专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]碳化硅纵场效应晶体管-CN201280015887.0有效
  • 原田祐一;原田信介;星保幸;岩室宪幸 - 富士电机株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
  • 2012-04-06 - 2017-03-08 - H01L29/78
  • 本发明的课题在于在对漏极电极施加高电压时,实现不会对栅极绝缘膜施加大的电场,能够提高栅极绝缘膜的破坏耐量的碳化硅纵场效应晶体管。该碳化硅纵场效应晶体管的特征在于,具备第1导电的碳化硅基板和形成于该第1导电碳化硅基板表面上的低浓度的第1导电碳化硅层;选择性地形成于该第1导电碳化硅层表面上的第2导电区域;形成于该第2导电区域内的第1导电源极区域;在第2导电区域内的第1导电源极区域之间形成的高浓度的第2导电区域;与该高浓度的第2导电区域以及第1导电源极区域电连接的源极电极;从形成于相邻的第2导电区域的第1导电源极区域到第2导电区域以及第1导电碳化硅层上所形成的栅极绝缘膜;形成于该栅极绝缘膜上的栅极电极;第1导电碳化硅基板的背面侧上的漏极电极,该碳化硅纵场效应晶体管中,在第2导电区域与第1导电碳化硅层之间设置雪崩产生单元
  • 碳化硅场效应晶体管
  • [发明专利]半导体结构-CN200510126898.8无效
  • 许村来;陈佑嘉 - 联华电子股份有限公司
  • 2005-11-25 - 2007-05-30 - H01L27/02
  • 一种半导体结构,包括第一导电衬底、第一导电井区、集成电路区、隔离结构及第二导电掺杂区。第一导电井区设置于第一导电衬底中。集成电路区设置于第一导电井区上。隔离结构设置于第一导电衬底中并环绕集成电路区。第二导电掺杂区设置于第一导电衬底中并环绕隔离结构。
  • 半导体结构

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