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[发明专利]薄膜结构及薄膜结构制作方法-CN202111370693.X在审
发明人：陈发祥;郭恩卿;邢汝博;李俊峰 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供的薄膜结构及薄膜结构制作方法，涉及显示技术领域。采用不同金属氧化层作为有源层的第一金属氧化物薄膜晶体管与第二金属氧化物薄膜晶体管具有不同的次临界斜率值，可以用于电流驱动发光元件的像素驱动电路中以满足不同功能薄膜晶体管对次临界斜率值的要求。采用同种类型的薄膜晶体管制作薄膜结构相对于采用不同种类型的薄膜晶体管制作薄膜结构，可以简化制作工艺流程，降低制作成本。另外，上述薄膜结构相对于非晶硅薄膜晶体管组成的薄膜结构的功耗更低，且相对于低温多晶硅薄膜晶体管组成的薄膜结构具有更优的均一性。
薄膜结构制作方法

[发明专利]薄膜结构制造方法-CN201811587210.X在审
发明人：欧阳亚元 -专利权人：世洋科技股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01H13/14 文献下载
摘要：本申请涉及薄膜结构制造方法。本发明揭露一种制造键盘装置的按键的键帽的方法，该方法包括：提供面料层及设置于面料层下方的塑形薄膜；塑形该塑形薄膜及面料层以形成具有薄膜结构下表面的薄膜结构；以及提供具有上表面的键帽本体，其中上表面的轮廓符合薄膜结构下表面的轮廓在本发明中，以塑料射出或黏合技术将薄膜结构及键帽本体一同成形为键帽、再加工为按键并以激光雕刻在薄膜结构上表面形成符号，用户可察知光线通过符号而穿透薄膜结构或按键，并识别该按键的符号。
薄膜结构制造方法

[发明专利]一种复合薄膜-CN201810653476.3在审
发明人：王旭;褚繁;钱娟 -专利权人：无锡众创未来科技应用有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明的具有低温制备、高导电性、高透光性的薄型化复合薄膜结构，设置于光电元件的基材及至少一个金属电极之间，其特征在于：该薄膜结构具有第一透明层、导电层及第二透明层。该第一透明层为半导体透明导电薄膜，沉积在该基材的一侧面；该导电层为纳米级的导电薄膜，沉积在该第一透明层的一侧面，第二透明层为氧化物透明导电薄膜，沉积在该导电层的一侧面。
透明层导电层沉积侧面基材氧化物透明导电薄膜复合薄膜结构透明导电薄膜薄膜结构导电薄膜低温制备复合薄膜高导电性高透光性光电元件金属电极薄型化纳米级半导体

[实用新型]激光标记薄膜-CN201220244048.3有效
发明人：刁锐敏 -专利权人：绵阳龙华薄膜有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： B41M5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种激光标记薄膜，所述激光标记薄膜由复合薄膜结构层构成，所述复合薄膜结构层至少包括激光标记层。本实用新型的一个或多个实施方式提供的一种激光标记薄膜，可永久性标记形成高清晰度和对比度的文本和图案，起到安全防伪功能作用，同时可提供优良的光遮蔽性及热复合成型性，满足不同材料之间的热复合粘结成型需要；另一方面由于其提供的良好光遮蔽性能，可对内部组成结构起到很好的遮蔽保护作用，而进一步提升了安全性能，使其能更广泛应用于政府保密文件、身份证、护照中的数据信息页、ID卡、信用卡、保险卡、驾照及各种标识卡等，以及其它需求安全防伪功能的场合。
激光标记薄膜

[发明专利]一种易于开启的新型外包装BOPP复合薄膜结构及其应用-CN202211259297.4在审
发明人：高伟;刘利峰;祁熠 -专利权人：苏州昆岭薄膜工业有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B65D75/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种易于开启的新型外包装BOPP复合薄膜结构及其应用，包括一体设置的基膜区和不干胶薄膜区，整体外包装在盒体后，所述不干胶薄膜区对应分布在盒体的侧壁上，所述不干胶薄膜区的尺寸小于所述基膜区的尺寸，所述不干胶薄膜区内设置有撕启开口；本发明提供的复合薄膜结构应用于开口式或开窗式包装盒体，盒体种类不限于食品包装盒、香烟包装盒、电子产品包装盒、化妆品包装盒领域，通过上述方式，本发明能够帮助消费者快速方便的撕启外包装膜
一种易于开启新型外包装 bopp 复合薄膜结构及其应用

[发明专利]热塑贴合方法及其预成型方法、透光结构件及电子设备-CN202110261338.2有效
发明人：吴俊翰;涂晋益 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B32B37/06 文献下载
摘要：本申请涉及热塑贴合的预成型方法、热塑贴合方法、透光结构件及电子设备；根据基体的贴合形状设置预处理治具，预处理治具设有预设端部，预设端部的形状与贴合形状相对应；加热薄膜结构，且将预处理治具靠近薄膜结构至与薄膜结构相接触，以使薄膜结构按贴合形状发生形变；保持预处理治具的位置及加热薄膜结构，向薄膜结构施压，用于塑形薄膜结构以使其部分结构与贴合形状相匹配；塑形完成后在预设时间段内持续施压且保持预处理治具的位置及加热薄膜结构
贴合方法及其成型透光结构件电子设备

[发明专利]纳米粒子薄膜的制备方法、纳米粒子薄膜及显示面板-CN202110969958.1在审
发明人：赵金阳 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明设计一种纳米粒子薄膜的制备方法、纳米粒子薄膜及显示面板。所述纳米粒子薄膜制备方法，通过利用纳米粒子带有的电性特点，实现多种电性相同的纳米材料的共同沉积制备得到复合薄膜结构，或者实现多种电性相同的纳米材料的依次加工实现其多层膜结构，并且通过调节电场强度，可以调节纳米材料薄膜的堆积密度并可精准调节薄膜的厚度
纳米粒子薄膜制备方法显示面板

[发明专利]复合薄膜及其制造方法-CN202010071732.5在审
发明人：张秀全;朱厚彬;李真宇;薛海蛟;李洋洋;张涛 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：公开了一种复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜可以包括：衬底；第一隔离层，位于衬底的顶表面上；光学薄膜结构，位于第一隔离层上，并且包括由光调制层、光传输层和产生光的有源层形成的堆叠结构。
复合薄膜及其制造方法

[发明专利]一种氧化钛/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法-CN201610859705.8在审
发明人：李颖;赵高扬;杨志孟 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钛/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，首先制备氧化镍薄膜；随后在氧化镍薄膜上制备氧化钛薄膜，得氧化钛/氧化镍复合薄膜，使用溅射仪对氧化钛/氧化镍复合薄膜进行顶电极制备，即得。本发明将氧化钛薄膜与氧化镍薄膜进行复合，相比较于其他具有阻变特性的材料，复合的二元金属氧化物薄膜结构简单、材料组份容易控制的特点，同时与传统的CMOS工艺具有良好的兼容性。
一种氧化电阻存储器薄膜制备方法

[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的制备方法-CN201210075759.7有效
发明人：李杰;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基体，该基体具有一第一表面；提供一单壁碳纳米管薄膜结构，将该单壁碳纳米管薄膜结构设置于所述基体的第一表面，所述单壁碳纳米管薄膜结构包括多个金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管；将一高分子材料层设置于所述单壁碳纳米管薄膜结构上，形成一复合结构，所述高分子材料层包覆单壁碳纳米管中的每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管；将所述复合结构放置于一电磁波环境中，除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层
半导体性单壁碳纳米制备方法

[发明专利]改善器件负偏压温度不稳定性的方法和结构-CN201911163109.6在审
发明人：李润领;李中华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及改善器件负偏压温度不稳定性的方法和结构。其中，方法包括：提供一基底以及形成于所述基底上的器件；通过ALD工艺，在所述器件上沉积应力薄膜结构，所述应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜；进行退火工艺，通过退火工艺增大所述应力薄膜结构对所述器件施加的应力结构包括：基底以及形成于基底上的器件；通过ALD工艺，形成于氧化薄膜层上的应力薄膜结构，应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜。本发明通过ALD工艺，在器件上沉积应力薄膜结构可以减少扩散进入器件栅氧层界面的H原子，能够显著提升器件的NBTI寿命。
改善器件偏压温度不稳定性方法结构

[发明专利]一种多层膜结构的声表面波器件及其制备方法-CN201310025135.9无效
发明人：陈希明;李福龙;薛玉明;朱宇清;张倩;阴聚乾;郭燕;孙连婕 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种多层膜结构的声表面波器件，由CVD金刚石薄膜、a轴择优取向的氮化铝（a-AlN）薄膜、c轴择优取向的氮化硼（c-BN）薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加组成金刚石-复合膜结构，所述CVD金刚石薄膜的厚度为20-25um，a-AlN薄膜厚度为300-500nm，c-BN薄膜的厚度为300-500nm，IDT为厚度100nm的Al膜。本发明的优点是：该多层膜结构的声表面波器件同时具备以下优点，即金刚石的高硬度、高声速，a-AlN的高声速能有效缓解金刚石与c-BN因声速差距大带来的声速频散效应以及c-BN的高机电耦合系数，可用于制备高频
一种多层膜结构表面波器件及其制备方法

[实用新型]可卷折顶棚设备-CN201320102275.7有效
发明人：赵彦杰 -专利权人：赵彦杰
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： E04H15/54 文献下载
摘要：可卷折顶棚设备，就是双层透明塑料薄膜结构，将预定大小的双层透明塑料薄膜结构的周边的双层设制在一起。在预定大小的双层透明塑料薄膜结构的中部，每间隔一定距离设置一个点使点处的双层透明塑料薄膜结合在一起。使预定大小的双层透明塑料薄膜结构不漏气。在预定大小的双层透明塑料薄膜结构的某处设置一个气门芯。可以向预定大小的双层透明塑料薄膜结构中充气。如果用多个的预定大小的双层透明塑料薄膜结构作可卷折顶棚设备，就是使多个的预定大小的双层透明塑料薄膜结构的边在制造时互相连接在一起。
可卷折顶棚设备

[发明专利]碳纳米管复合材料的制备方法-CN200710125411.3有效
发明人：王佳平;程群峰;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： B32B37/02 文献下载
摘要：一种碳纳米管复合材料的制备方法，其具体包括以下步骤：制备至少一碳纳米管薄膜；提供至少一高分子薄膜，并将该至少一碳纳米管薄膜设置于该高分子薄膜表面，形成一碳纳米管薄膜结构，从而得到一碳纳米管复合材料预制体；对上述碳纳米管复合材料预制体进行预复合处理；对上述预复合后的至少一碳纳米管复合材料预制体进行热压成型处理，形成一碳纳米管复合材料。
纳米复合材料制备方法

[发明专利]多层薄膜结构以及基于其的DNA测序器件和测序方法-CN201811170851.5在审
发明人：黄显;李亚;徐航 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C12M1/34 文献下载
摘要：本公开提供了一种多层薄膜结构以及基于其的DNA测序器件和测序方法，其多层薄膜结构包括：n个单层薄膜结构，n个单层薄膜结构层叠相连，其中n＞1；单层薄膜结构包括：导电层以及与导电层相连的绝缘分隔层以及设置在绝缘分隔层上的第一孔本公开通过薄膜转印技术加工制得的多层薄膜结构，体积较小，方便与其他设备相集成，便于携带。
多层薄膜结构单层薄膜结构导电层分隔层绝缘测序便于携带转印技术薄膜加工