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[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置-CN202310871235.7在审
发明人：李峰柱;项少华;梁程程;王冲 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述半导体器件包括：衬底；自下而上形成在所述衬底上的子集电极层、集电极层、基极层和发射极层，所述基极层包括第一基极层和位于所述第一基极层外侧的第二基极层，所述第二基极层的电阻大于所述第一基极层的电阻。本发明形成第二基极层作为基极镇流电阻来补偿发射极‑基极电压降，能够避免由于电流集中效应而导致的热失控，便于控制基极镇流电阻的阻值大小，并且由于基极电流较小，因而能够避免引起半导体器件输出功率和功率附加效率的降低
一种半导体器件及其制备方法电子装置

[发明专利]一种背光源驱动电路和显示装置-CN201410153347.X在审
发明人：朱文龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：该背光源驱动电路包括供电模块、开关模块和LED组；供电模块包括第一端口、第二端口和第三端口；开关模块包括第一电阻、第二电阻、MOSFET、第一三极管、第一基极偏置电阻和第一基极分压电阻；第一电阻第一端连接第一端口，第一电阻第二端连接第二电阻第一端；MOSFET源极连接第一端口，漏极连接LED组，栅极连接第二电阻第一端；第二电阻第二端连接第一三极管集电极，第一三极管基极连接第一基极偏置电阻第一端和第一基极分压电阻第一端，第一基极偏置电阻第二端连接第二端口，第一基极分压电阻第二端和第一三极管发射极连接第三端口。
一种背光源驱动电路显示装置

[发明专利]自旋晶体管-CN200410080485.6有效
发明人：黄瀛文;卢志权;谢蓝青;姚永德;黄得瑞;朱朝居 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2004-10-11 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：一种自旋晶体管，是利用单一势垒结构，来提高通过势垒的磁电阻电流的变化率，其含有发射极、集电极、基极与基极电阻。发射极为磁电阻组件，在不同外加磁场的情况下可提供不同电阻，集电极为被动组件，用以提供单一势垒，基极是间隔于发射极与集电极之间，分别电性导通于发射极与集电极，基极电阻则连接于基极以提供偏压。
自旋晶体管

[发明专利]可变低电阻线非易失性存储元件及其运转方法-CN201980072575.5在审
发明人：孙锺和;孙锺亦 -专利权人：维迈默里公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的一个实施例公开一种存储元件及其运转方法，作为可变低电阻线存储元件及其运转方法，包括：基极，所述基极包含自发极化性材料；栅极，所述栅极邻接所述基极地配置；至少两个极化区域，所述极化区域通过所述栅极向所述基极施加电场而在所述基极形成，具有互不相同方向的极化；可变低电阻线，所述可变低电阻线选择性地与所述具有互不相同方向极化的极化区域的边界对应；源极，所述源极与所述可变低电阻线相接地配置；漏极，所述漏极与所述可变低电阻线相接地配置；所述可变低电阻线由所述基极区域中电阻比与所述可变低电阻线邻接的其他区域低的区域形成
可变电阻线非易失性存储元件及其运转方法

[实用新型]一种短路自锁保护电路-CN201020237452.9无效
发明人：李兵;邵巍;邓卓瑛 -专利权人：上海航天汽车机电股份有限公司
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种短路自锁保护电路，包括实用开关电路、高电平驱动电路、短路保护电路，所述的高电平驱动电路包括第二三极管、第二电阻、第三电阻，所述的短路保护电路包括第三三极管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、电容、稳压管；所述的第二三极管包括基极、发射极、集电极，其基极通过第二电阻与实用开关电路连接，同时通过第三电阻与基极连接；其集电极通过第六电阻与稳压管的正极连接；所述的第三三极管包括基极、发射极、集电极，其基极通过第五电阻与稳压管的负极连接，同时与第四电阻和电容相连，其集电极与第二三极管的基极连接，与现有技术相比，本实用新型具有电路结构简单、成本低等优点。
一种短路保护电路

[发明专利]一种具有网格结构的双极功率晶体管-CN202110818413.0有效
发明人：黄宏嘉;林和;牛崇实;洪学天 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有网格结构的双极功率晶体管，包括：具有第一掺杂第二电阻和第二掺杂第一电阻的N型第一导电类集电极区域；具有网格式结构的N型第一导电类发射极区域；具有第三掺杂第四电阻和第四掺杂第三电阻的P型相反导电类基极区域；发射极区域覆盖连接基极区域多个单个的基极元件，集电极区域通过基极‑集电极p‑n结与基极区域相连接；第一掺杂杂质剂含量高于第二掺杂杂质剂含量，第三掺杂杂质剂含量高于第四掺杂杂质剂含量，第一电阻阻值大于第二电阻阻值，第三电阻阻值大于第四电阻阻值；集电极区域、基极区域和发射极区域分别通过欧姆接触和金属母线相连接；增加二次击穿耐性，降低基极‑发射极饱和电压值，安全工作区域显著扩大。
一种具有网格结构功率晶体管

[发明专利]偏置电阻内置晶体管的制作方法及偏置电阻内置晶体管-CN202210189200.0在审
发明人：石晓宇;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种偏置电阻内置晶体管的制作方法及偏置电阻内置晶体管，所述制作方法包括：提供输入端、基极、发射极、电阻集及集电极，所述电阻集包括至少两个基础电阻；将所述电阻集中每一所述基础电阻的一端与所述基极连接；根据晶体管内置电阻电阻值需求，将所述输入端与所述电阻集中的至少一个所述基础电阻连接，得到接入所述输入端与所述基极之间的第一电阻；将所述电阻集的余下基础电阻中的至少一个所述基础电阻与所述发射极连接，得到并联在所述基极与所述发射极之间的第二电阻；将所述基极与所述集电极导通，以得到目的偏置电阻内置晶体管。本公开技术方案有效解决了传统偏置电阻内置晶体管在需要的基础电阻改变时制作工序复杂的技术问题。
偏置电阻内置晶体管制作方法

[发明专利]一种宽范围铂电阻温度采样电路-CN201910064939.7有效
发明人：许猛;项财生;陈守川 -专利权人：无锡华宸控制技术有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G01K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽范围铂电阻温度采样电路，包括温度采样电阻、第一限流电阻、内部电源和接地端，该温度采样电路还包括第三三极管和第二三极管，第二三极管的集电极与第一限流电阻和内部电源的连接端相连接、第二三极管的发射极与供电电源相连接且该发射极通过Q2基极上拉电阻与第二三极管的基极相连接、第二三极管的基极与Q2基极上拉电阻的连接端通过Q3集电极负载电阻与第三三极管的集电极相连接，第三三极管的发射极接地且基极通过基极限流电阻与处理器芯片的控制管脚相连接
一种范围铂电阻温度采样电路

[实用新型]三相BLDC电机驱动模块保护电路-CN201620945369.4有效
发明人：胡雷 -专利权人：豪圣挚达（上海）电气有限责任公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了三相BLDC电机驱动模块保护电路，包括三极管10，三极管11，三极管12，三极管13，三极管14及三极管15，电阻R1一端接于三极管10的基极，另一端接于三极管16的基极，电阻R2一端基于电阻R1另一端，电阻R2另一端接地，三极管16的发射极接地，集电极接于三极管13的基极；电阻R3一端接于三极管11的基极，另一端接于三极管17的基极，电阻R4一端基于电阻R3另一端，电阻R4另一端接地，三极管17的发射极接地，集电极接于三极管14的基极；电阻R5一端接于三极管12的基极，另一端接于三极管18的基极，电阻R6一端基于电阻R5另一端，电阻R6另一端接地，三极管18的发射极接地，集电极接于三极管15的基极。
三相 bldc 电机驱动模块保护电路

[实用新型]一种逆变电路-CN201220231105.4有效
发明人：卜凤悦 -专利权人：天津市畅悦电子科技有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种逆变电路，第一三极管的基极接第一交替方波，第一三极管的集电极接地，第一三极管的发射极分别通过第一电阻接第二三极管的基极，通过第二电阻接第三三极管的基极，通过第三电阻接第四三极管的基极，通过第四电阻接地；第三三极管的集电极与第四三极管的集电极接地；第五三极管的基极接第二交替方波，第五三极管的集电极接地，第五三极管的发射极分别通过第五电阻接第六三极管的基极，通过第六电阻接第七三极管的基极，通过第七电阻接第八三极管的基极，通过第八电阻接地；第七三极管的集电极与第八三极管的集电极接地；该逆变电路采用单驱动并联逆变，适合大功率的要求，扩大了报警装置的工作范围。
一种电路

[发明专利]一种新型的基于HBT的基极镇流电路-CN201810490575.4在审
发明人：张辉;娄肖萌;颜国国;孙宏杰 -专利权人：杭州臻镭微波技术有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的基于HBT的基极镇流电路，包括晶体管和镇流电阻，镇流电阻包括共用镇流电阻和独立镇流电阻；晶体管的基极与独立镇流电阻的一端连接，独立镇流电阻的另一端与共用镇流电阻的一端连接，共用镇流电阻的另一端与偏置电路模块连接；晶体管的集电极与匹配电路模块和/或供电电路模块连接；晶体管的基极至少两个，每个基极与一一对应的独立镇流电阻的一端连接；共用镇流电阻至少两个，共用镇流电阻之间并联；本发明提供了一种防止电流增益坍塌产生，增强晶体管的热稳定性的基于HBT的基极镇流电路。
镇流电阻晶体管基极镇流一端连接电路供电电路模块匹配电路模块偏置电路模块电流增益热稳定性集电极并联坍塌

[实用新型]带隙基准电路-CN201720643657.9有效
发明人： S·泰瑞恩 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：该带隙基准电路包括电阻一，有端一和端二；晶体管一，有接到电阻一端二的发射极、基极和到参考电压端的集电极；电阻二，有接到电阻一端一的端一和二；电阻三，有接到电阻二端二的端一和二；晶体管二，有接到电阻三端二的发射极、基极和到参考电压端的集电极；放大器，有接到电阻一端二的端一、到电阻二端二的端二和到第一、电阻二端一的输出端；基极电阻一，有接到晶体管一基极的端一和到参考电压端的端二，其电阻等于晶体管一跨导的倒数；以及基极电阻二，有接到晶体管二基极的端一和到参考电压端的端二，其电阻等于晶体管二跨导的倒数。
基准电路

[实用新型]采用晶体三极管用于LED恒流及高温限流驱动电路-CN201120149912.7无效
发明人：邹杰 -专利权人：邹杰
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种采用晶体三极管用于LED恒流及高温限流的驱动电路，包括电源、一组串联LED发光二极管、调整管、反馈管，偏流电阻、限流电阻组成，调整管基极偏流电阻、同为反馈管集电极电阻，反馈管基极电阻、同为调整管射极电阻即限流电阻，串联发光二极管两端，阳极接电源正极，阴极与调整管集电极连接，调整管基极偏流电阻，一端接电源正极、另一端连接调整管基极，同为反馈管集电极电阻，反馈管基极电阻，一端与调整管射极，反馈管基极共连，另一端与反馈管射极共连后
采用晶体三极管用于 led 高温限流驱动电路

[发明专利]一种具有保护功能的三极管-CN202210813841.9在审
发明人：钟平权;王焦;钟剑锋 -专利权人：佛山市通科电子有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有保护功能的三极管，涉及到三极管技术领域，解决了基极B电流变大导致造成短路的问题，包括管体，管体内连接有基极B、集电极C和发射极E；还包括增阻组件，用于于饱和状态下增加基极B电阻值的增阻组件设于基极B上；分流组件，用于配合增阻组件分散电流的分流组件设于增阻组件上，本发明当三极管处于饱和状态下，且基极B电流持续变大，此时多个第二电阻板根据电路的大小，逐个贴合到第一电阻板上，从而自动增加基极B处的电阻，并带动导电板与第一电阻板连接，从而均分变大的电流，避免基极B电流过大，导致短路，该装置随电流的变化而自动调节，简单方便。
一种具有保护功能三极管

[发明专利]一种ia级本安电池充电电压反馈电路-CN202110480821.X有效
发明人：李思斌 -专利权人：石家庄宇飞电子有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种ia级本安电池充电电压反馈电路，包括：采样电阻的一端接充电回路的正极，另一端与ia级本安电池的正极连接，第一比例电阻与第二比例电阻串联连接，其中，第一比例电阻的一端与采样电阻的一端连接，第一比例电阻和第二比例电阻的中间连接点与第一PNP三极管的发射级连接，第一PNP三极管的集电极与第一NPN三极管的基极连接，第一NPN三极管的集电极与第二比例电阻的一端连接，第一NPN三极管的发射级接地，第一PNP三极管的基极与第二PNP三极管的基极连接，第二PNP三极管的基极和集电极短接，并与第一PNP三极管的基极和基极偏置电阻连接。
一种 ia 电池充电电压反馈电路

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