“型非晶硅光伏”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4009724个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法-CN201510731381.5有效
发明人：尤宇文;宋广华 -专利权人：钧石(中国)能源有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法，包括：在n型硅衬底一面沉积本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积透明导电氧化物层，在所述透明导电氧化物层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积种子层；在种子层上覆光阻材料层，将光阻材料层经过曝光显影后形成金属栅线图案并暴露出种子层；所述锡层的保护方法还包括步骤：在暴露出的种子层表面制作导电栅线叠层和助焊层，然后在助焊层上制作一层保护层，最后将光阻材料层去除，再用化学腐蚀液去除其覆盖位置的种子层、阻挡层以及保护层暴露出电池表面和助焊层。
一种制备太阳能电池金属栅线中锡层保护方法

[发明专利]一种高效光伏装置及其多层塔式结构-CN202211066869.7在审
发明人：王纪安 -专利权人：王纪安
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H02S10/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效光伏装置及其多层塔式结构，一种高效光伏装置可以免安装使用，节约成本，并且不受阳光角度的影响，部分太阳光线透过透光软板直接照射在硅晶板的正面进行光伏发电；部分太阳光线透过透光间隙照射在锥形反光板上，然后反射到硅晶板的反面进行光伏发电；还有部分太阳光线透过光伏筒顶部直接照射在硅晶板的反面或照射在锥形反光板上反射到硅晶板的反面进行光伏发电，确保了光伏发电的效率。在光伏发电的基础上增加了螺旋型风力发电装置，满足保证阴雨天气下持续供电。采用多层塔式结构安装，可以节约土地，合理的利用空间，并且可以尽可能的避免多个高效光伏装置之间的对阳光的相互阻挡，提高空间的利用率和发电的效率。
一种高效装置及其多层塔式结构

[发明专利]一种高透光全玻光伏护栏-CN202210170242.X在审
发明人：姬明良;魏青竹;王春智;汪献利 -专利权人：永臻科技股份有限公司;常州永臻智能新幕建筑系统科技有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： E04H17/00 文献下载
摘要：一种高透光全玻光伏护栏，包括至少一个光伏护栏组件，光伏护栏组件包括有光伏护栏单体、光伏接线盒和固定底座，光伏接线盒嵌置于固定底座的内部，光伏护栏单体的底部嵌置固定于固定底座中并与光伏接线盒电性连接，光伏护栏单体为多层结构且至少包括有一层光伏晶硅电池层，光伏晶硅电池层包括有多个上下阵列排布的光伏晶硅电池串，多个光伏晶硅电池串并联设置且通过汇流导带与光伏接线盒电性连接，光伏护栏单体位于相邻两个光伏晶硅电池串之间的位置为护栏透光区。本发明提供的一种高透光全玻光伏护栏栏为全玻护栏，且具有与建筑适配性高、透光性其好和外观更优的特点。
一种透光全玻光伏护栏

[发明专利]双面异质结太阳能电池及光伏组件-CN202310445879.X在审
发明人：蒋成伟;郎泽萌;刘洋;赵海亮;李晶;刘东阳 -专利权人：中广核新能源六安有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种双面异质结太阳能电池及光伏组件，包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底受光面突出设置有若干间隔均匀的硅片带，所述硅片带与单晶硅衬底一体化设置，所述单晶硅衬底位于硅片带形成的凹槽内由内至外依次设置有第一本征非晶层和第一掺杂非晶层，所述导电反射层底部设置有单向进光膜，所述导电反射层包括第二本征非晶层和第二掺杂非晶层，所述第二本征非晶层和第二掺杂非晶层设置于单向进光膜上，本发明在单晶硅衬底的受光面设置双层受光区域，利用导电反射层对照射在其受光表层的光线进行光能的转化利用，同时利用导电反射层与单晶硅衬底形成的悬空陷光区进一步对光线进行捕捉，有效提升了光能的吸收率，进而提高光能的转化率。
双面异质结太阳能电池组件

[发明专利]一种液晶空间光调制器-CN201710375233.3有效
发明人：蒋向东;明洋舟;王继岷;高升旭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供了一种液晶空间光调制器，属于液晶器件技术领域。本发明在原有光伏型反射式液晶空间光调制器的基础上，将传统光敏层改进为由非晶硅薄膜及沉积于非晶硅薄膜上的锡硅合金薄膜形成复合薄膜结构的新型光敏层，进而实现了通过光敏层两端电压调控器件的光谱响应范围，并且，基于锡硅合金薄膜具有锡含量达到一定值时可以从间接带隙半导体转化成直接带隙半导体的性质，能够提高器件的图像分辨率以及光响应度和灵敏度。
一种液晶空间调制器

[发明专利]一种基于低价晶硅片的叠层太阳能光伏电池-CN201611173877.6在审
发明人：王珺;郭群超;朱红英;丁云飞;朱晨烜 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低价晶硅片的叠层太阳能光伏电池，包括位于下层的PN单结晶硅电池、以及位于上层的PIN非晶硅薄膜电池，所述PN单结晶硅电池和PIN非晶硅薄膜电池通过外延技术沉积的晶硅层。
一种基于低价硅片太阳能电池

[发明专利]一种包含氮化硅减反射层的硅异质结太阳电池及制备方法-CN202010368808.0在审
发明人：刘超;李正平;杨杰;任栋樑;陈昌明;徐小娜;周国平 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-02 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含氮化硅减反射层的硅异质结太阳电池及制备方法。所述太阳电池以n型单晶硅片为衬底，在衬底的正面设有非晶硅本征层、p型非晶硅发射极层、透明导电氧化物介质层、氮化硅减反射层和金属栅线电极；在衬底的背面设有非晶硅本征层、n型非晶硅背电场层、透明导电氧化物介质层制备方法为：在衬底的正/背面沉积非晶硅本征层、p型非晶硅发射极层/n型非晶硅背电场层；沉积透明导电氧化物介质层；沉积氮化硅减反射层；激光开槽；丝网印刷银浆；烧结。本发明能够平衡光的透过与反射，能够尽量减少入射光的反射，而同时又能使得更多的光学折射并透进电池，提高光电流，从而提高异质结电池转换效率。
一种包含氮化反射层硅异质结太阳电池制备方法

[实用新型]红外对射报警器独立供电系统-CN201320173924.2有效
发明人：解欣业;宋吉福 -专利权人：威海中玻光电有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能的应用，具体地说是一种红外对射报警器独立供电系统，其特征在于包括非晶硅太阳能薄膜电池板、光伏控制器和蓄电池，非晶硅太阳能薄膜电池板为10W，电池板发出直流电能经导线送入光伏控制器，光伏控制器将非晶硅太阳能薄膜电池板发出的电能，经过稳压、稳流、最大功率点跟踪处理后，经导线分别与红外对射报警器和蓄电池相连接，本实用新型根据光照强度，自动控制蓄电池释放电能供红外报警器工作，或关闭蓄电池开关，由非晶硅太阳能薄膜电池板释放出电能供红外报警器工作
红外对射报警器独立供电系统

[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[实用新型]一种光伏温室大棚及其薄膜太阳能电池屋顶-CN201520908402.1有效
发明人：刘文;刘路青;钱大憨;张放心;李明;王启星 -专利权人：中国科学技术大学先进技术研究院
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/046 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池屋顶，包括太阳能电池层，太阳能电池层包括设在同一工作面的非晶硅薄膜太阳能电池和碲化镉薄膜太阳能电池，其中，非晶硅薄膜太阳能电池允许透过植物生长所需要的部分光强的红光，碲化镉薄膜太阳能电池允许透过植物生长所需要的部分光强的蓝光，这样透过太阳能电池层的太阳光能够更好地满足了植物生长对红光和蓝光的光照需要，同时因为非晶硅薄膜太阳能电池和碲化镉薄膜太阳能电池并用，从而提高了光伏发电效率，真正实现了光伏温室大棚进行光伏发电和农作物种植的双重功能本实用新型还提出了一种应用上述薄膜太阳能电池屋顶的光伏温室大棚。
一种温室大棚及其薄膜太阳能电池屋顶

[发明专利]一种具有局域非晶硅/晶体硅异质结特性的双面太阳电池结构-CN201810198904.8在审
发明人：袁吉仁;周浪;黄海宾;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种具有局域非晶硅/晶体硅异质结特性的双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由重掺杂p型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成；后者由本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线II构成。本发明保持了双面进光特性，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，提高了太阳电池的发电能力。
重掺杂钝化双面太阳电池本征非晶硅导电区域减反射层金属栅线背电场钝化层非晶硅光区域晶体硅异质结载流子透明导电氧化物串联电阻短路电流发电能力发射极面晶体硅层开路电压场钝化发射极光特性基底传输

[发明专利]晶硅光伏组件削边刀和削边装置-CN201610908425.1有效
发明人：宋华辉;刘洪明;黄俊哲;李阳;王乃明;覃冬梅;胡杰 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： B26B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶硅光伏组件削边刀和削边装置。该晶硅光伏组件削边刀包括刀刃(1)，刀刃(1)上具有留胶槽(2)。根据本发明的晶硅光伏组件削边刀，能够使胶膜削割完成之后的晶硅光伏组件具有更好的防水性以及防撞性。
晶硅光伏组件削边刀装置

[发明专利]一种异质结晶体硅双面太阳电池结构-CN201810198937.2在审
发明人：岳之浩;周浪;黄海宾;袁吉仁;高超 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种异质结晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由钝化减反射层II；背电场‑导电区域由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线II。本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
钝化导电区域光区域背电场基底晶体硅太阳电池结晶体双面太阳电池本征非晶硅减反射层金属栅线钝化层发射极重掺杂异质短路电流发电能力发射极面开路电压

[实用新型]一种异质结晶体硅双面太阳电池结构-CN201820330992.8有效
发明人：岳之浩;周浪;黄海宾;袁吉仁;高超 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种异质结晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由钝化减反射层II；背电场‑导电区域由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线II。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
钝化导电区域光区域背电场基底晶体硅太阳电池结晶体双面太阳电池本征非晶硅减反射层金属栅线钝化层发射极重掺杂异质本实用新型短路电流发电能力发射极面开路电压

[发明专利]一种双面发电的背接触异质结太阳能电池及其制作方法-CN201811065843.4在审
发明人：黄巍辉;张宇;张超华;谢志刚;王树林;林朝晖 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面发电的背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其结构包括双面制绒的N型或P型单晶硅片，依次设在单晶硅片正面上的钝化膜层和透明减反层，交叉设置在单晶硅片背面上的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，设在第一本征非晶硅层上的P型非晶硅层和第二本征非晶硅层上的N型非晶硅层，设在P型非晶硅层和N型非晶硅层之间交叠区的第一透明绝缘层，设在P型非晶硅层和N型非晶硅层上的透明导电层，依次设在透明导电层上的金属导电层本发明具有双面受光发电的优异特性，正面受光面积达100％，背面受光面积可大于50％，提高背接触太阳电池的实际发电功率，制作方法简洁易控，工艺简单，易于大规模量产的实现。
一种双面发电接触异质结太阳能电池及其制作方法

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条