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[实用新型]一种建筑用装饰板-CN201420453322.7有效
发明人：齐敬春 -专利权人：临沂大学
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： E04F13/074 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种建筑用装饰板，包括一木制基板以及一发光二极管，还包括两块L型非晶硅薄膜电池、一缓震隔音棉以及一防辐射板，两块L型非晶硅薄膜电池呈对称状通过固定装置固定于木制基板上下两端，发光二极管安装于两块L型非晶硅薄膜电池之间、和两块L型非晶硅薄膜电池电性连接、且和两块L型非晶硅薄膜电池之间留有一定间隙，缓震隔音棉嵌设、紧贴于两块L型非晶硅薄膜电池后端且恰好将发光二极管和非晶硅薄膜电池之间的间隙填满；防辐射板嵌设于两块L型非晶硅薄膜电池之间且位于缓震隔音棉和木制基板之间；本建筑用装饰板可自行解决光源问题，可阻挡有害辐射源以及隔音，且隔音材料经济性较好。
一种建筑装饰

[实用新型]PERC太阳能电池片、电池组件和光伏系统-CN202220817872.7有效
发明人：史元喆;时宝;林纲正;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种PERC太阳能电池片、电池组件和光伏系统，PERC太阳能电池片包括基片、第一氢化本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一导电层和第一金属栅线。第一氢化本征非晶硅层设置在扩散层上，第一掺杂非晶硅层设置在第一氢化本征非晶硅层上，第一掺杂非晶硅层的极性与扩散层的极性相同。第一导电层设置在第一掺杂非晶硅层上。如此，第一氢化本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层的设置可以对基片的扩散层实现全表面钝化，避免第一金属栅线与基片接触处钝化缺失而导致的高表面负荷状况，提高载流子的收集几率。
perc 太阳能电池电池组件系统

[实用新型]无边框非晶薄膜光伏组件的固定支架-CN201120382056.X有效
发明人：刘首泽;王保利;张朝辉;焦翠坪;于超;康锡军 -专利权人：保定天威集团有限公司;天威新能源系统工程（北京）有限公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无边框非晶薄膜光伏组件的固定支架，属于太阳能光伏发电技术领域。本实用新型降低非晶硅薄膜组件支架系统的成本、减少非晶硅薄膜组件的破损率、提高非晶硅薄膜组件的安装效率，同时实现材料的节省。
边框薄膜组件固定支架

[发明专利]一种新型太阳能电池及其制备方法、一种光伏系统-CN202010071095.1在审
发明人：徐冠群;金井升;张昕宇;金浩;杨楠楠;赵迎财 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型太阳能电池的制备方法，通过在硅衬底的正面进行单面制绒；在完成制绒的硅衬底的正面设置相应扩散层，形成PN结；在所述硅衬底的背面设置本征氢化非晶硅层；在所述本征氢化非晶硅层表面设置同掺杂氢化非晶硅层本发明通过将常规太阳能电池的正面结构与HIT电池的背面结构相结合，使得得到的新型太阳能电池可在避免传统HIT电池正面非晶硅吸光的前提下，通过背面的所述本征氢化非晶硅层及所述同掺杂氢化非晶硅层形成的异质结本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的新型太阳能电池及光伏系统。
一种新型太阳能电池及其制备方法系统

[实用新型]电池和光伏组件-CN202123337609.2有效
发明人：崔巍;姚铮 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池和光伏组件，电池包括：硅衬底；第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层；第一透明导电膜层；以及至少两组第二透明导电膜层，至少两组第二透明导电膜层在第二掺杂非晶硅层的背面上层叠设置由此，通过在电池的背面设置至少两组第二透明导电膜层，并且每组第二透明导电膜层包括：至少两层层叠设置的第二透明导电膜层，至少两层第二透明导电膜的折射率不同，这样可以提高电池背面的反射率，使透过硅衬底的光可以更多地返回至硅衬底
电池组件

[发明专利]一种太阳能电池低成本金属化工艺制备方法-CN202211204722.X在审
发明人：王浩;郭万武;张梦维;王珊珊;高勇 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池低成本金属化工艺制备方法，先对单晶硅片进行碱制绒；双面本征非晶硅淀积；正面P型非晶硅生长和掺杂，背面N+型非晶硅生长和掺杂；正面TCO薄膜生长，背面TCO薄膜生长；背面镀Cu；本发明解决丝网印刷在光伏电池中制作成本过高问题，通过对PVD镀铜工艺和丝网印刷工艺的复合使用，以达到降低银耗减低成本的目的，同时利用印刷掩膜工艺实现栅线的选择性腐蚀，实现背面栅线的高宽比可控，在降低制作成本的同时保证背面功率可控
一种太阳能电池低成本金属化工艺制备方法

[实用新型]一种光伏遮阳板及光伏遮阳系统-CN202122853122.3有效
发明人：马凤琴 -专利权人：马凤琴
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：一种光伏遮阳板及光伏遮阳系统，包含晶硅组件和叶片。叶片为机翼型。晶硅组件的背光面为曲面并且朝向叶片。晶硅组件固定在叶片上。固定方式包括机械固定和胶粘固定。晶硅组件中沿叶片短边方向相邻的晶硅电池之间通过导体并联或无导体连接。晶硅组件背板为叠层结构，其中有结构增强层。该光伏遮阳板解决了现有技术的形状、重量、安全、发热、散热等问题。
一种遮阳板遮阳系统

[发明专利]一种高效发电的光伏百叶片制造方法及光伏百叶片-CN202110819311.0在审
发明人：魏青竹;姬明良;蒋建慧;王春智;何招华;徐坚;黄惠龙 -专利权人：永臻科技(常州)有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种高效发电的光伏百叶片制造方法，根据光伏百叶片的尺寸形状确定对晶硅电池原片的切割方式以及切割后晶硅电池片的叠盖连接方式；将切割后得到的若干晶硅电池片依次进行叠盖操作形成晶硅电池串，层压封装后进行接线操作，制成光伏百叶片。采用所述高效发电的光伏百叶片制造方法可以提高单位面积内晶硅面积占比，减少焊带使用，降低切割次数，提高发电量和可靠性。本发明还提供一种采用所述高效发电的光伏百叶片制造方法制造的光伏百叶片。
一种高效发电百叶制造方法

[发明专利]一种提高光电转换效率的异质结电池-CN202111620193.7有效
发明人：吴智涵;王永谦;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种提高光电转换效率的异质结电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，以及沉积于所述n型硅基底正背面的本征非晶硅；所述n型硅基底的正面自上而下依次设置有正面电极、第一TCO层、混合层以及本征非晶硅，且所述n型硅基底的背面自下而上依次设置有背面电极、第二TCO层、掺杂非晶硅以及本征非晶硅；通过这种混合相的膜层设计，可以在保证HJT电池其它参数保持同一水平的前提下，打破HJT电池对于光生电流的上限，从而使其能够达到更高的转换效率
一种提高光电转换效率异质结电池

[发明专利]一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法-CN201810884251.9有效
发明人：封先锋;李雨菲;高萌 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：在经过清洗、去损伤层、制绒的单晶硅基体的正面依次沉积本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；在电池背面沉积本征非晶硅背钝化层；在背钝化层的表面以掩膜法沉积P型非晶硅层，然后直接沉积P型非晶硅层和N型非晶硅层之间的绝缘隔离层，并采用光刻法按预设的绝缘隔离层宽度进行刻蚀；进一步以掩膜法沉积背面N型非晶硅层；最后采用掩膜工艺依次沉积透明导电薄膜、金属膜形成接触层，完成本发明的太阳电池制备。本发明提高了HBC单晶硅太阳电池背面结构图形的制备工艺精度，减小了隔离层宽度，提高了光生载流子的收集概率和HBC太阳电池的短路电流密度。
一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法

[发明专利]一种光伏储能电感和逆变电感的混合磁路结构-CN202310174831.X在审
发明人：曹开华 -专利权人：东莞市嘉龙海杰电子科技有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种光伏储能电感和逆变电感的混合磁路结构，包括有磁芯底板和设置于磁芯底板上的M组电感线圈组件、N个非晶磁芯块；磁芯底板为铁硅或铁硅铝材料；电感线圈组件包括有上端磁芯块、磁芯中柱和电感线圈，上端磁芯块、磁芯中柱为铁硅或铁硅铝材料；非晶磁芯块的底端面及上端左、右侧面均为未喷涂绝缘层的切割面；M与N均为正整数，且M大于N；非晶磁芯块的底端面的未喷涂绝缘层的切割面与磁芯底板相连接，非晶磁芯块的上端左、右侧面的未喷涂绝缘层的切割面分别与左其有效降低损耗，同时可降低成本，提高光伏逆变器整机效率，从而可实现效率改善与低成本设计的兼顾。
一种光伏储能电感混合磁路结构

[发明专利]一体化光伏建筑屋顶瓦-CN201210263717.6无效
发明人：赵璇雯;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：赵璇雯;张玉林
申请日： 2012-07-29 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： E04D13/18 文献下载
摘要：一体化光伏建筑屋顶瓦包括多功能接线盒、抗反射层、面电极、栅线、透明导电氧化物薄膜、非晶硅薄膜太阳能子电池层、背电极、柔性衬底、粘合层、曲面瓦托或平面瓦托。粘合层粘盖在曲面瓦托（或平面瓦托）的顶面，同时粘盖在柔性衬底的底面；背电极覆盖在柔性衬底的顶面；非晶硅薄膜太阳能子电池层在背电极的顶面；透明导电氧化物薄膜在非晶硅薄膜太阳能子电池层的正面；栅线印刷在透明导电氧化物薄膜表面本发明还揭露了所述一体化光伏建筑屋顶瓦的制造方法。本发明属真正意义上的光伏建筑一化屋顶瓦，其转化光谱广、效率高。
一体化建筑屋顶

[实用新型]一种可旋转式太阳能湿地污水处理系统-CN201520345159.7有效
发明人：邵振华;宁亚军;顾佳涛;姜建清 -专利权人：杭州科瑞特环境技术有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：人工湿地处理系统由垂直流人工湿地和水平流人工湿地串联而成，均设置在棚式薄膜光伏太阳能温室中，棚式薄膜光伏太阳能温室的顶部外表面敷设非晶硅薄膜式太阳能电池板，太阳光能照射到非晶硅薄膜式太阳能电池板时，一部分转化为电能存储在蓄电池中，用于对整个处理系统进行供电，另一部分透过非晶硅薄膜式太阳能电池板用于植物的光合作用。本实用新型的污水处理系统处理效率高，且棚式薄膜光伏太阳能温室既满足了植物各个季节正常生长的光照和温度需要，又实现了低成本光能发电，具有良好的经济效益和环境效益。
一种旋转太阳能湿地污水处理系统

[发明专利]光伏器件及其制造方法-CN201680060894.0有效
发明人：伯特兰·帕维耶-所罗门;安德里亚·托马西;马蒂厄·德斯佩斯;C·巴立夫 -专利权人：瑞士CSEM电子显微技术研发中心
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：提出了一种光伏器件，该光伏器件包括具有p型掺杂或n型掺杂的硅基衬底(2)，其中本征缓冲层(4)位于所述衬底上。第一类型掺杂的第一硅层(6)位于本征缓冲层的预定区域(4a)上。第一硅层具有处于所述预定区域(4a)之间的间隙(5)。第一硅层在其远离衬底的这一侧至少部分地包括微晶层。第二类型掺杂的微晶硅层(8)位于所述第一硅层(6)上。第二类型掺杂的第三硅层(10)在位于所述本征缓冲层上的间隙处，第三硅层在其面对所述硅基衬底的这一侧是非晶的并且在远离本征缓冲层的这一侧至少部分地包括微晶层部分。
器件及其制造方法

[发明专利]一种金属绝缘层半导体结构的制造方法-CN201610795147.3有效
发明人：磨光阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出了一种金属绝缘层半导体结构的制造方法，该结构包括在基板上从内至外依次堆叠的氢化非晶硅薄膜、高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜、金属层和光刻胶层。该方法包括湿法蚀刻金属层的步骤，灰化光刻胶层、氢化非晶硅薄膜和高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜的步骤，干法蚀刻氢化非晶硅薄膜和高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜的步骤，湿法蚀刻金属层的步骤。本发明适用于金属绝缘层半导体结构的光掩膜。
一种金属绝缘半导体结构制造方法