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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于在等离子体处理系统中控制等离子体的方法和装置-CN201610301437.8有效
发明人：约翰·C·小瓦尔考;布拉德福德·J·林达克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：基极RF信号在高功率电平和低功率电平之间施加脉冲。在基极RF信号施加脉冲时，非基极RF发生器中的每一个响应于控制信号前摄地(proactively)在第一预定义功率电平和第二预定义功率电平之间切换。替代地或另外地，在基极RF信号施加脉冲时，非基极RF发生器中的每一个响应于控制信号前摄地在第一预定义RF频率和第二预定义RF频率之间切换。本发明公开了用于在生产时间之前为非基极RF信号确定第一和第二预定义功率电平和/或第一和第二预定义RF频率的技术。
用于等离子体处理系统控制方法装置

[发明专利]一种低噪声放大器-CN202010671333.2有效
发明人：吴燕庆;张誉宝;李学飞 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结双极晶体管HBT及包括HBT的低噪声放大器，所述HBT包括：从下到上依次分布的衬底、介质层、发射极主体、基极主体、集电极主体；所述发射极主体和所述集电极主体为以MoS2为代表的n型二维过渡金属硫化物，所述基极主体为p型单层石墨烯Gr；还包括：发射极电极、基极电极、集电极电极；其中，所述发射极电极和所述基极主体在所述发射极主体上，且二者互不接触；所述基极电极和所述集电极主体在所述基极主体上，且二者互不接触；所述集电极电极在所述集电极主体上。
一种低噪声放大器

[发明专利]一种总剂量防护带隙基准源电路-CN201911043357.7有效
发明人：王倩琼;王轩;巨艇;赖晓玲;张健;邓星星 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种总剂量防护带隙基准源电路，包括：带隙核心电路、启动电路I、动态基极补偿分支电路I、动态基极补偿分支II、电源抑制比PSRR增强电路、启动电路II和带隙输出电压电路。动态基极补偿分支电路I和动态基极补偿分支电路II用于补偿带隙核心电路在受到辐照总剂量效应下所感生的双极性晶体管基极泄漏电流，二者间又利用反馈环路实现稳定结构；电源抑制比PSRR增强电路提供带隙核心电路的栅极偏置电压实现提高电源抑制比本发明利用动态基极补偿机制实现抗辐照总剂量效应。
一种剂量防护基准电路

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910669132.6有效
发明人：古川彰彦;折田昭一;村冈宏记;楢崎敦司;川上刚史;村上裕二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：半导体装置包括：第一导电类型的第一基极区域；第二导电类型的第二基极区域；槽部，是以从第二基极区域的表面到达第一基极区域的方式设置的相互平行的至少3个槽部，第一槽部和第三槽部被配置成夹着第二槽部；绝缘膜，覆盖槽部的内壁；导电性的沟槽栅极，填充于绝缘膜上；第一导电类型的发射极区域，在第一槽部与第二槽部之间的第二基极区域中，以与第一槽部相接的方式设置，与发射极电极连接；以及第二导电类型的集电极区域，设置于第一基极区域
半导体装置制造方法

[发明专利]击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构-CN202210148786.6有效
发明人：聂卫东;赵克翔 -专利权人：无锡市晶源微电子股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构，包括设置于同一P型衬底上的PNP管和NPN管，所述PNP管基极接所述NPN管集电极，所述PNP管(T1)集电极接所述NPN管基极，所述PNP管基极和所述NPN管集电极经第一电阻接电源阳极，所述NPN管基极和所述PNP管集电极经第二电阻接电源阴极，还包括用于调节击穿电压的稳压二极管，所述稳压二极管与所述PNP管和NPN管设置于同一P型衬底上，所述稳压二极管阳极与所述NPN管基极、所述PNP管集电极连接，所述稳压二极管阴极与所述PNP管基极和所述NPN管集电极连接。
击穿电压调节 scr esd 保护结构

[发明专利]包含横向抑制二极管的双极晶体管-CN202110585271.8有效
发明人：亨利·利茨曼·爱德华兹 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：晶体管包含第一导电类型的射极(216a)、第二导电类型的基极(218a)、所述第一导电类型的集电极(214)及横向抑制二极管(250)的阴极(260)。所述基极经配置以将所述电流从所述集电极传导到所述射极。所述基极安置于所述晶体管的所述顶部表面处且横向地在所述射极与所述集电极之间。所述集电极经配置以从所述基极吸引并收集少数载流子。所述第一导电类型的所述阴极由所述基极环绕且安置于所述射极与所述集电极之间，且所述阴极经配置以抑制所述少数载流子从所述基极到所述集电极的横向流动。
包含横向抑制二极管双极晶体管

[发明专利]改善杂质注入型多晶硅发射极杂质浓度分布的方法-CN201010596316.3无效
发明人：陈帆;陈雄斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善杂质注入型多晶硅发射极杂质浓度分布的方法，包含如下步骤：1)利用常规工艺在衬底上形成埋层、浅槽隔离、集电区和基极；2)在基极形成后，淀积多晶硅发射极-基极隔离介质层；3)采用干法和湿法刻蚀发射极-基极隔离介质层，形成发射极-基极接触窗口；4)淀积非掺杂的多晶硅，作为双极型晶体管的发射极；5)定义发射极多晶硅离子注入的光刻层，进行发射极多晶硅N型杂质多次梯度注入；6)采用高温快速退火使多晶硅的杂质纵向扩散，使其在多晶硅中分布更均匀，发射极-基极接触窗口的多晶硅与单晶硅的交界面的杂质浓度更高。
改善杂质注入多晶发射极浓度分布方法

[实用新型]一种温度传感器前端电路-CN201620732201.5有效
发明人：王波 -专利权人：杭州澜达微电子科技有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种温度传感器前端电路，包括以发射极面积不同，但有同样集电极偏置电流的三极管对做输入的两级放大器、线性化电路和基极电流抵消电路，所述两级放大器产生与温度正相关的电流I´pt（T)和与温度负相关的电流I´ct（T)，所述线性化电路接在两级放大器的同相输入端，并通过三极管基极电流大的温度系数对电流I´ct（T)进行非线性补偿，所述基极电流抵消电路产生一基极抵消电流Ib（T)，所述基极抵消电流Ib（T)与电流I´pt（T)和电流I´ct（T)中含有的基极电流大小相同。
一种温度传感器前端电路

[实用新型]一种用于车牌号码识别的图像信号增强电路及车库管理系统-CN201621287549.4有效
发明人：张博阳;黄守磊;王大炜 -专利权人：绥化学院
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H04N5/14 文献下载
摘要：用于车牌号码识别的图像信号增强电路包括图像信号输入端、降噪信号输出端、开关信号输入端、第一共基极放大电路、第二共基极放大电路、第一射随器、AN5342K芯片、色度信号陷波器。图像信号输入端与经过第一共基极放大电路与第一射随器的输入端连接；基极补偿电路还与第二基极放大电路连接，第二基极放大电路与降噪信号输出端连接。本实用新型适用于社区车库管理系统。
一种用于车牌号码识别图像信号增强电路车库管理系统

[实用新型]一种绝缘层上硅衬底的单结晶体管-CN202120468216.6有效
发明人：于桂宝 -专利权人：深圳市龙晶微电子有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘层上硅衬底的单结晶体管，包括晶体管，所述晶体管上设置有硅衬底，且硅衬底的前侧面左上部设置有基极a，并且硅衬底的前侧面右上部设置有基极b，所述硅衬底的前侧面中上部设置有发射极，所述硅衬底的后侧面设置有PN结，所述硅衬底采用矩形体结构，且硅衬底外表面设置有防水层和绝缘层，并且防水层采用纳米防水涂层，所述基极a和基极b关于硅衬底呈左右对称结构，且基极a和基极b均采用Z型结构。
一种绝缘层上硅衬底单结晶体管

[实用新型]运算放大器输出级过饱和保护电路-CN202123450543.8有效
发明人：邢德智 -专利权人：成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：运算放大器输出级过饱和保护电路，涉及集成电路，本实用新型包括：第一PNP晶体管，其发射极接第一参考点，集电极接地，基极接第一输入端；第二PNP晶体管，其基极接第一参考点，发射极接第一输入端，集电极接输出端；第三PNP晶体管，其基极接第一参考点，发射极接高电平端Vcc，集电极接输出端；第四NPN晶体管，其发射极接第二参考点，集电极接高电平端，基极接第二输入端；第五NPN晶体管，其基极接第二参考点，发射极接第二输入端，集电极接输出端；第六NPN晶体管，其基极接第二参考点，发射极接地，集电极接输出端。
运算放大器输出过饱和保护电路

[发明专利]制造具有提高的可制造性的自对准双极晶体管的方法及相关结构-CN200480013981.8无效
发明人： A·卡尔博格;K·Q·因;K·林 -专利权人：杰斯半导体公司纽波特工厂
申请日： 2004-03-17 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：根据一个示例性实施例，一种双极晶体管包括具有顶面的基极。所述双极晶体管还包括位于所述基极的所述顶面上的基极氧化物层。所述双极晶体管还包括位于所述基极氧化物层上的牺牲柱。所述双极晶体管还包括位于所述牺牲柱和所述基极的所述顶面上的保形层，其中所述保形层的致密度大于所述基极氧化物层的致密度。所述保形层可以是例如HDPCVD氧化物。
制造具有提高对准双极晶体管方法相关结构

[发明专利]温度系数可调电流基准电路及方法-CN202010303653.2有效
发明人：李宇;张洪俞;于圣武 -专利权人：南京微盟电子有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提出了温度系数可调电流基准电路及方法，该电路中JFET管NJ1的源极连接三极管e的集电极和基极以及三极管f的基极；三极管f的发射极连接三极管g的发射极以及电阻R2的一端，电阻R2的另一端接GND；三极管c的集电极和三极管d的基极连接于电阻R3的一端，三极管c的基极、三极管f的集电极、三极管g的集电极连接于电阻R3的另一端；三极管d的集电极连接于三极管h的集电极、基极以及三极管g的基极；三极管h的发射极连接于三极管i的基极以及电阻R4的一端，三极管i的集电极以及三极管j的基极连接于电阻R4的另一端。
温度系数可调电流基准电路方法

[实用新型]一种有效跟踪磁场的输电监控装置-CN201721567698.0有效
发明人：秦海军 -专利权人：绵阳鼎飞益电子科技有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有效跟踪磁场的输电监控装置，Q1的基极接单片机的T2引脚，Q1的发射极接Q2的基极，Q2的发射极接第一电机的正极；Q3的基极接单片机的T2EX引脚，Q3的发射极接Q4的基极，Q4的发射极接第一电机的负极；Q5的集电极、Q6的集电极、Q7的集电极、Q8的集电极和接地GND共节点；Q5的基极接单片机的T2EX引脚，Q5的发射极接Q6的基极，Q6的发射极接第一电机的正极；Q7的基极接单片机的T2引脚，Q7的发射极接Q8的基极，Q8的发射极接第一电机的负极。
发射极单片机集电极引脚监控装置有效跟踪电机磁场输电正极本实用新型负极地下井电器元件复杂环境接地延迟应用

[实用新型]机顶盒与电视联动控制器-CN200820182482.7无效
发明人：张厚勤 -专利权人：张厚勤
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H04N5/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种机顶盒与电视联动控制器，包括信号接收器和三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、电容C1、C2、C3，其中信号接收器与Q4的基极连接，Q4、Q5公集电极连接，并与Q6的基极连接，Q6的集电极与Q7的基极连接，Q7的集电极与Q8、Q2的基极连接，Q1的集电极与Q2的基极连接，Q2的集电极与Q3的基极连接，Q3的集电极与Q5的基极连接，Q5、Q6、Q7、Q8、Q9共发射极连接，Q1、Q2共发射极连接，Q7、Q8、Q9共集电极连接；C1连接Q1的集电极和发射极，Q1的基极通过C2与视频信号输入端连接。
机顶盒电视联动控制器

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