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[实用新型]圆片封装结构-CN201320195459.2有效
发明人：缪小勇 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种圆片封装结构，所述封装结构包括半导体芯片，所述半导体芯片上设置有焊盘和钝化层，所述钝化层设置于半导体芯片上的焊盘以外的上表面，在焊盘和钝化层上依次设置有保护层、种子层和金属再配线层，本实用新型的圆片封装结构解决了再配线厚度大于12um时引发的半导体芯片翘曲的问题，降低了由于半导体芯片翘曲引发的作业难度高及半导体出现断裂的风险。
封装结构

[外观设计]圆片转移结构-CN202230738286.9有效
发明人：房俊 -专利权人：苏州霞飞诺自动化设备有限公司
申请日： 2022-11-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：圆片转移结构。2.本外观设计产品的用途：用于将圆片工件转移至下道工序进行加工。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
转移结构

[发明专利]圆片键合质量可靠性测试结构及可靠性测试方法-CN202010160624.5有效
发明人：董显山;来萍;黄钦文;黄云;杨少华 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种圆片键合质量可靠性测试结构及可靠性测试方法；其中，圆片键合质量可靠性测试结构，包括依次相接触串联固定在机械支撑层上的多个圆片键合结构组件；还包括设于首个圆片键合结构组件处的第一测试位点，和设于末端圆片键合结构组件处的第二测试位点；圆片键合结构组件包括通过导电的桥梁结构连接的两个圆片键合结构；圆片键合结构包括依次层叠在机械支撑层上的金属层、结构层；任一圆片键合结构的结构层通过桥梁结构连接另一圆片键合结构的结构层；任一圆片键合结构的金属层与相邻圆片键合结构组件中任一圆片键合结构的金属层通过金属布线相接触；本申请可通过测试圆片键合结构的接触电阻，实现对圆片键合的无损检测。
圆片键合质量可靠性测试结构方法

[实用新型]圆片级封装结构-CN201020002472.8无效
发明人：王新潮;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2010-01-01 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种圆片级封装结构，包括圆片(5)，所述圆片(5)包括金属层压区(1)，其特征在于在所述圆片(5)的金属层压区(1)的位置植入有下层导电金属物质(2)，在所述圆片(5)和下层导电金属物质(本实用新型圆片级封装结构成本更低、生产工艺流程更短以及生产品质更高。
圆片级封装结构

[实用新型]半导体结构、圆片以及圆片测试装置-CN202020819324.9有效
发明人：肖金平;逯永建;闻永祥;贾利芳 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体结构、圆片以及圆片测试装置，该半导体结构包括：衬底；沟道层，衬底上；势垒层，位于沟道层上；栅结构，位于势垒层上，用于接收预设电压以导通所述沟道层；第一隔离层，位于沟道层上，并围绕势垒层；以及第二隔离层，位于第一隔离层上，并围绕所述栅结构，其中，势垒层的表面具有依次相邻并相互分隔的第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域，栅结构具有多个开口，多个开口分别暴露第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域，该半导体结构用于测试外延层的电学参数。
半导体结构以及测试装置

[发明专利]对封装应力不敏感的MEMS芯片的制造方法及其MEMS芯片-CN201510114611.3有效
发明人：华亚平 -专利权人：安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对封装应力不敏感的MEMS芯片的制造方法，步骤如下：取SOI圆片，其顶层Si制作下电极，蚀刻顶层Si形成下电极图形；取单晶Si圆片，光刻、Si蚀刻形成底板圆片；将SOI圆片与底板圆片对准，进行硅-二氧化硅键合、退火，形成键合圆片，键合圆片中SOI圆片的底层Si研磨形成MEMS活动结构层；在MEMS活动结构层上淀积金属层，形成金属压焊块；蚀刻MEMS活动结构层，释放MEMS活动结构；取单晶Si圆片，光刻、Si蚀刻形成盖板圆片；将盖板圆片与键合圆片对准键合，退火，形成密封圆片；工艺切割盖板圆片与密封圆片得到MEMS芯片。
封装应力敏感 mems 芯片制造方法及其

[实用新型]一种圆片托盘-CN201921682584.X有效
发明人：李学涛 -专利权人：无锡市华宇光微电子科技有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种圆片托盘，该圆片托盘采用一体式结构，具体结构为：包括托盘体，所述托盘体上开有放置圆片的圆片槽，所述圆片槽的底面开有多个贯通的孔；位于圆片槽旁边的托盘体边缘向外延伸有手柄；所述托盘体上还开有便于圆片取放的开口；所述托盘体和圆片槽为同心的圆形结构，开口为与托盘体同心的扇形结构，手柄与托盘体连接处设置有对称的圆角。本实用新型用于圆片的固定，尤其适用于圆片镜检时的固定，使得圆片稳定放置于承载平台上，大大便于工作人员的镜检工作，提高了工作效率，并避免了圆片的掉落损坏。
一种托盘

[实用新型]圆片旋涂改方片的结构-CN201921841315.3有效
发明人：杨巨椽;葛文志;陈银培;丁宇能;朱毅;翁钦盛 -专利权人：杭州美迪凯光电科技股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种圆片旋涂改方片的结构，包括在圆片上形成胶层的旋涂设备，所述的圆片可拆卸固定在旋涂设备上，所述圆片上设有若干相互交叉的分割槽，所述的分割槽围合成方片外形；所述的分割槽为激光切割缝，所述的胶层与分割槽开口处分别位于圆片相反侧面上；所述的圆片直径长度大于方片的对角线长度，所述圆片边缘与方片边缘之间设有操作区。
圆片旋涂改结构

[发明专利]一种晶圆封装结构及其制备方法-CN201811113171.X有效
发明人：杨鹏;陈建华;黄攀;严帅帅 -专利权人：苏州科阳光电科技有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶圆封装结构及其制备方法，其中，所述晶圆封装结构包括晶圆片，包括感光面以及与所述感光面相对设置的非感光面；封装盖板，设置于所述晶圆片感光面一侧，其中所述封装盖板在所述晶圆片所在平面上的垂直投影覆盖所述晶圆片；沟槽结构，形成于所述晶圆片的非感光面。采用上述技术方案，通过设置封装盖板在晶圆片所在平面上的垂直投影覆盖晶圆片，保证晶圆片的边缘不会超出封装盖板的边缘，保证晶圆在拿取转移过程中不会导致晶圆片与其他物体发生撞击，不会发生崩硅及硅裂现象，保证晶圆封装结构完整
一种封装结构及其制备方法

[实用新型]一种晶圆封装结构-CN201821565377.1有效
发明人：杨鹏;陈建华;黄攀;严帅帅 -专利权人：苏州科阳光电科技有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种晶圆封装结构，所述晶圆封装结构包括晶圆片，包括感光面以及与所述感光面相对设置的非感光面；封装盖板，设置于所述晶圆片感光面一侧，其中所述封装盖板在所述晶圆片所在平面上的垂直投影覆盖所述晶圆片；沟槽结构，形成于所述晶圆片的非感光面。采用上述技术方案，通过设置封装盖板在晶圆片所在平面上的垂直投影覆盖晶圆片，保证晶圆片的边缘不会超出封装盖板的边缘，保证晶圆在拿取转移过程中不会导致晶圆片与其他物体发生撞击，不会发生崩硅及硅裂现象，保证晶圆封装结构完整
晶圆片封装盖板封装结构晶圆垂直投影所在平面非感光感光面种晶本实用新型感光面相沟槽结构保证覆盖拿取

[发明专利]具有反向导通结构的Trench IGBT的制备方法-CN201310511559.6有效
发明人：邓小社;芮强;张硕;王根毅 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有反向导通结构的Trench IGBT的制备方法，包括如下步骤：提供第一圆片，在第一圆片的第一表面依次形成N buffer区域和高掺杂的N+区域；提供第二圆片，并将第一圆片和第二圆片键合，其中，第一圆片的第一表面与第二圆片直接接触；对第一圆片的第二表面进行减薄抛光至所需厚度；在第一圆片的第二表面完成Trench IGBT正面结构；将键合在一起的第一圆片和第二圆片分开，在第一圆片的第一表面依次形成这种具有反向导通结构的Trench IGBT的制备方法，通过第一圆片和第二圆片的键合，先进行减薄，接着完成Trench IGBT正面结构，从而不需要超薄片的光刻，显影等光刻设备，工艺简单。
圆片第一表面反向导通制备第二表面正面结构键合背面金属层光刻设备减薄抛光圆片键合高掺杂光刻减薄显影

[发明专利]一种复杂硅玻璃混合结构圆片的加工方法-CN201510023319.0无效
发明人：崔万鹏;刘冠东;李灵毓;桂一鸣;高成臣;郝一龙 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复杂硅玻璃混合结构晶圆的加工方法。复杂硅玻璃混合结构圆片包括不同形状的硅、玻璃、以及由硅与玻璃混合组成复杂的多维结构。该加工方法包括：在硅圆片上制备硅槽结构；将玻璃圆片之键合；或将玻璃粉填充至硅槽结构当中；采用高温炉热处理；采用化学机械抛光将圆片表面抛光；对于更复杂多层结构，采用以上步骤制备其他圆片；采用静电键合工艺将多个圆片键合或与硅圆片、玻璃圆片叠加键合，实现多层复杂硅玻璃混合结构。该类结构具有机械性能优越、电隔离简单、真空腔体与间隙控制精确、复杂结构易实现、结构可随要求设计的特点；同时该方法与其他微电子工艺兼容，无需担心后续封装的高温、无法电绝缘问题。
一种复杂玻璃混合结构加工方法

[实用新型]圆片和晶圆级芯片封装结构-CN202320331497.X有效
发明人：王孟禾;王利颖 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种圆片和晶圆级芯片封装结构，圆片包括圆片衬底和多个芯片单元，各芯片单元间隔设置在圆片衬底上，相邻两个芯片单元之间形成切割道，芯片单元包括布线层、第一钝化层和缓冲层，布线层位于圆片衬底上，第一钝化层设置在布线层背离圆片衬底的表面，缓冲层设置在第一钝化层背离布线层的表面。本申请实施例提供的圆片，能减小圆片开裂，降低圆片失效的风险。
晶圆级芯片封装结构

[实用新型]晶圆盒-CN201922329340.X有效
发明人：李骞;王海升;陈兴伟 -专利权人：青岛歌尔微电子研究院有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆盒，包括晶圆盒本体和设置在晶圆盒本体外侧壁上的晶圆片防插偏结构；在晶圆盒本体内侧壁上设置有晶圆片宽槽；晶圆片防插偏结构包括挡板和支撑结构；在挡板上设置有晶圆片卡槽，晶圆片卡槽的槽口与晶圆片宽槽的槽口位置相对应，挡板转动设置在所述支撑结构的一侧；在支撑结构的端部设置有连接结构，支撑结构通过连接结构与所述晶圆盒本体外侧壁连接。利用上述实用新型能够解决现有技术中晶圆插入晶圆盒卡槽时容易出现插斜插偏的问题，不需要人工反复检查、核对，节省人力、操作简单、灵活方便。
晶圆盒

[发明专利]晶圆级裸片堆叠结构和方法、裸片堆叠封装结构和方法-CN202110350813.3有效
发明人：胡顺;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级裸片堆叠结构和方法、裸片堆叠封装结构和方法。堆叠结构包括依次电耦合堆叠的多个晶圆组和顶部互连层，晶圆组各自独立地包括第一晶圆和第二晶圆，各第一晶圆裸片的表面具有第一连接结构以及延伸至第一晶圆裸片内且表面裸露的第一导电结构，各第二晶圆裸片的表面具有第二连接结构以及贯穿至第二晶圆裸片的第二导电结构，各晶圆组的第三连接结构为相互独立的CMOS电路，第一晶圆裸片的第一连接结构和第二晶圆裸片的第二连接结构一一对应地通过第三连接结构电耦合，第一导电结构和第二导电结构通过第三连接结构电耦合，第一导电结构之间电耦合或第二导电结构之间电耦合解决了现有技术中裸片堆叠成本高、体积大的问题。
晶圆级裸片堆叠结构方法封装

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