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[发明专利]一种金属纳米线复合透明导电薄膜、其制备方法及应用-CN201510276448.0有效
发明人：金云霞;肖斐 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，特别涉及一种金属纳米线复合透明导电薄膜，该复合透明导电薄膜依次包含基底层、金属纳米线薄膜层和多糖层。本发明还涉及上述金属纳米线复合透明导电薄膜的制备方法，包含制备多糖溶液、取金属纳米线溶液在基底层上刮涂成膜以及将多糖溶液涂覆于金属纳米线薄膜层表面等步骤。本发明以多糖类物质与金属纳米线薄膜进行复合，在提高了金属纳米线薄膜层与基底层之间的粘附性的同时，保持了金属纳米线薄膜层的导电性，还有利于提高整个金属纳米线复合透明导电薄膜的稳定性。本发明所提供的金属纳米线复合透明导电薄膜能很好地与光刻工艺兼容，易于制备得到图案化的金属纳米线复合透明导电薄膜。
金属纳米线复合透明导电薄膜制备薄膜层基底层多糖溶液电子材料技术导电性薄膜层表面多糖类物质光刻工艺多糖层图案化粘附性薄膜成膜刮涂涂覆兼容复合应用

[发明专利]一种核壳结构的MnO2-金属纳米线复合正极材料及其制备方法和应用-CN201410709112.4有效
发明人：景茂祥;沈湘黔;皮智超;朱生文;姚山山;习小明 -专利权人：长沙矿冶研究院有限责任公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳结构的MnO₂-金属纳米线复合正极材料，主要由纳米片状MnO₂和金属纳米线复合而成，且金属纳米线作为复合正极材料的内核，纳米片状MnO₂包覆在金属纳米线外表面以形成线状的核壳结构；金属纳米线为Cu纳米线或/和Ni纳米线。该复合正极材料的制备方法包括以下步骤：先配制高锰酸钾溶液，调节pH值至1～3；取一定量的金属纳米线置于高锰酸钾溶液中，室温常压下充分搅拌；分离出高锰酸钾溶液中的金属纳米线，用去离子水洗涤后进行干燥，得到复合正极材料
一种结构 mno2 金属纳米复合正极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种图案化的碳化硅纳米线和硅纳米线一维复合材料及其制备方法-CN202110441453.8有效
发明人：白洁;王强;张承双;杨大祥 -专利权人：重庆交通大学绿色航空技术研究院
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化的碳化硅纳米线和硅纳米线一维复合材料，包括由碳化硅纳米线和原位生长于碳化硅纳米线阵列内的硅纳米线以及分布于碳化硅纳米线和硅纳米线生长端的金属颗粒，所述硅纳米线以图案化的形式分布于碳化硅纳米线的至少一个区域；能够实现在同一基底上不同材料和不同区域的功能化设计，实现图案化的碳化硅纳米线和硅纳米线复合材料的可控制备，碳化硅纳米线和硅纳米线的复合薄膜呈现明显的图案化边界。
一种图案碳化硅纳米线一维复合材料及其制备方法

[发明专利]一种氧化硅/碳复合纳米线负极材料、制备方法及锂离子电池-CN201610711038.9有效
发明人：庞春雷;石晓太;任建国;岳敏 -专利权人：深圳市贝特瑞新能源材料股份有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化硅/碳复合纳米线负极材料，包括：SiOx纳米线材料以及包覆在所述SiOx纳米线材料上的包覆剂碳。本发明还提供一种应用该氧化硅/碳复合纳米线负极材料的锂离子电池以及该氧化硅/碳复合纳米线负极材料的制备方法。本发明提供的氧化硅/碳复合纳米线负极材料有利于缓冲氧化硅/碳复合纳米线负极材料在充放电过程中的体积变化，有效延缓粉化，有助于电池中电解液的扩散及氧化硅/碳复合纳米线负极材料与活性材料的接触。
一种氧化复合纳米负极材料制备方法锂离子电池

[发明专利]一种全无机非铅钙钛矿复合TiO₂纳米线及其制备方法-CN201810792396.6在审
发明人：刘世凯;周淑慧;王俊健;高新灿;沈飞向;张鹏;黄龙飞 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： B01J27/138 文献下载
摘要：本发明提供了一种全无机非铅钙钛矿复合TiO₂纳米线及其制备方法，属于纳米复合新材料技术领域。具体制备方法的步骤为：通过水热法制备钛酸盐纳米线；对所制备的钛酸盐纳米线进行离子交换，制备钛酸纳米线，再进行晶化处理，制备得到TiO₂纳米线；对所制备的TiO₂纳米线进行全无机非铅钙钛矿的复合，制备得到一种全无机非铅钙钛矿复合的TiO₂纳米线。该复合材料充分发挥了TiO₂纳米线结构的优势，可使其吸收太阳能波长范围变宽，抑制电子‑空穴对的复合，大大提高了TiO₂纳米线的光催化效率。
纳米线制备钙钛矿非铅复合钛酸盐新材料技术领域空穴光催化效率纳米线结构钛酸纳米线复合材料晶化处理离子交换纳米复合水热法制波长变宽太阳能吸收

[发明专利]一种金属纳米颗粒复合的银纳米线及其制备方法和应用-CN201810777673.6在审
发明人：高彦峰 -专利权人：宁波山功新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属纳米颗粒复合的银纳米线及其制备方法和应用，所述金属纳米颗粒复合的银纳米线，包括银纳米线、以及附着在银纳米线表面的金属纳米颗粒，至少部分银纳米线之间通过金属纳米颗粒焊接。
银纳米线金属纳米颗粒制备方法和应用复合附着焊接

[发明专利]一种碳泡沫/碳纳米线/碳化硅纳米线树脂复合材料基板及其制备方法-CN201811357926.0在审
发明人：廖家豪;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C08L61/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳泡沫/碳纳米线/碳化硅纳米线树脂复合材料基板及其制备方法；所述复合材料基板由碳泡沫、碳纳米线、碳化硅纳米线和石墨烯酚醛树脂复合而成。该复合材料基板制备方法包括：（1）三聚氰胺泡沫热解得到碳泡沫基板预制体；（2）采用化学气相渗透法在碳泡沫基板预制体中制备碳纳米线和碳化硅纳米线；（3）将制备好纳米线的基板预制体放入模具中浸渗石墨烯酚醛树脂，固化脱模得到复合材料基板。本发明制备的碳泡沫/碳纳米线/碳化硅纳米线树脂复合材料基板介电常数高，介电损耗小，介电性能和机械性能优异。
碳泡沫碳化硅纳米线基板制备碳纳米线复合材料基板树脂复合材料预制体酚醛树脂石墨烯机械性能化学气相渗透法基板介电常数三聚氰胺泡沫制备碳纳米介电损耗介电性能纳米线放入浸渗热解脱模固化模具复合

[发明专利]一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法-CN201710316026.0有效
发明人：杨文澍;武高辉;姜龙涛;张强;修子扬;陈国钦;乔菁;康鹏超;芶华松 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C22C49/06 文献下载
摘要：一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明涉及一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明的目的是为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。方法：一、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料的制备；二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料及热挤压模具的预热；三、半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料。本发明在固相线以上、液相线以下对SiC纳米线增强铝基复合材料进行热挤压处理。铝基体的晶粒边界发生熔化，铝基体处于固‑液混合状态，对SiC纳米线约束力小。SiC纳米线可以实现低损伤的定向排列。
一种基于固态挤压制备定向排列 sic 纳米增强复合材料方法

[发明专利]一种完美吸收体涂层及其制备方法-CN201910269793.X有效
发明人：高俊华;臧睿;曹鸿涛;胡海搏 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种完美吸收体涂层，自衬底向外依次包括金属反射层、电介质层、金属纳米线阵列‑陶瓷复合层、金属纳米颗粒‑陶瓷复合层以及电介质减反射层；所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层中，金属纳米线阵列垂直分布在陶瓷相中，金属纳米线的直径不小于3.5nm，高度与所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层的厚度相同，相邻金属纳米线的间距为1～15nm，金属纳米线占所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层的体积百分数为20％～60％；所述金属纳米颗粒‑陶瓷复合层中，金属纳米颗粒弥散均匀分布于陶瓷相中，金属纳米颗粒的直径4～15nm，占所述金属纳米颗粒‑陶瓷复合层的体积百分数为5％～45％。
一种完美吸收体涂层及其制备方法

[发明专利]一种NiO/CoP纳米复合物及其制备方法、水电解方法-CN202310400419.5在审
发明人：张跃;孙瑜;康卓;汪鑫;谢勇;田震;郑文豪;蒋周瑜 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种NiO/CoP纳米复合物及其制备方法、水电解方法。其中，NiO/CoP纳米复合物包括：CoP纳米线以及负载于所述CoP纳米线上的NiO纳米颗粒。所述NiO/CoP纳米复合物的制备方法包括：制备Co(OH)2纳米线；对所述Co(OH)2纳米线进行磷化处理，得到CoP纳米线；在所述CoP纳米线表面负载NiO纳米颗粒，得到NiO/CoP纳米复合物。该NiO/CoP纳米复合物能够同时具有较好的HER和OER催化功能，且成本较低。
一种 nio cop 纳米复合物及其制备方法水电

[发明专利]一种有机/无机复合纳米线过滤膜的制备方法-CN201210064541.1有效
发明人：朱利平;朱丽静;易砖;徐又一 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C08J9/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机/无机复合纳米线过滤膜的制备方法。包括如下步骤：将金属盐溶解在乙醇胺的水溶液中制备金属氢氧化物纳米线；将肝素溶液加入到金属氢氧化物纳米线溶液中，制备核壳结构复合纳米线溶液；将聚合物多孔膜固定在过滤容器中，膜面朝上，过滤容器中加入核壳结构复合纳米线溶液本发明将荷负电的肝素通过静电作用固定在荷正电的金属氢氧化物纳米线表面，形成以纳米线为核，以肝素为壳的核壳结构复合纳米线，再通过动态制膜法，将复合纳米线沉积在聚合物多孔膜表面，形成具有抗菌性和血液相容性双重功效的有机/无机复合纳米线滤膜。纳米线直径小，负载时形成的孔径小，孔密度高，制备工艺简单、成本低。
一种有机无机复合纳米滤膜制备方法

[发明专利]一种碳化硅纳米线增强铝基复合材料及其制备方法-CN201810086070.1在审
发明人：李斌斌;袁小森;黄海泉;毛帮笑;汤浩;饶志远 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-01-20 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C22C49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纳米线预制体增强铝基复合材料及其制备方法，涉及铝基复合材料及其制备方法。本发明拟解决现有碳化硅纳米线增强铝基复合材料的制备存在工序复杂，碳化硅纳米线加入分布不均匀，发生团聚的问题。碳化硅纳米线增强铝基复合材料由碳化硅纳米线预制体和铝金属组成。通过常压CVD法在碳泡棉基体上原位生长碳化硅纳米线，通过高温氧化去除碳泡棉基体得到碳化硅纳米线预制体。通过高压浸渍法将铝液填充碳化硅纳米线预制体，冷却得到碳化硅纳米线增强铝基复合材料。本方法采用CVD原位生长碳化硅纳米线预制体，预制体中碳化硅纳米线通过原位生长自交联，结合力好，纳米线分布均匀，密度易于控制，不需压制成型。
碳化硅纳米线预制体增强铝基复合材料制备原位生长泡棉铝基复合材料高温氧化高压浸渍不均匀结合力铝金属纳米线自交联常压铝液去除填充冷却团聚

[发明专利]硅纳米线-石墨烯复合材料及其制备方法、锂离子电池-CN201210206979.9在审
发明人：周明杰;钟辉;王要兵 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01M4/587 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米线-石墨烯复合材料，包括：石墨烯、硅纳米线以及纳米金属颗粒；所述硅纳米线形成在所述石墨烯上，且所述硅纳米线将所述纳米金属颗粒包覆在其中。这种硅纳米线-石墨烯复合材料通过在石墨烯上形成硅纳米线，能够有效地降低在嵌锂和脱锂的过程中硅纳米线的弯曲变形。相对于传统的在嵌锂和脱锂的过程中体积变化较大的硅材料，这种硅纳米线-石墨烯复合材料在嵌锂和脱锂的过程中体积变化较小。本发明还提供一种上述硅纳米线-石墨烯复合材料的制备方法，以及采用该硅纳米线-石墨烯复合材料的锂离子电池。
纳米石墨复合材料及其制备方法锂离子电池

[发明专利]一种导电阻燃水性聚氨酯-银纳米线复合材料及其制备方法-CN202111627922.1在审
发明人：朱云峰;周建;颜玉荣 -专利权人：苏州湘园新材料股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C08L75/04 文献下载
摘要：一种导电阻燃水性聚氨酯‑银纳米线复合材料及其制备方法，包括银纳米线分散液的制备和水性聚氨酯乳液的制备，将水性聚氨酯乳液滴加入银纳米线乙醇分散液中，搅拌条件下分散1‑2小时，得到水性聚氨酯/银纳米线复合乳液；将磷‑氮‑硅协同阻燃剂A加入水性聚氨酯/银纳米线复合乳液，搅拌分散0.8‑1.2小时，制得导电阻燃水性聚氨酯/银纳米线乳液；将制得导电阻燃水性聚氨酯/银纳米线乳液浇铸在玻璃模具中，干燥后制得导电阻燃水性聚氨酯/银纳米线复合材料。本发明银纳米线以分散液形式呈现，纳米银分散稳定、均匀，且以醇类溶剂作分散介质，易于制备纳米银均匀分散的水性聚氨酯/银纳米线复合材料。
一种导电阻燃水性聚氨酯纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法-CN201710311750.4有效
发明人：杨文澍;武高辉;姜龙涛;张强;修子扬;陈国钦;乔菁;康鹏超;芶华松 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C22C47/00 文献下载
摘要：一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法，它涉及一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法。本发明为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法按照以下步骤进行：一、制备非定向SiC纳米线增强铝基复合材料；二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料预热；三、SiC纳米线低损伤定向排列处理。本发明提供了一种使SiC纳米线在铝基复合材料中低损伤定向排列的方法，工艺方法简单、易操作、复合材料性能优异，易于实现产业化生产及应用。
一种复合材料实现 sic 纳米损伤定向排列方法

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