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- [发明专利]器件转移装置及其转移器件的方法、器件转移板-CN201710984927.7有效
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陈黎暄
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深圳市华星光电技术有限公司
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2017-10-20
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2020-12-04
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G02F1/13
- 本发明公开了一种器件转移装置及其转移器件的方法、器件转移板。所述装置包括承载台、器件转移板和磁性构件，承载台具有承载面，承载面用于承载待接收器件的阵列基板；器件转移板具有附着面，附着面用于附着待转移的器件，器件转移板用于将待转移的器件移动至承载台的上方，并用于使得待转移的器件面向阵列基板；磁性构件置于承载台内或者置于承载台背向承载面的表面处，磁性构件用于生成磁场，以及用于在待转移的器件位于阵列基板的上方时向待转移的器件施加磁场作用力；器件转移板还用于在待转移的器件位于阵列基板的上方时释放器件，以使器件在重力和磁场作用力的共同作用下转移至阵列基板上的预定位置处。本发明能快速地将大量的器件设置于阵列基板上。
- 器件转移装置及其方法
- [发明专利]一种功率控制方法及系统-CN201911380811.8有效
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雷德华;刘培超;刘主福
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深圳市越疆科技有限公司
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2019-12-27
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2020-11-03
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H02M1/00
- 本发明实施例通过当第一功率器件的运行时长大于预设的时长阈值时，逐步降低第一功率器件的运行功率，直至第一功率器件停止运行为止，所述第一功率器件为预设的功率器件集合中正在运行的功率器件，所述功率器件集合中的各个功率器件按照预设的工作顺序依次运行；在逐步降低第一功率器件的运行功率的同时，逐步提升第二功率器件的运行功率，直至第二功率器件达到预设的最大功率为止，所述第二功率器件为所述功率器件集合中按照所述工作顺序在所述第一功率器件之后运行的功率器件该过程解决了现有功率器件在工作过程中尖峰波动较大的问题，提高了功率器件的工作效率。
- 一种功率控制方法系统
- [实用新型]车辆及其电器件安装结构-CN202020938397.X有效
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孙峰;马功鸣
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长城汽车股份有限公司
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2020-05-28
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2021-01-29
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B60R11/02
- 本实用新型涉及车载电器件安装结构领域，提供一种车辆及其电器件安装结构，所述电器件安装结构包括安装主体、电器件本体和电器件壳体，所述电器件本体设置于所述电器件壳体中，所述安装主体上形成有电器件安装槽，所述电器件安装槽的内壁上和所述电器件壳体的外壁上相对应地分别形成有卡接凹槽和卡接凸起，所述电器件壳体的外壁形成有卡接弹片，所述卡接凸起设置在所述卡接弹片上，所述电器件壳体形成为当安装至所述电器件安装槽中时所述卡接弹片与所述电器件安装槽的内壁之间具有间隔，并且所述电器件壳体的外端上形成有与所述间隔连通的通孔；所述车辆包括所述电器件安装结构；本实用新型所述的电器件安装结构具有容易拆装的优点。
- 车辆及其器件安装结构
- [实用新型]移动热传导散热装置-CN200920311410.2无效
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赵继永
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赵继永
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2009-09-25
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2010-07-28
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H05K7/20
- 本实用新型涉及一种移动热传导散热装置，具有密闭壳体和设置在密闭壳体中的发热器件，发热器件一端转动连接调节螺栓，另一端连接高效导热器件，调节螺栓伸出密闭壳体外，并与固定连接在密闭壳体上的螺母啮合，所述高效导热器件由移动高效导热器件和固定高效导热器件两部分构成，移动高效导热器件固定连接在发热器件上随发热器件移动，固定高效导热器件与密闭壳体固定连接并伸出密闭壳体外连接散热器，移动高效导热器件与固定高效导热器件之间滑动接触。本实用新型的高效导热器件由移动高效导热器件和固定高效导热器件两部分组成，移动高效导热器件与固定高效导热器件之间滑动接触，移动热传导效果突出，热传导效果好，设计合理，实用性较强。
- 移动热传导散热装置
- [实用新型]橡皮筋取料机构-CN202123156681.5有效
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易良川;易良强
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易良川
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2021-12-15
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2022-05-24
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B65G47/90
- 本实用新型提供了一种橡皮筋取料机构，涉及取料机构技术领域，本实用新型提供的橡皮筋取料机构，包括：储料器件、吸料器件、移料驱动器件和扩张器件；储料器件与扩张器件间隔设置，吸料器件安装于移料驱动器件的活动端；移料驱动器件用于驱动吸料器件伸入储料器件内，并使储料器件自储料器件向扩张器件移动。本实用新型提供的橡皮筋取料机构，可吸取橡皮筋，并将橡皮筋套设在扩张器件上，相较于采用振动盘振动上料方式，提高了取料效率和取料成功几率。
- 橡皮筋机构
- [发明专利]芯片制造方法-CN201510859735.4在审
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王钊
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无锡中感微电子股份有限公司
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2015-11-30
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2016-04-20
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H01L21/66
- 本发明公开一种芯片制造方法，其包括：在晶圆上制造形成多个器件，器件中包括有测试器件和与测试器件对应的目标器件。在该测试器件属于典型工艺角时，采用具有第一图样的第一光刻板形成器件上方的金属层，使与测试器件对应的目标器件的特性参数值不变化；在该测试器件属于快工艺角时，采用具有第二图样的第二光刻板形成器件上方的金属层，使与测试器件对应的目标器件的特性参数值增加；在该测试器件属于慢工艺角时，采用具有第三图样的第三光刻板形成器件上方的金属层，使与测试器件对应的目标器件的物理特性参数值减少。与现有技术相比，本发明可以在制造过程中对所述器件的物理特性参数值进行调整，从而获得更高精度的物理特性参数。
- 芯片制造方法
- [发明专利]共源共栅级联的氮化镓器件封装结构-CN201710059793.8在审
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陈磊;阮颖
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上海电力学院
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2017-01-24
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2017-06-27
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H01L25/16
- 本发明涉及一种共源共栅级联的氮化镓器件封装结构，硅器件和GaN器件上下连接形成共源共栅级联结构，具体结构为硅器件栅极作为级联结构栅极，硅器件源极作为级联结构源极，GaN器件漏极作为级联结构漏极，硅器件源极与GaN器件栅极连接，GaN器件源极与硅器件漏极连接，GaN器件栅极与硅器件源极连接，电容器的一端直接连接到硅器件源极，另一端通过导线连接到GaN器件源极，封装排布硅器件位于GaN器件的上部，连接部分通过结构中间位置的焊盘连接整个结构能够有效降低共源共栅级联结构中存在的寄生电感，避免大电流关断情况下GaN器件发生发散振荡现象，能够有效延长GaN器件的使用寿命。
- 共源共栅级联氮化器件封装结构
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