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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光电元件-CN202110822932.4在审
发明人：叶宗勋;张利铭;沈建赋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件，包括半导体叠层，其包括第一半导体层、活性层位于第一半导体层上以及第二半导体层位于活性层上；电流阻挡区，形成于第二半导体层上且包括第一衬垫部；第一开口，形成于第一衬垫部中并将第一衬垫部分割成多个部分
光电元件

[发明专利]光电元件-CN202211107157.5在审
发明人：薛惟仁;李世昌;欧震;潘柏舟;廖文禄 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件，其包含：一基底；一第一半导体叠层设置于基底上，包含一第一主动层用以发出或吸收一第一光线，所述的第一光线具有一第一波长；第二半导体叠层设置于所述的第一半导体叠层上，包含一第二主动层用以发出或吸收一第二光线
光电元件

[发明专利]光电元件-CN201310154247.4有效
发明人：林宣乐;李世昌 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一光电元件，其包含一第一半导体层具有一第一晶格常数；一第二半导体层具有一第二晶格常数，其中第二晶格常数小于第一晶格常数；及一第一缓冲层位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中第一缓冲层于靠近第二半导体层的一侧的一晶格常数小于第二晶格常数
光电元件

[发明专利]光电元件-CN200810184857.8有效
发明人：姚久琳 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光电元件，包含基板，以及依次在基板上形成的p型披覆层、发光层以及导电光取出单元；其中导电光取出单元具有n型披覆层位于发光层的上方、金属层位于n型披覆层的上方，以及深入金属层与n型披覆层的多个孔洞。
光电元件

[发明专利]光电元件-CN200910146213.4有效
发明人：谢明勋;王健源;姚久琳;林锦源 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种光电元件，包含半导体叠层；第一透明导电氧化层位于此半导体叠层上，其中此第一透明导电氧化层具有至少一开口；以及第二透明导电氧化层，覆盖上述第一透明导电氧化层；此外，上述的第二透明导电氧化层填入第一透明导电氧化层的开口中并且与半导体叠层相接触
光电元件

[发明专利]光电元件-CN200910134306.5有效
发明人：姚久琳 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电元件，包含：复合基板，该复合基板包含具有空腔的电绝缘基板、中介层与导电基板；黏结层，包含导电区与电绝缘区；第一电流扩散层；第一半导体叠层，包含第一半导体层、有源层与第二半导体层；电流阻挡层
光电元件

[发明专利]光电元件-CN200810212831.X有效
发明人：朱瑞溢;郭政达;许育宾;王俊凯;吴欣显;林义杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光电元件，包含n型覆盖层；p型覆盖层；以及发光层，位于该n型覆盖层与该p型覆盖层之间。上述元件具有提高发光效率的优点。
光电元件

[发明专利]光电元件-CN201810144931.7有效
发明人：叶宗勋;张利铭;沈建赋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件，包括一基板；一半导体叠层，形成于基板上；一电流阻挡区，形成于半导体叠层上且包括一第一衬垫部，具有第一面积；一第一开口，形成于第一衬垫部中且包括一细长形状，具有第二面积；其中第一面积及第二面积的总合为总面积
光电元件

[发明专利]光电元件-CN201110362728.5有效
发明人：洪详竣;陈昭兴;沈建赋;王佳琨 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件的结构，其包含一半导体叠层，包含一第一导电型半导体层、一活性层、及一第二导电型半导体层；一第一电极与第一导电型半导体层电连接，且第一电极还包含一第一延伸电极；一第二电极与第二导电型半导体层电连接
光电元件

[发明专利]光电元件-CN201210349604.8有效
发明人：许嘉良 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电元件，包含：耐热支撑层；半导体外延结构；高热传导性透明层，其热传导系数大于300W/mK，其厚度大于15μm，且该高热传导性透明层介于该耐热支撑层及该半导体外延结构之间。
光电元件

[发明专利]光电元件-CN201210081404.9有效
发明人：陈昭兴;沈建赋;洪详竣;柯淙凯;陈威佑 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种光电元件，包含：一半导体叠层，包含：一第一半导体层、一主动层、及一第二半导体层；一第一电极与第一半导体层电性连接；一第二电极与第二半导体层电性连接，其中第一电极与第二电极有一最小距离D1；一第三电极形成在部分第一电极之上且与第一电极电性连接本发明的光电元件具有较高的光摘出效率。
光电元件

[发明专利]光电元件-CN201210006818.5有效
发明人：杨雅兰;王心盈;林锦源 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明披露了一种光电元件。该光电元件包括一半导体发光叠层，该半导体发光叠层具有一第一半导体层、一有源层与一第二半导体层，其中第一半导体层的表面具有许多凹陷；一透明导电层，形成于第一半导体层的表面，使得凹陷形成内含空气的孔；更设置一金属反射层于透明导电层之上根据本发明，增加了元件的出光效率。
光电元件

[发明专利]光电元件-CN201010511821.3有效
发明人：沈建赋;井长慧;谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电元件，其包含基板；多个半导体单元彼此之间电性连接且位于基板上，其中这些半导体单元包含第一半导体层、第二半导体层、以及有源区介于其之间；多个第一电极分别位于第一半导体层上；连接部形成于这些半导体单元上以电性串接这些半导体单元
光电元件

[发明专利]光电元件-CN99111477.9有效
发明人：狩谷俊光;佐野政史;西尾丰 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1999-06-30 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电元件，包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层，它们以面对面的方式结合在一起，其中，透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化，并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率，即使长时间暴露于强烈的光照之下，其光电转换效率的下降也极小。
光电元件

[发明专利]光电元件-CN201710480015.6有效
发明人：洪详竣;陈昭兴;沈建赋;王佳琨 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件的结构，其包含：一半导体叠层，包含：一第一导电型半导体层、一活性层、及一第二导电型半导体层；一第一电极与第一导电型半导体层电连接，且第一电极还包含一第一延伸电极；一第二电极与第二导电型半导体层电连接
光电元件

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