物膜同时,外围电路区字线上部及基片表面形成硅化物膜。在整个基片形成字线,采用硅化物防护膜保护平面单元阵列区中除字线之外激活区同时,使全部字线上部和外围电路区激活区露出,进行硅化物工序,可降低字线布线电阻,还可降低外围电路区的源/漏接触电阻,提高高集成度平面单元元件速度
  • 平面单元存储元件硅化物膜制造方法
  • [发明专利]一种图像传感器-CN202110708515.7在审
  • 郑展;陈林;付文 - 格科微电子（上海）有限公司
  • 2021-06-25 - 2022-12-27 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器，包括半导体衬底，其包括像素区和外围电路区；所述像素区与外围电路区之间存在至少部分隔离结构，用于隔离所述外围电路区的器件产生的光、热和/或电子扩散，以降低对所述像素区的影响；所述隔离结构包括至少一个硅通孔和本发明通过硅通孔、硅沟槽结构的不同排布隔离外围电路区的器件产生的光、热和/或电子扩散，有效降低外围电路区的器件对像素区的影响。
  • 一种图像传感器
  • [发明专利]堆叠芯片封装-CN202111200531.1在审
  • 李大虎;赵泰济 - 三星电子株式会社
  • 2021-10-14 - 2022-05-13 - H01L25/065
  • 所述第一芯片可以包括第一单元阵列区、包括第一核心端子的第一核心电路区、以及包括多个第一外围电路端子的第一外围电路区。所述第二芯片可以包括：第二单元阵列区，在所述第一单元阵列区上；第二核心电路区，在所述第一核心电路区上并包括第二核心端子；以及贯通孔，在所述第一外围电路区上并连接到所述多个第一外围电路端子中的至少一个第一外围电路端子
  • 堆叠芯片封装
  • [发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201110291627.3无效
  • 洪韺玉 - 海力士半导体有限公司
  • 2011-09-30 - 2012-07-11 - H01L21/8247
  • 本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：提供具有单元区和外围电路区的衬底，所述单元区要形成垂直层叠的多个存储器单元，所述外围电路区要形成外围电路器件。在单元区和外围电路区的衬底之上形成交替层叠有层间电介质层和栅电极层的栅结构。通过选择性地刻蚀单元区的栅结构来形成沿着一个方向隔离栅电极层的第一沟槽，以及通过与外围电路区的接触形成区相对应地选择性地刻蚀栅结构来形成沟槽。
  • 非易失性存储器及其制造方法
  • [发明专利]SRAM设备及其3D半导体集成电路-CN202310395342.7在审
  • 唐昊莹;金兑衡;文大英;白尚叶;徐东旭 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-13 - 2023-10-20 - G11C5/06
  • 提供了一种三维(3D)半导体集成电路和静态随机存取存储器(SRAM)设备。三维(3D)半导体集成电路包括：第一管芯，包括电源电路；第二管芯，包括具有贯通硅通路(TSV)束区的SRAM；第三管芯，包括处理器；以及TSV，每个TSV提供在TSV束区上并从TSV束区延伸到第三管芯。该SRAM设备包括：具有存储体的存储体阵列，每个存储体包括子比特单元阵列和在子比特单元阵列之间布置成十字(+)形的局部外围电路区；以及全局外围电路区，包括在第一方向上延伸的尾部外围电路区和在第二方向上延伸的头部外围电路区，尾部外围电路区和头部外围电路区布置成“T”形。
  • sram设备及其半导体集成电路
  • [发明专利]半导体器件-CN202110798174.7在审
  • 金永官;权赫准;全在范 - 三星电子株式会社
  • 2021-07-14 - 2022-02-25 - H01L27/11519
  • 所述半导体存储元件包括：衬底，包括存储单元区和外围电路区；有源区，位于所述存储单元区中；栅图案，掩埋在所述有源区中；导线，设置在所述栅图案上；第一区，包括设置在所述外围电路区中的多个外围元件；虚设图案，掩埋在所述外围电路区中；以及第二区，包括所述虚设图案并且不与所述第一区重叠。
  • 半导体器件
  • [发明专利]一种非易失存储器结构及其制作方法-CN201610704806.8有效
  • 李妍;辻直樹;陈广龙 - 上海华力微电子有限公司
  • 2016-08-22 - 2019-01-18 - H01L27/11517
  • 本发明公开了一种非易失存储器结构及其制作方法，包括建立在同一半导体基底上的存储区和外围电路区，外围电路区上从下往上依次覆盖有第一、第二层间介质，存储区上覆盖有第二层间介质，存储区的第二层间介质与外围电路区的第二层间介质相连，并且其上表面相平齐；本发明通过使器件存储区和外围电路区具备不同的层间介质结构，保证层间介质在具有较高填充深宽比的存储区做到无空洞填充，同时又不会损伤外围电路区的隧穿氧化层，可兼顾存储区层间介质的无空洞填充和外围电路区隧穿氧化层的可靠性
  • 一种非易失存储器结构及其制作方法
  • [发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201110265429.X有效
  • 安正烈 - 海力士半导体有限公司
  • 2011-09-08 - 2012-07-11 - H01L21/8247
  • 本发明公开了一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包括要形成多个存储器单元的单元区以及要形成多个外围电路器件的外围电路区；形成垂直于单元区的衬底而层叠的存储器单元；以及在存储器单元之上形成用于形成选择晶体管的栅电极的第一导电层，并在外围电路区中形成所述第一导电层，其中，外围电路区中的所述第一导电层起到作为外围电路器件中的至少一个外围电路器件的电阻体的作用。
  • 非易失性存储器及其制造方法
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