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[发明专利]器件层互连-CN201910374596.4在审
发明人： M·博尔;M·科布林斯基;M·内伯斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本文描述的是与器件层互连相关联的集成电路(IC)结构、器件和方法。例如，IC管芯可以包括包含沿着半导体鳍状物的晶体管阵列的器件层、以及晶体管阵列中的器件层互连，其中器件层互连与晶体管阵列的多个不同的源极/漏极区电接触。
器件层晶体管阵列互连半导体鳍状物源极/漏极区电接触集成电路关联

[发明专利]异质层器件-CN201380080983.8有效
发明人： K·俊;P·莫罗 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，包括：包括NMOS器件的N层，所述NMOS器件具有全都与平行于衬底的第一水平轴相交的N沟道、源极和漏极；包括PMOS器件的P层，所述PMOS器件具有全都与平行于所述衬底的第二水平轴相交的
异质层器件

[发明专利]陶瓷叠层器件-CN200410045872.6无效
发明人：山田彻;瓜生一英;松村勉;石崎俊雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-06-27 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明的陶瓷体叠层器件包括具有通过层间通路孔3实现电气连接的多层配线图形2的第1陶瓷体，具有通过层间通路孔3实现电气连接的多层配线图形2的第2陶瓷体，以及在所述第1和第2陶瓷体之间夹持的热硬化性树脂片17实现了高性能化、小型化、低矮化、易制造、可靠性高的陶瓷叠层器件。
陶瓷器件

[发明专利]陶瓷叠层器件-CN01129567.8无效
发明人：山田彻;瓜生一英;松村勉;石崎俊雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-06-27 - 公布日： 2002-02-20 - 主分类号： H05K1/00 文献下载
摘要：本发明的陶瓷体叠层器件包括具有通过层间通路孔3实现电气连接的多层配线图形2的第1陶瓷体,具有通过层间通路孔3实现电气连接的多层配线图形2的第2陶瓷体,以及在所述第1和第2陶瓷体之间夹持的热硬化性树脂片17实现了高性能化、小型化、低矮化、易制造、可靠性高的陶瓷叠层器件。
陶瓷器件

[发明专利]陶瓷叠层器件-CN200410045873.0无效
发明人：山田彻;瓜生一英;松村勉;石崎俊雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-06-27 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明的陶瓷体叠层器件包括具有通过层间通路孔3实现电气连接的多层配线图形2的第1陶瓷体，具有通过层间通路孔3实现电气连接的多层配线图形2的第2陶瓷体，以及在所述第1和第2陶瓷体之间夹持的热硬化性树脂片17实现了高性能化、小型化、低矮化、易制造、可靠性高的陶瓷叠层器件。
陶瓷器件

[发明专利]氮化镓与硅器件和电路的单片集成、结构和方法-CN201110037228.4无效
发明人： F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：用于包括硅器件层和氮化镓(GaN)器件层的半导体器件的结构和方法。在实施方案中，硅器件层和GaN器件层具有彼此共平面的上表面。在另一实施方案中，GaN器件层并不直接位于硅器件层下面，和硅器件层并不直接位于GaN器件层下面。半导体器件还可包括在硅器件层上和/或内形成的硅基半导体器件，和在GaN器件层上和/或内形成的氮化物基半导体器件。GaN器件层可包括多个层，所述多个层可形成为共形遮盖层和然后平坦化，或者可选择性地形成然后平坦化。
氮化器件电路单片集成结构方法

[发明专利]OLED器件、AMOLED器件及其制造方法-CN201210048814.3有效
发明人：李延钊;王刚;李禹奉;张立 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种OLED器件、AMOLED器件及其制造方法，属于照明器件及显示器件制造领域，用以扩大OLED器件电极功函数的调节范围，提高OLED器件的发光效率；减少AMOLED器件的制造工艺，降低生产成本其中AMOLED器件包括，TFT有源层、像素电极层及OLED器件，所述OLED器件包括阴极层和功能层，所述像素电极层作为所述OLED器件的阳极层；或者，所述OLED器件包括阳极层和功能层，所述像素电极层作为所述OLED器件的阴极层；且所述TFT有源层、像素电极层由同一层IGZO薄膜经过构图工艺形成的。本发明实施例适用于照明器件及显示器件制造。
oled 器件 amoled 及其制造方法

[发明专利]光开关芯片-CN201710335111.1有效
发明人：赵飞 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G02B6/35 文献下载
摘要：本申请提供一种光开关芯片，该光开关芯片包括：第一器件层、第二器件层以及第一底层。第一器件层与第一底层连接；第一器件层和第二器件层上均分布有光开关矩阵、N个光耦合器件以及多个电极；第一器件层与第二器件层通过对第一器件层的多个电极与第二器件层的多个电极的垂直焊接，键合在一起；第一器件层的N个光耦合器件在第一器件层上的位置与第二器件层的N个光耦合器件在第二器件层上的位置相同。该光开关芯片通过将结构相同的两个器件层键合在一起，使得光纤可以从光开关芯片的同一部位耦合，耦合之后的光可以直接进入两个器件层的光开关矩阵，从而避免了较长的波导走线以及交叉波导，不会增加光开关芯片的插入损耗
器件层光开关芯片光耦合器件电极光开关矩阵耦合波导键合插入损耗垂直焊接底层连接同一部位走线光纤申请

[发明专利]全彩AMOLED显示器件及其生产方法-CN201911132439.9在审
发明人：陈鼎国;徐湘伦 -专利权人：武汉美讯半导体有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种高解析度全彩AMOLED显示器件及其生产方法，全彩AMOLED显示器件包括：驱动背板、发光器件，封装层和滤光层，发光器件包括阳极层、像素定义层、发光器件层，发光器件层包括多个有机发光器件的薄膜层，有机发光器件为蓝色发光器件或黄色发光器件；封装层包括不同的阻隔层；滤光层包括与多个有机发光器件一一对应的多个滤光层，滤光层为红色滤光层、绿色滤光层和透明滤光层中的一种。本申请提出了一种在主动阵列驱动背板上，以两色有机发光器件搭配对应的滤光层，制成全彩AMOLED显示器件的画素设计及发光器件图形化结构，以制作高分辨率的有机发光二极管显示器(AMOLED)。
全彩 amoled 显示器件及其生产方法

[发明专利]III族氮化物双向器件-CN201610935458.5有效
发明人： G·普雷科托;O·黑伯伦;C·奥斯特梅尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本文公开了III族氮化物双向器件的各个实施方式。这种双向器件包括衬底、位于衬底之上的背部沟道层以及位于背部沟道层之上的器件沟道层和器件势垒层。器件沟道层和器件势垒层被配置为产生器件二维电子气(2DEG)。此外，III族氮化物双向器件包括形成在器件势垒层之上的相应第一耗尽部分和第二耗尽部分上的第一栅极和第二栅极。III族氮化物双向器件还包括位于背部沟道层和器件沟道层之间的背部势垒。III族氮化物双向器件的背部沟道层的极化基本等于器件沟道层的极化。
iii 氮化物双向器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310174180.4在审
发明人：冯远皓;薛广杰;李乐 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区，所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上均形成有栅极结构；形成缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上，且所述缓冲层覆盖所述栅极结构；去除所述NMOS器件区上的缓冲层；形成应力层于所述缓冲层上；所述应力层为张应力层时，所述PMOS器件区上的缓冲层厚度大于所述NMOS器件区上的缓冲层厚度；所述应力层为压应力层时，所述NMOS器件区上的缓冲层厚度大于所述PMOS器件区上的缓冲层厚度。本发明的技术方案使得在提升NMOS器件和PMOS器件中的其中一个器件的性能且避免降低另一器件的性能的同时，还能避免增加芯片制造成本。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种三维集成电路-CN202310882744.X在审
发明人：张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种三维集成电路，包括：底部器件层，所述底部器件层具有底部器件层的有源器件、和与之连接的底部器件层的电连接结构；形成在底部器件层上方的上方第一器件层，所述上方第一器件层具有上方第一器件层的有源器件、和与之连接的上方第一器件层的电连接结构；其中，所述底部器件层的电连接结构和所述上方第一器件层的电连接结构之间电连接，底部器件层的有源器件和第一器件层的有源器件为平面结构的CMOS晶体、全环栅极场效应晶体管
一种三维集成电路

[发明专利]光器件层的移设方法-CN202010315789.5在审
发明人：小柳将 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供光器件层的移设方法，将光器件层移设，在进行激光剥离时，能够抑制光器件向移设部件的转移率降低。将光器件层移设的移设方法包含移设部件接合步骤、缓冲层破坏步骤、光器件层转移步骤、粘接剂去除步骤以及光器件层移设步骤。在移设部件接合步骤中，将光器件晶片和移设部件借助粘接剂而接合，在光器件晶片的被分割成芯片尺寸的光器件层与光器件层之间的间隙中填充粘接剂。在粘接剂去除步骤中，将填充至光器件层与光器件层之间的间隙中的粘接剂的至少一部分去除，以使得通过移设部件接合步骤而埋设于粘接剂层的光器件层从粘接剂层突出。
器件方法

[发明专利]感光成像装置、半导体器件的制作方法-CN201210071907.8有效
发明人：王志玮;毛剑宏;韩凤芹;张镭;唐德明 -专利权人：上海丽恒光微电子科技有限公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制作方法及感光成像装置，所述半导体器件的制作方法，包括：提供形成在第一衬底上的第一器件层与形成在第二衬底上的连续的第二器件层，所述第一器件层的表面形成有导电的顶层焊垫层，所述连续的第二器件层的表面形成有连续的导电粘附层；将所述第一器件层键合到所述连续的第二器件层，其中所述第一器件层表面的顶层焊垫层直接焊接在所述第二器件层表面的导电粘附层；去除所述第二衬底；选择性刻蚀所述连续的第二器件层和连续的导电粘附层，以形成沟槽阵列；用绝缘材质填充所述沟槽阵列，以形成多个彼此绝缘隔离的第二器件。利用上述方法形成的半导体器件，能够明显提高第一器件层与第二器件层的对准精度。
感光成像装置半导体器件制作方法

[发明专利]器件层减薄的方法及衬底的制备方法-CN201910805846.5在审
发明人：魏星;陈猛;徐洪涛;高楠 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种器件层的减薄方法及衬底的制备方法，器件层的减薄方法包括如下步骤：提供一复合衬底，所述复合衬底包括一支撑层、支撑层表面的绝缘埋层及绝缘埋层表面的器件层；采用激光照射所述器件层，在所述器件层中形成一层缺陷层，所述缺陷层将所述器件层分隔为背层及功能层；以所述缺陷层为切割面，横向切割所述器件层，使所述背层自所述复合衬底剥离。本发明未采用研磨的方法减薄器件层，而是在器件层中形成缺陷层，将器件层需要去除的部分整体移除，进而减薄器件层，被移除的部分还可以作为衬底被再次利用，大大提高了半导体衬底的利用率，节约了成本。
器件层衬底缺陷层减薄绝缘埋层支撑层复合背层衬底剥离横向切割激光照射再次利用整体移除功能层切割面研磨移除分隔去除制备半导体节约

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