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[发明专利]从废旧含砷化镓IC元器件中回收砷化镓、铜的方法和应用-CN202011138352.5有效
发明人：詹路;许振明;张永亮 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从废旧砷化镓基IC元器件中回收砷化镓、铜的方法，将废旧含砷化镓IC元器件经水热缓冲体系处理，而后真空抽滤、筛分，得到砷化镓初次富集体和金属铜支架以及二氧化硅粉末。然后研磨初次砷化镓富集体以去除少量残余的封装材料，再次筛分从而得到含砷化镓富集体。本发明不仅能够有效回收废旧含砷化镓IC元器件中的砷化镓以及金属铜支架，而且在回收过程中，使材料中的非金属组分也得到资源化处理。本发明在减少环境污染和电子固废资源化利用方面优势突出，具有回收效果好、运行成本低、对环境无污染等特点。本发明还公开了所述方法在从废旧砷化镓基IC元器件中回收砷化镓、铜中的应用。
废旧含砷化镓 ic 元器件回收砷化镓方法应用

[发明专利]一种砷化镓废料的回收方法-CN201810652482.7在审
发明人：谭明亮;李胜春;潘勇进;刘凯华 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C22B3/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓废料的回收方法，以解决砷化镓废料回收过程中镓的电沉积电流效率较低甚至难以提纯，并会产生大量废水的问题，包括以下步骤：S1.将砷化镓废料加入酸溶液中浸出，得到含镓的浸出液；S2.使用包含憎水基团的离子液体和有机萃取剂协同萃取含镓的浸出液中的镓，得到负载镓的有机相；S3.对负载镓的有机相通电，电沉积得到镓。上述砷化镓废料的回收方法用于回收砷化镓废料，能够有效提高镓的电沉积电流效率，并减少废水的生成，简化工艺步骤。
砷化镓电沉积回收电流效率浸出液废水简化工艺步骤有机萃取剂废料回收离子液体协同萃取憎水基团酸溶液有机相提纯浸出相通

[发明专利]含锗砷化镓废料的处理回收方法-CN201910201352.6有效
发明人：普世坤;黄平;柳廷龙;包文瑧;吴王昌;林作亮;李正美;罗新华;杨志美 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南东昌金属加工有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：含锗砷化镓废料的处理回收方法，涉及冶金技术领域，尤其是一种从高分子过滤器吸收的含锗砷化镓废料中综合回收提取砷、锗、镓的工艺。本发明的工艺包括富氧氧化分离有机质、二次挥发回收三氧化二砷、盐酸蒸馏分离回收锗、碱中和沉淀回收镓等步骤。本发明的方法，不仅可以解决含锗砷化镓废料粘附的有机过滤芯长期堆放造成的环境负担问题，还能将有机滤芯中的稀有金属锗和镓进行综合回收利用，还能将有毒的含砷物质收集存放，避免了对环境的污染。
含锗砷化镓废料处理回收方法

[发明专利]异质结双极晶体管及其制造方法-CN202310345435.9在审
发明人：田宇 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结双极晶体管及其制造方法，包括依次层叠的集电区层、基区层和发射区层，所述基区层包括含砷镓的能带层，所述含砷镓的能带层的能带低于砷化镓材料的能带，从而能够降低异质结双极晶体管的能带；进一步的，所述基区层还包括第一含砷镓的过渡层，通过所述第一含砷镓的过渡层以实现晶格常数的过渡，可以避免与集电区层之间的晶格失配；进一步的，所述基区层还包括第二砷化镓层，通过所述第二砷化镓层可以实现与发射区层之间的晶格匹配
异质结双极晶体管及其制造方法

[发明专利]一种从砷化镓工业废料中综合回收镓和砷的方法-CN200410040272.0无效
发明人：杨斌;戴永年;刘大春;马文会;刘永成;杨部正;唐万启;姚耀春;代健青;陈为亮;顾玉丽;吴昆华 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2004-07-19 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C22B30/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种从砷化镓工业废料中综合回收镓和砷的方法。其特征是以含镓48％，砷52％的砷化镓工业废料为原料，经过破碎，压制成团块，入真空炉，控制压力0.1～10Pa，温度700～1000℃，使砷化镓分解，得到镓和砷。
一种砷化镓工业废料综合回收方法

[发明专利]一种分离回收砂浆中砷化镓的方法-CN202111124383.X有效
发明人：彭杰 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离回收砂浆中砷化镓的方法，涉及晶片制造技术领域。本发明的一种分离回收砂浆中砷化镓的方法，所述方法是将废弃砂浆进行沉淀分离得到切削油和固体混合物，再将混合固体用混合酸液处理分离得到碳化硅和含镓溶液，最后将含镓溶液进行还原得到砷化镓固体。本发明公开了一种分离回收砂浆中砷化镓的方法，利用砷化镓和氮化硅之间物理性质的差异进行分离回收，分离彻底，便于再次生产利用，能够有效降低生产成本。
一种分离回收砂浆中砷化镓方法

[发明专利]一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷的方法-CN202310327915.2在审
发明人：田庆华;刘左伟;许志鹏;郭学益 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷的方法，包括以下步骤：(1)向砷化镓碱性浸出液中加入酸调节pH，使浸出液中的砷和镓中和沉淀，沉淀完全后过滤分离得到中和渣和中和后液；(2)向中和渣中加入碱并加热溶解，得到镓砷富集液；(3)将镓砷富集液冷却，低温静置冷却结晶，然后抽滤分离得到含砷晶体和富镓母液；(4)将富镓母液通过旋流电积回收其中的镓离子，得到金属镓。本发明采用中和沉淀法工艺富集镓和砷，成本较低且操作简便，保证了电解液中镓的高浓度，后续采用冷却结晶脱砷，再旋流电积，脱砷后溶液中镓的浓度高，砷等杂质离子的浓度较低，有利于后续电积回收金属镓。
一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷方法

[发明专利]一种砷化镓污泥中镓的分离回收方法-CN201711346303.9有效
发明人：陈辉;殷亮;熊平;朱刘 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓污泥中镓的分离回收方法，包括以下步骤：a)将砷化镓污泥与水按固液比1：(5～6)混合，进行浆化，再加入强碱进行碱浸，过滤后得到浸出液；b)将步骤a)得到的浸出液进行中和，过滤后得到中和渣；c)将步骤b)得到的中和渣与水、浓硫酸混合，进行酸浸除硅，过滤后得到含镓滤液；d)将步骤c)得到的含镓滤液与氢氧化钠混合，进行沉镓，过滤后得到氢氧化镓。与现有技术相比，本发明采用浆化碱浸、中和、酸浸除硅和沉镓的特定工艺，实现了镓从砷化镓污泥中的分离回收；本发明提供的砷化镓污泥中镓的分离回收方法回收率高，并且无需高温炉煅烧，能耗低，同时不会产生有毒有害气体
一种砷化镓污泥分离回收方法

[发明专利]一种砷化镓废料熔体萃取分离方法-CN202211013421.9在审
发明人：李骕;秦红;林杭;马中旭 -专利权人：中南大学;湖南中大资珑科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓废料熔体萃取分离方法，采用单质铝与所述砷化镓废料共同升温至设定温度进行熔体萃取得到熔融体系，萃取完成后对熔融体系进行分段降温、分步冷凝依次得到砷化铝、铝和镓铝合金。本发明可实现砷化镓中砷铝的高效分离，同时得到高值产品砷化铝、铝、氢气、纯镓产品，无废含砷废水产生，工艺中所用的辅料铝除生成砷铝合金和镓铝合金水解制氢消耗外，无其他消耗，剩余的铝可继续返回铝熔体萃取工艺，
一种砷化镓废料萃取分离方法

[发明专利]一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法-CN202111010917.6有效
发明人：杨红梅;孙冬;向迎洪;杨汉军;黄文凤;肖德龙;刘世林;黄莉;蒲柳;杨永见;张伟才 -专利权人：四川恒泰环境技术有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法，目的在于解决砷化镓芯片的高砷高盐和含砷研磨废水的处理问题。该方法包括如下步骤：(1)高砷高盐废水结晶脱盐及单效蒸发预处理；(2)含砷研磨废水沉淀预处理；(3)综合废水除砷除磷除氟沉淀处理；(4)芬顿臭氧二级氧化及沉淀处理；(5)氨氮去除；(6)树脂吸附(7)污泥处理本发明工艺合理，能够解决高砷高盐砷化镓芯片废水结晶堵塞、难沉淀的问题，消除高盐和研磨液超细悬浮物对树脂吸附的不利影响，保证处理后的废水达标排放，具有显著的经济价值、环境价值，对于促进半导体产生的发展，具有现实的意义
一种砷化镓芯片高砷高盐废水研磨综合处理方法

[发明专利]一种砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底及其制备方法-CN03121823.7无效
发明人：周均铭;陈弘;贾海强;王文冲;黄绮 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2003-04-11 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底及其制备方法。本发明提供一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底，包括砷化镓衬底，在砷化镓衬底上外延生长厚度为20～2000nm的含Al的半导体化合物层，上面覆盖厚度为5～500nm的砷化镓层。本发明采用AlAs侧向氧化的方法制备砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底。本发明提供的砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底具有良好的热稳定性，并可二次外延，非常有利于器件的性能。
一种砷化镓基半导体氧化物绝缘衬底及其制备方法

[发明专利]一种从砷化镓废料中回收镓的方法-CN202211681125.6在审
发明人：钟勇;曾平生;刘芳芳;姚惠君;王坚;朱建华;刘重伟;吴选高;黄大霜 -专利权人：深圳市中金岭南有色金属股份有限公司韶关冶炼厂
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从砷化镓废料中回收镓的方法。一种镓的回收方法，包括以下步骤：(1)将含砷化镓的原料、酸溶液、氧化剂混合，搅拌，浸出，得到浸出液和浸出渣；(2)将浸出液进行pH调节后，萃取，得到有机相和萃余液；(3)采用酸溶液对有机相进行洗涤，得到酸洗液和含镓有机相；(4)采用碱溶液对含镓有机相进行反萃，得到贫有机相和含镓反萃液；(5)对含镓反萃液进行电化学精炼，得到金属镓；含镓反萃液中，加入络合剂。本发明的酸洗液、碱电积液以及有机萃取剂等均可返回流程中循环使用，镓的回收率达到96％以上，经济高效，节能环保。
一种砷化镓废料回收方法

[发明专利]一种从含有砷化镓的废料中回收砷和镓的方法-CN201810612700.4在审
发明人：潘勇进;李胜春;刘凯;谭明亮 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C25C1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种从含有砷化镓的废料中回收砷和镓的方法，所述方法包括：以含有砷化镓的废料为阳极，在含镓的碱性电解液中进行电解，得到金属镓和含有砷酸盐的电解残液，通过后续的离子交换法能够分离并回收电解液中的砷所述方法能够得到纯度高于99.99wt％的金属镓，镓的回收率大于99％，砷的回收率大于95％，且能够得到纯度大于99.9wt％的砷酸盐产品，整体工艺安全环保不产生任何有毒物质，工艺简单流程短，整体回收率较高
砷化镓回收率金属镓砷酸盐回收碱性电解液离子交换法阳极安全环保电解残液简单流程整体工艺电解液电解

[发明专利]一种用于无人机的柔性砷化镓组件的制备方法-CN202010913365.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长沙开湖设备有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于无人机的柔性砷化镓组件的制备方法，其特征在于：包括步骤：砷化镓电池刷导电胶、电池片互联、导电胶固化、组件叠层、组件成型。本发明使用常温常压可固化且初始状态为粘稠状的胶体、含氟薄膜、导电胶封装砷化镓电池做成的光伏组件质量轻，可弯曲；有效发电面积占比大。
一种用于无人机柔性砷化镓组件制备方法

[发明专利]本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器-CN201710891577.X有效
发明人：李九生;孙建忠 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器。它包括砷化镓层、砷化镓输入波导、砷化镓第一锥形波导、砷化镓多模干涉波导、砷化镓第二锥形波导、砷化镓定向耦合波导、砷化镓第三锥形波导、砷化镓第一弧形波导、砷化镓第二弧形波导、砷化镓第三弧形波导、砷化镓第一输出波导、砷化镓第二输出波导，当输入TE偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波直接从砷化镓第二输出波导输出，没有发生偏振模式转换，当输入TM偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波经过砷化镓多模干涉波导转换为TE偏振模式，经砷化镓定向耦合波导耦合从砷化镓第一输出波导输出
征砷化镓波导结构赫兹偏振输出

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