专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具备竿体的钓具-CN201911076951.6在审
  • 菅沼信广;谷川尚太郎 - 株式会社岛野
  • 2019-11-06 - 2020-05-12 - A01K87/00
  • 本发明提供一种将多节竿体可伸缩地连结的振出式钓具,前侧竿体(1)在后部的面具有由成形带形成的带痕的阶差部朝向前侧的前带痕区域(12),后侧竿体(2)在前部的面具有由成形带形成的带痕的阶差部朝向后侧的后带痕区域,梢尖竿在后部的面具有前带痕区域,尾竿在前部的面具有后带痕区域,第二节竿和第三节竿分别在前部的面具有后带痕区域,并且在后部的面具有前带痕区域
  • 具备钓具
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202210605403.3在审
  • 广泽俊一郎 - 株式会社迪思科
  • 2022-05-31 - 2022-12-06 - H01L21/304
  • 本发明提供晶片的加工方法,能够抑制贴合晶片的围绕着器件区域剩余区域的部分脱离时带来的不良影响。晶片的加工方法包含如下的步骤:将周缘进行了倒角的第一晶片的具有器件区域剩余区域的一个面贴合于第二晶片的一个面而形成贴合晶片;将激光束沿着第一晶片的周缘进行照射而形成环状的改质区域,将第一晶片断开成环状部和中央区域;对第一晶片的另一个面粘贴扩展带;通过对扩展带进行扩展,以改质区域为起点而将第一晶片分割成环状部和中央区域,并使环状部从贴合晶片脱离;以及将第一晶片从另一个面侧进行磨削而薄化至完工厚度。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]陶瓷加热器-CN201980049967.X有效
  • 高桥朋大;梶原升 - 日本碍子株式会社
  • 2019-12-12 - 2022-10-28 - H05B3/74
  • 陶瓷加热器(10)具备内置有侧电阻发热体(24)的陶瓷板(20)、以及利用前端的测温部(50a)测定区域(Z2)的温度的侧热电偶(50)。侧电阻发热体(24)从设置于陶瓷板(20)的中央部的一对端子(24a、24b)的一方伸出至圆环状的区域(Z2),在外区域(Z2)中在多个折回部(24c)折回并布线之后,到达一对端子(24a测温部(50a)配置于区域(Z2)中除了侧电阻发热体(24)的折回部(24c)彼此相对的部分(25)以外的位置。
  • 陶瓷加热器
  • [发明专利]区域加热器-CN201980020212.7有效
  • 海野丰;近藤畅之 - 日本碍子株式会社
  • 2019-03-06 - 2022-08-26 - H05B3/74
  • 区域加热器10具备区域加热器40、以及第1和第2线材部41、42。区域加热器40是在与中央部区域加热器30同一平面上设置于陶瓷基体30的部20b,且在外区域20b内,按照一笔画的要领遍及区域20b的整个区域而从一个端部40a配线至另一个端部40b的线圈第1线材部41从第1端子43起穿过中央部20a而连接至区域加热器40的一个端部40a,俯视时的形状为曲折的形状。第2线材部42从第2端子44起穿过中央部20a而连接至区域加热器40的另一个端部40b,俯视时的形状为曲折的形状。
  • 区域加热器
  • [发明专利]热电组件-CN200880117167.9有效
  • 小西明夫 - KELK株式会社
  • 2008-11-14 - 2010-10-20 - H01L35/32
  • 热电元件不配置在基板的对置面中的中央区域,而以密状态配置在除了中央区域区域、即包围中央区域的周边区域区域。在对置面的中央配置有热电元件的情况与在对置面的除了中央区域区域配置有热电元件的情况进行比较,与前者相比,后者成为弯曲的基点的热电元件位于更靠外侧,即,弯曲的基点与基板的的距离变短。弯曲的基点与基板的的距离越短,在基板的产生的弯曲的位移量及力越小。并且,通过将热电元件密配置,使由基板的弯曲而产生的拉伸每一个热电元件的力变小。如此,通过降低在基板的产生的弯曲的位移量及力来防止基板的弯曲引起的热电元件的损伤。
  • 热电组件
  • [发明专利]碳化硅半导体装置-CN201680089391.6有效
  • 折附泰典;樽井阳一郎 - 三菱电机株式会社
  • 2016-09-23 - 2022-07-29 - H01L29/78
  • 本发明涉及碳化硅半导体装置,该碳化硅半导体装置具备:第2导电型的第3杂质区域,其配置于区域,该区域为配置单位单元的单元配置区域;场绝缘膜,其配置于区域,比栅极绝缘膜厚;层间绝缘膜,其配置于场绝缘膜、栅极电极及栅极绝缘膜之上;第1主电极,其配置于层间绝缘膜之上;以及栅极配线及栅极焊盘,它们经由配置于场绝缘膜之上的栅极电极而彼此电连接,第3杂质区域具有选择性地设置于其上层部并与第3杂质区域相比杂质浓度高的第2导电型的第4杂质区域,栅极配线及栅极焊盘设置于区域,第4杂质区域与单元配置区域相邻地设置,并且该第4杂质区域以至少将栅极焊盘的下方的区域包围的方式设置,与第1主电极电连接。
  • 碳化硅半导体装置
  • [发明专利]检查装置-CN201980029439.8在审
  • 菅田贵志;儿玉亮二 - 纳米系统解决方案株式会社
  • 2019-04-23 - 2021-01-26 - G01N21/956
  • 检查装置(100)具备:对作为对象的晶片(WA)的区域(AP)进行照明的照明部(11、111)、对晶片(WA)的区域(AP)进行拍摄的拍摄部,照明部(11、111)具有圆弧照明部(11a、111a),所述圆弧照明部沿着圆周(CI)的部分区域配置而对基准轴(SA)上的既定区域(A1)进行照明,所述圆周(CI)以基准轴(SA)为中心,圆弧照明部(11a、111a)的基准轴(SA)沿与晶片(WA)的部(UA)延伸的切线方向相交的方向延伸。
  • 检查装置

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