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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310174180.4在审
  • 冯远皓;薛广杰;李乐 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2023-02-27 - 2023-06-23 - H01L21/8238
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区，所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上均形成有栅极结构；形成缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上，且所述缓冲层覆盖所述栅极结构；去除所述NMOS器件区上的缓冲层；形成应力层于所述缓冲层上；所述应力层为张应力层时，所述PMOS器件区上的缓冲层厚度大于所述NMOS器件区上的缓冲层厚度；所述应力层为压应力层时，所述NMOS器件区上的缓冲层厚度大于所述PMOS器件区上的缓冲层厚度。本发明的技术方案使得在提升NMOS器件和PMOS器件中的其中一个器件的性能且避免降低另一器件的性能的同时，还能避免增加芯片制造成本。
  • 半导体器件及其制造方法
  •  1 
  • 共 1 条
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