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[发明专利]太阳光电解水制氢用非晶硅碳薄膜光阴极、光电极及制备-CN202210106580.7在审
发明人：朱锋 -专利权人：嘉善县登顶科技有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C25B11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳光电解水制氢用非晶硅碳薄膜光阴极，采用非晶硅薄膜叠层电池和非晶硅碳薄膜层的叠层复合结构，直接吸收太阳光产生光生载流子使水分子在光阴极表面分解，产生氢气，避免了光伏电池产生的电能在传输过程中的损耗本发明还提供了所述的太阳光电解水制氢用非晶硅碳薄膜光电极及其制备，采用多腔室真空制备系统用等离子体化学气相沉积技术制备薄膜非晶硅太阳电池和非晶硅碳薄膜，溅射方法制备纳米厚度的金属铷纳米颗粒，在真空中实现一次性完成整个器件的制备该制备技术结合现有的非晶硅薄膜太阳电池生产线，可快速扩大生产，实现商业化。
太阳光电解水制氢用非晶硅碳薄膜阴极电极制备

[发明专利]一种TOPCon电池及其制作方法-CN202211233664.3在审
发明人：郭兴刚;王泊温;付少剑;郁寅珑;张明明;何帅;刘倩;蒋红洁 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏发电组件领域，特别是涉及一种TOPCon电池及其制作方法，通过在N型基体硅的迎光面进行硼扩散，得到P型扩散层；在所述N型基体硅的背光面依次设置遂穿氧化层及非晶硅层；对所述非晶硅层进行磷掺杂，得到N+多晶硅层；所述N+多晶硅层的厚度范围为100纳米至120纳米，掺杂浓度的范围为4.59E+20至6.34E+20，包括端点值；在得到所述N+多晶硅层之后，在硅片的迎光面设置正面复合钝化层，背光面设置背面复合钝化层本发明中获得相比与现有技术更薄，同时掺杂浓度更低的N+多晶硅，大大降低了背面的复合中心数量，也就提升了TOPCon太阳能电池的光电转化效率。
一种 topcon 电池及其制作方法

[发明专利]一种晶硅电池、光伏组件和光伏发电系统-CN201911199797.1在审
发明人：丁士引;张忠文;杨蕾;王涛;余波 -专利权人：通威太阳能（合肥）有限公司;通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅电池、光伏组件和光伏发电系统，属于地面用晶硅太阳能组件领域。针对现有技术中存在的因电池片互联的局部连接失效而引起的电流局部富集，产生局部高温，轻则减小组件功率减小发电量，严重则会灼烧组件引发火灾等，后果十分严重的问题，本发明提供了一种晶硅电池、光伏组件和光伏发电系统，所述晶硅电池包括银栅线、衬底、掺杂区和背场，掺杂区上层的银栅线分隔为若干区域，栅线分隔的设计在部分导电互联材料失效时，减少未失效的导电互联材料上产生电流富集，本发明减少晶硅光伏组件因组件内部电池片互联的局部连接失效而引起的电流局部富集问题，提高了光伏发电系统的安全性。
一种电池组件发电系统

[发明专利]一种晶硅光伏发电系统-CN202310668361.2有效
发明人：胡雷振;孟思霖;张之广 -专利权人：江苏科来材料科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H02S40/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅光伏发电系统，具体涉及光伏发电技术领域，包括晶硅光伏板，所述晶硅光伏板的外壁设有四氟乙烯透明厚膜卷，所述四氟乙烯透明厚膜卷的内壁且靠近其底部位置处设有维保机构；所述维保机构包括设置在四氟乙烯透明厚膜卷内壁且靠近其底部位置处的驱动辊轮本发明采用维保机构使伺服减速电机带动驱动辊轮旋转，雨水会接触到四氟乙烯透明厚膜卷上表面，能够自动对四氟乙烯透明厚膜卷表面的灰尘杂质进行清理维护，确保晶硅光伏板正常发电，利用雨水更加节约水资源，晶硅光伏板后期维护起来更加方便
一种晶硅光伏发电系统

[发明专利]一种隔声型光伏百叶片及其制备方法-CN202210736598.5在审
发明人：魏青竹;况亚伟;王春智;陶渊 -专利权人：永臻科技股份有限公司;常州永臻智能新幕建筑系统科技有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： E06B9/264 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔声型光伏百叶片，包括叠加设置的发电组件和隔声组件，所述发电组件包括晶硅电池串组，所述晶硅电池串组的两面分别设置封装层，两层所述封装层外部分别设置透明层；所述隔声组件包括隔声基板玻璃，所述隔声基板玻璃通过支撑层与所述发电组件连接所述隔声型光伏百叶片具有发电功能的同时具有隔音功能。本发明还公开了一种隔声型光伏百叶片的制备方法，用于制造所述隔声型光伏百叶片。
一种隔声型光伏百叶及其制备方法

[实用新型]锡合金主栅线电极的晶硅光伏电池-CN202221913787.7有效
发明人：黄子健 -专利权人：苏州元昱新能源有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请涉及一种锡合金主栅线电极的晶硅光伏电池，包括：N型或P型的晶硅硅片，晶硅硅片上形成有PN结；正面电极与背面电极对称分布在晶硅硅片的两面；正面绝缘减反射膜覆盖在晶硅光伏电池的发射极表面；正面电极包括锡合金材料制作的正面锡合金主栅线电极和银浆材料制作的正面细栅线电极与发射极形成欧姆连接；正面锡合金主栅线电极设置在正面绝缘减反射膜表面，与正面细栅线电极电性连接，与正面绝缘减反射膜之间没有电性连接；背面电极包括锡合金材料制作的背面锡合金主栅线电极，背面锡合金主栅线电极与晶硅光伏电池背面细栅线电极或金属背电场形成电学连接
合金主栅线电极晶硅光伏电池

[发明专利]光伏电池表面钝化系统及钝化方法-CN201910738210.3在审
发明人：吴晓松;陈庆敏;李丙科;李建新 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池表面钝化系统及钝化方法，其中，所述光伏电池表面钝化系统至少包括多功能PECVD设备、退火炉及PEALD设备，退火炉位于多功能PECVD工序之后，退火炉和多功能PECVD设备的工艺腔室均与同一对应的石墨舟匹配，石墨舟载有硅片在退火炉和多功能PECVD设备之间整体传送，所述多功能PECVD设备对硅片的背面镀氧化硅膜、非晶硅层以及对非晶硅层的原位掺杂，对应的反应温度是400～600℃，所述退火炉将镀膜后的硅片加热至600℃以上，使非晶硅层转化为多晶硅层，然后降温至400～600℃；所述PEALD设备对硅片的正面镀氧化铝膜和氮化硅膜。
退火炉硅片光伏电池表面钝化系统非晶硅层石墨舟镀膜钝化氮化硅膜镀氧化硅多晶硅层工序步骤工艺腔室硅片正面简化设备刻蚀工序生产效率氧化铝膜原位掺杂整体传送加热匹配背面清洗转化

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件-CN202110943834.6在审
发明人：钱洪强;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件，包括获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；将硅片翻转180度，并在位于背面的非晶硅膜层的沿表面边缘覆盖掩膜；掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；在覆盖有掩膜的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；在位于正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池。本申请先在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层，然后翻转硅片，在位于背面的非晶硅膜层的表面覆盖掩膜，掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，掩膜遮挡宽度变窄，增加背面TCO膜层的面积，提升电池的效率
一种异质结太阳能电池及其制作方法异质结光伏组件

[发明专利]一种具有V型槽的光伏电池及其制备方法-CN201811033465.1在审
发明人：管先炳 -专利权人：苏州钱正科技咨询有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有V型槽的光伏电池及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：对所述N型单晶硅片进行双面制绒处理；接着在所述N单晶硅片的上下表面分别形成多个平行排列的对应的第一V形槽和第二V形槽，在所述N型单晶硅片的上表面和下表面各沉积一氧化铝薄层；在所述N型单晶硅片的上下表面依次沉积相应的非晶硅层、透明导电层以及电极。本发明的光伏电池的结构新颖且光电转换效率优异。
光伏电池制备上下表面沉积光电转换效率透明导电层单晶硅片非晶硅层制绒处理上表面下表面电极氧化铝薄层

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN202110163667.3在审
发明人：童洪波;张洪超;李华;刘继宇 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以降低局部钝化接触结构的制作难度，提高制作效率。该太阳能电池的制作方法包括如下步骤：提供一硅基底；在硅基底的正面形成隧穿层；在隧穿层上形成非晶硅层；对非晶硅层的目标部分进行处理，形成掺杂多晶硅区域和非晶硅区域；去除非晶硅区域，获得位于硅基底正面的局部钝化接触结构
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法-CN202011147172.3在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，所述方法包括如下步骤：硅片预清洗；PSG氧化层沉积及高温处理；去除表面的PSG/USG氧化层，用碱液去损伤和制绒，并清洗；PECVD镀膜制备表面钝化膜层和掺杂膜层本发明把P型掺杂的薄膜层前置，可以降低对硅片品质的敏感性，为了消除原有P型非晶硅的缺点，用含氧型P型微晶代替传统P行非晶硅膜层，同时增大能带带隙和提高导电性，传统上成本较低的铸锭单晶方式也可以导入异质结的规模量产
一种掺杂朝前异质结光伏电池制备方法

[发明专利]高光电转换效率的三层型太阳能电池-CN201010562915.3无效
发明人：张一熙;梅长锜;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明是关于一种高光电转换效率的三层型太阳能电池，其包括透明基板、第一电极、第二电极、红外光转换层以及依序配置于第一电极与第二电极之间的第一n型半导体层、第一非晶硅本质层、第一p型半导体层、第二n型半导体层、第二非晶硅本质层、第二p型半导体层、第三n型半导体层、微晶硅本质层与一第三p型半导体层；该第一电极配置于透明基板上；该第二电极配置于第一电极与透明基板之间；该第一n型半导体层位于第一非晶硅本质层与第二电极之间；该红外光转换层配置于第一n型半导体层与第二电极之间，用以将红外光转换为可见光。
光电转换效率三层太阳能电池

[发明专利]一种具有HAC-D特征的晶体硅双面太阳电池结构-CN201810198890.X在审
发明人：黄海宾;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种具有HAC‑D特征的晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由重掺杂n型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；其背电场面由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅层、透明导电氧化物TCO层、金属栅线II，金属栅线II部分覆盖透明导电氧化物TCO层。本发明保持了双面进光特性，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，提高了晶体硅太阳电池的发电能力。
透明导电氧化物金属栅线重掺杂双面太阳电池本征非晶硅钝化层晶体硅钝化基底载流子晶体硅太阳电池串联电阻导电区域短路电流发电能力发射极面减反射层开路电压场钝化电场面发射极光区域光特性传输覆盖

[实用新型]一种高转化效率的异质结电池-CN201922106571.4有效
发明人：黄金;李高非;王继磊;高勇;郑静;贾慧君;刘学飞;李文敏 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高转化效率的异质结电池，其特征在于，包括：基底，所述基底为晶体硅片；在所述基底正面依次生长的i型本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜及多层正面TCO薄膜；在所述基底背面依次生长的i型本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜及一层背面TCO薄膜；及在所述多层正面TCO薄膜及背面TCO薄膜上设置的金属电极。本实用新型中的异质结电池提高光的利用率，增加短路电流密度，使异质结电池的转换效率得到大幅度提升。
一种转化效率异质结电池

[发明专利]一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法-CN201510662798.0在审
发明人：杨与胜;王树林;宋广华;罗骞;庄辉虎;张超华 -专利权人：钧石(中国)能源有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法，所述方法包括a)在N型硅片的两面制绒，形成金字塔绒面；b)在制绒后的N型硅片的其中一面沉积第一本征非晶硅薄膜层和N型非晶硅薄膜层，另一面上沉积第二本征非晶硅膜层和P型非晶硅薄膜层；c)在N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层上沉积透明导电薄膜层；d)在N型硅片两面的透明导电薄膜层上沉积金属层；e)在N型硅片两面的金属层上形成金属栅线电极；f)去除金属栅线电极区域外的金属层本发明可以使低温金属与透明导电膜之间形成好的接触，同时可以去除金属栅线边缘的高分子遮挡层，有利于降低电池的串联电阻，增加太阳能电池的有效吸收光，进而提升转换效率。
一种双面发电异质结太阳能电池制备方法