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[发明专利]白光电致发光器件的发光层、其制备方法和应用-CN201110055716.8有效
发明人：周明杰;王平;黄辉;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明适用于电致发光技术领域，提供了一种白光电致发光器件的发光层、及其制备方法和应用，该白光电致发光器件的发光层包括蓝光和绿光混合发光层、红光发光结构，该红光发光结构包括相层叠的第一势垒层、第二势垒层及位于该第一势垒层、第二势垒层之间的红光发光层，该蓝光和绿光混合发光层和红光发光结构通过该第一势垒层或第二势垒层而层叠。本发明白光电致发光器件的发光层，通过第一势垒层和第二势垒层形成量子阱，使空穴和电子被限制在该量子阱内，限制了激子的发光区域，实现了红光发光层的稳定发光；通过将蓝光荧光材料和绿光磷光材料混合，显著地提高了发光效率；本发明白光电致发光器件的发光层制备方法，操作简单，成本低廉，生成效益高，非常适于工业化生产。
白光电致发光器件发光制备方法应用

[发明专利]一种带有极高垒层插入层的白光LED结构-CN201910507115.2在审
发明人：霍丽艳;滕龙;刘锐森;崔晓慧;林加城;周浩;方誉;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提高了一种带有极高垒层插入层的白光LED结构，该带有极高垒层插入层的白光LED结构通过在衬底上生成双波段MQW层，以使所述白光LED结构同时激发蓝光和黄光，蓝光和黄光混合产生白光，并且在蓝光波段MQW层中(阱两侧或一侧)插入极高垒层插入层的结构，可以避免因蓝光发光区能带的问题，导致蓝光光谱不能激发的问题，进而成功生长出发光效率高、稳定性好和色度均匀的白光LED。
白光LED 插入层垒层蓝光黄光稳定性问题荧光粉老化蓝光波段蓝光光谱发光区光效率荧光光波段激发白光衬底色度封装生长申请成功

[实用新型]一种带有极高垒层插入层的白光LED结构-CN201920882354.1有效
发明人：霍丽艳;滕龙;刘锐森;崔晓慧;林加城;周浩;方誉;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提高了一种带有极高垒层插入层的白光LED结构，该带有极高垒层插入层的白光LED结构通过在衬底上生成双波段MQW层，以使所述白光LED结构同时激发蓝光和黄光，蓝光和黄光混合产生白光，并且在蓝光波段MQW层中(阱两侧或一侧)插入极高垒层插入层的结构，可以避免因蓝光发光区能带的问题，导致蓝光光谱不能激发的问题，进而成功生长出发光效率高、稳定性好和色度均匀的白光LED。
一种带有极高插入白光 led 结构

[实用新型]一种液晶显示器-CN202023272844.1有效
发明人：李小丁 -专利权人：深圳市辰中科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本实用新型提出一种液晶显示器，包括：背光源；液晶面板，设置在所述背光源的相对侧；蓝光过滤层，位于所述液晶面板的出光面上；保护层，位于所述蓝光过滤层上，所述保护层的厚度为60‑70微米；其中，所述背光源包括基板和蓝光LED芯片，所述蓝光LED芯片倒装设置在所述基板上，所述蓝光LED芯片包括衬底和发光层，所述发光层位于所述衬底上，所述发光层包括交替生长的阱层和垒层，所述阱层和所述垒层的总层数为40‑50层。本实用新型提出的液晶显示器可以过滤蓝光。
一种液晶显示器

[发明专利]白光电致发光器件的发光层、其制备方法和应用-CN201110055821.1有效
发明人：周明杰;王平;黄辉;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明适用于电致发光技术领域，提供了一种白光电致发光器件的发光层、其制备方法和应用。该白光电致发光器件的发光层，包括蓝光发光层、红光和绿光混合发光结构，该红光和绿光混合发光结构包括相层叠的第一势垒层、第二势垒层及位于该第一势垒层、第二势垒层之间的红光和绿光混合发光层，该蓝光发光层、红光和绿光混合发光结构通过该第一势垒层或第二势垒层相层叠本发明白光电致发光器件的发光层，通过第一势垒层和第二势垒层形成量子陷阱，将空穴限制在该量子陷阱中，限制了空穴和电子复合形成激子而发光的区域，将发光光谱窄化，实现了红光和绿光发光光色的稳定；本发明白光电致发光器件的发光层制备方法
白光电致发光器件发光制备方法应用

[发明专利]蓝光隧道结纳米环光放大器外延结构及放大器的制备方法-CN202011450850.3有效
发明人：曾丽娜;李林;李再金;乔忠良;李功捷;赵志斌;陈浩;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光隧道结纳米环光放大器外延结构及放大器的制备方法，包括：衬底层、缓冲层、底部GaN同质结分布布拉格反射镜层、下势垒层、有源层、隧道结层、电流注入层、上势垒层、顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层和欧姆接触层；衬底层上依次生长缓冲层、底部GaN同质结分布布拉格反射镜层、下势垒层、有源层、隧道结层、电流注入层、上势垒层、顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层和欧姆接触层。本发明能够改善现有纳米环光放大器的刻蚀缺陷，从而能够保证获得高质量的蓝光隧道结纳米环光放大器，方法易于控制，工艺稳定。
隧道纳米放大器外延结构制备方法

[发明专利]一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制造方法-CN201610213607.7有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、蓝色量子点发光层、空穴传输层以及阳极，空穴传输层包括层叠的第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层。第三空穴传输层的厚度为5nm～10nm。第二空穴传输层的HOMO能级大于第一空穴传输层的HOMO能级，从而在蓝光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足蓝光光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求。本发明的电致发光材料器件空穴注入势垒低、载流子直接注入机制高、发光效率高。本发明还提供了制备如上倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件的方法。
空穴传输层薄膜电致发光器件光量子倒置阳极发光层量子点载流子电致发光材料空穴注入能力空穴注入势垒空穴阴极电子传输层发光效率依次层叠阶梯性基底势垒制备制造

[发明专利]倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法-CN201610213098.8有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、蓝光量子点发光层、蓝光能量传递层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极；所述蓝光量子点发光层的厚度为15nm～30nm；所述蓝光能量传递层的厚度为0.2nm～2.5nm。这种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，采用蓝光能量传递层作为发光激子形成的辅助层，使得蓝光发光激子除了直接注入的方式形成外，还可通过能量传递的方式形成，蓝光发光激子在蓝光能量传递层形成后通过能量传递的方式再到达蓝光量子点发光层上使其发光，从而解决了倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入势垒较高的问题。
倒置光量子薄膜电致发光器件及其制备方法

[实用新型]具有多重垒层LED外延结构-CN201320369855.2有效
发明人：田宇;郑建钦;曾颀尧;赖志豪;郭廷瑞;黄绣云;黄信智;张志刚;吴东海;童敬文;林政志;李鹏飞 -专利权人：南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：具有多重垒层LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本实用新型从下至上依次包括图形化衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述有源区包括阱层和多重垒层。多重垒层包括InXGa1-XN层、GaN层和AlyGa1-yN层三层。在生长蓝光LED过程中，生长有源区时，多重垒层和阱层交替生长。同现有技术相比，本实用新型采用多重垒层结构，通过改变垒层高度、提高晶体质量、释放应力，从而提高辐射复合几率达到增强LED出光效率的目的。
具有多重 led 外延结构

[发明专利]一种具有多重垒层LED外延结构-CN201310257840.1有效
发明人：田宇;郑建钦;曾颀尧;赖志豪;郭廷瑞;黄绣云;黄信智;张志刚;吴东海;童敬文;林政志;李鹏飞 -专利权人：南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种具有多重垒层LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述有源区包括阱层和多重垒层。多重垒层包括In_XGa_1-XN层、GaN层和Al_yGa_1-yN层三层。在生长蓝光LED过程中，生长有源区时，多重垒层和阱层交替生长。同现有技术相比，本发明采用多重垒层结构，通过改变垒层高度、提高晶体质量、释放应力，从而提高辐射复合几率达到增强LED出光效率的目的。
一种具有多重 led 外延结构

[发明专利]蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法-CN201610213374.0有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光量子点发光层、蓝光能量传递层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述蓝光量子点发光层的厚度为8nm～15nm；所述蓝光能量传递层的厚度为0.2nm～2.2nm。这种蓝光量子点薄膜电致发光器件，首先采用厚度为8nm～15nm的蓝光量子点发光层，从而使得蓝光量子点发光层形成不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过蓝光量子点发光层而不在蓝光量子点发光层与空穴传输层界面过多积累，激子在蓝光能量传递层形成后通过能量传递的方式再到达蓝光量子点发光层上使其发光，解决蓝光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入势垒较高的问题。
光量子薄膜电致发光器件及其制备方法

[实用新型]一种蓝光纳米环光放大器-CN202022091165.8有效
发明人：曾丽娜;李林;李再金;杨云帆;乔忠良;李功捷;陈浩;赵志斌;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种蓝光纳米环光放大器技术方案，该方案包括蓝宝石衬底，缓冲层，底部GaN同质结分布布拉格反射镜层，下势垒层，有源层，电流注入层，上势垒层，顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层，欧姆接触层。该方案先采用ICP刻蚀出纳米环基本结构，再利用电化学刻蚀技术继续刻蚀，最终实现一种蓝光纳米环光放大器，能有效减小ICP刻蚀所引入的缺陷。本实用新型之方法易于控制，工艺稳定。
一种纳米放大器

[发明专利]一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构-CN201410590238.4有效
发明人：田宇;张晓龙;俞登永;郑建钦;曾欣尧;童敬文;吴东海;李鹏飞 -专利权人：南通同方半导体有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明从下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、浅量子阱层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。所述浅量子阱层与有源区之间插入抑制极化效应垒层，所述抑制极化效应垒层从下至上包括Al_xGa_1‑xN层和SiN层。本发明通过在现有外延结构中插入一种新型垒层，释放应力、抑制极化、降低缺陷密度从而提高辐射复合几率，降低极化效应，以达到增强LED内量子效率的目的。
一种具有抑制极化效应垒层蓝光 led 外延结构

[实用新型]新型GaN基LED器件结构-CN201721790781.4有效
发明人：张捷 -专利权人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：该器件结构包括：导电衬底；反光层，设置于所述导电衬底上；金属电极层，设置于所述反光层上；多个蓝光外延层和多个GaN紫外光外延层，依次间隔排列设置于所述金属电极层上；其中，所述GaN蓝光外延层10包括依次周期层叠分布的GaN势垒层104a和InGaN量子阱层104b，所述GaN紫外光外延层20包括依次周期层叠分布的Al1‑yGayN势垒层204a和Al1‑xGaxN量子阱层204b；第一阴极电极，设置于所述蓝光外延层上；第二阴极电极，设置于所述GaN紫外光外延层上；阳极电极，设置于所述导电衬底下。
外延层紫外光器件结构导电蓝光本实用新型金属电极层层叠分布量子阱层阴极电极反光层势垒层衬底衬底材料衬底转移间隔排列散热效率使用寿命提升器件阳极电极蓝宝石热导

[发明专利]倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213542.6有效
发明人：林洋;曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、蓝光量子点发光层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括层叠的第一空穴传输层和第二空穴传输层。第一空穴传输层的厚度为5nm～15nm。第一空穴传输层的HOMO能级大于第二空穴传输层的HOMO能级，从而在蓝光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足蓝光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求。
倒置光量子薄膜电致发光器件

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