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[发明专利]一种肖特基二极管的制备方法及器件-CN202310036801.2在审
发明人：黄永;王亦飞;王东;陈兴;吴勇;杨旭豪;龚子刚;薛荣宇;台运涛;邵语嫣 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在衬底上生长半导体结构层；半导体结构层包括依次生长的高阻层、P型埋层、沟道层和势垒层；刻蚀半导体结构层，以在其两端分别形成到达P型埋层的第一生长台阶和第二生长台阶；在第一生长台阶处的P型埋层内注入阻挡离子形成离子注入区，离子注入区贯穿P型埋层并延伸至第一生长台阶外；分别在第一生长台阶和第二生长台阶上生长阴电极和阳电极。
一种肖特基二极管制备方法器件

[实用新型]PBN坩埚-CN202222649488.3有效
发明人：胡丹;余明;徐成 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种PBN坩埚适用于生长碲锌镉晶体，PBN坩埚包括沿轴向依次连接的籽晶引晶段、放肩生长段以及等径生长段，籽晶引晶段具有恒定的厚度，放肩生长段具有恒定的厚度，且籽晶引晶段的厚度和放肩生长段的厚度相同，等径生长段的内壁沿轴向与放肩生长段的内壁相切，等径生长段具有恒定的厚度，等径生长段的厚度小于放肩生长段的厚度，在等径生长段与放肩生长段的交界处等径生长段相对放肩生长段从外径向整体向内凹入以形成平的台阶。等径生长段与放肩生长段的厚度在平的台阶处产生突变，平的台阶所处的平面为“c”方向，在平的台阶的这种厚度的突变会使得在生长碲锌镉晶体过程中晶体生长边界处的温度与中心处的温度之间的差减小，有利于改善热量传导
pbn 坩埚

[发明专利]一种碳化硅晶体生长中抑制表面台阶粗化的方法-CN202310797410.2有效
发明人：黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶体生长中抑制表面台阶粗化的方法，所述方法包括如下步骤：（1）加热硅原料与助溶剂，得到硅合金溶液；（2）将籽晶的底面接触步骤（1）所得硅合金溶液，使碳化硅晶体在所述籽晶的底面生长；在所述碳化硅晶体的生长过程中，对靠近碳化硅晶体生长面的硅合金溶液进行高频振动处理。本发明通过在碳化硅晶体的生长过程中对硅合金溶液施加高频振动，进而提高了传输到碳化硅晶体生长面的台阶前沿的C溶质量，使得台阶沿宽度方向持续生长，从而抑制了碳化硅晶体生长过程中的台阶粗化。
一种碳化硅晶体生长抑制表面台阶方法

[发明专利]深紫外LED芯片及其制造方法-CN202111296796.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：至芯半导体（杭州）有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种深紫外LED芯片，涉及LED芯片制作技术领域，包括：生长衬底和成形于生长衬底上的外延层，P型半导体层远离生长衬底的一面与N型半导体层远离生长衬底的面之间能够形成台阶，P型半导体层远离生长衬底的面为上台阶面，N型半导体层远离生长衬底的面为下台阶面，连接上台阶面和下台阶面之间的面为台阶侧面，台阶侧面包括阻挡层的侧面、发光层的侧面和P型半导体层的侧面，P型半导体层和发光层的侧面形成上侧面，阻挡层的侧面形成下侧面
深紫 led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种籽晶及其制备方法-CN202110691445.9有效
发明人：张宁;杨晓俐;李加林;刘星;高超;方帅;石志强;刘家朋 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：该制备方法包括以下步骤：采用熔融态组分所形成的气相对籽晶生长面的台阶进行修复或重构；其中，所述熔融态组分包括反应元素中的至少一种，所述反应元素能够与所述籽晶中的至少一种元素形成固态物质。该制备方法可以对籽晶生长面被破坏的台阶进行修复，或者在籽晶生长面重构出新的台阶，可以简单高效的控制籽晶生长面的台阶密度，即实现籽晶生长面信息的可修复或可调控，为后续生长得到超高品质的晶体奠定基础。
一种籽晶及其制备方法

[发明专利]利用脉冲激光沉积技术制备复杂氧化物横向超晶格的方法-CN202310621767.5在审
发明人：朱银燕;沈健;朱志飞;高文萍;郭杭闻;周晓东;何攀;王文彬;殷立峰 -专利权人：上海期智研究院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：其包括：衬底筛选阶段，探索氧化物材料生长速率阶段以及主体层生长阶段；衬底要求表面平整，台阶明显，且台阶宽度适中，探索氧化物材料生长速率阶段采用氧化物材料沿台阶横向生长的Step‑flow生长模式，同时调节每次生长一层的激光脉冲数确定氧化物的实际生长速率主体层生长阶段通过调节激光脉冲数来控制材料沿台阶横向外延生长的横向宽度，改变激光脉冲数即实现不同材料在同一层的组分配比而实现横向超晶格调控。
利用脉冲激光沉积技术制备复杂氧化物横向晶格方法

[发明专利]一种提高籽晶质量的制备装置及方法-CN202110691496.1有效
发明人：张宁;杨晓俐;李加林;刘星;高超;方帅;石志强;刘家朋 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高籽晶质量的制备装置及方法，该装置包括：处理腔室，所述处理腔室内设置有坩埚，所述坩埚用于盛放原料；加热单元，所述加热单元设置在所述坩埚外围，用于使所述原料熔融成为熔融态组分并升华至所述籽晶，以修复或重构所述籽晶生长面的原子台阶该制备装置可以对籽晶生长面被破坏的台阶进行修复，或者在籽晶生长面重构出新的台阶，可以简单高效的控制籽晶生长面的台阶密度，即实现籽晶生长面信息的可修复或可调控，为后续生长得到超高品质的晶体奠定基础。
一种提高籽晶质量制备装置方法

[实用新型]一种分子束外延大规模生产设备中的衬底托板-CN201420043728.8有效
发明人：杜全钢;李维刚;谢小刚;姜炜;冯巍;郭永平;蒋建 -专利权人：新磊半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种分子束外延大规模生产设备中的衬底托板，该衬底托板包括衬底片的台阶、阻挡热辐射圆环的台阶、限制阻挡热辐射圆环移动的台阶，三个台阶均为环形结构，该衬底托板为一圆形通孔；本实用新型中通过减小放置衬底的台阶宽度，从而减小衬底与托板间的接触面积，增大了生长过程中衬底的可生长面积；该实用新型与传统的衬底生长托板相比，增大了外延片的可利用面积，减少了对衬底表面的污染，提高了品质和成品率。
一种分子外延大规模生产设备中的衬底

[发明专利]一种用MBE横向生长纳米线的方法-CN202111636119.4在审
发明人：魏志鹏;唐吉龙;李科学;林逢源;贾慧民;张贺;王晓华;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：一种用MBE横向生长纳米线的方法。本发明涉及微纳光波导领域，公开了一种半导体纳米线光波导材料的制备方法。本发明提供的纳米线横向生长方法包括：衬底表面氧化层去除、衬底表面台阶制备、台阶衬底表面热氧化形成氧化层、台阶侧壁圆形窗口制备、台阶下低平面上沟槽制备、处理后的衬底表面清洗、处理后的衬底在分子束外延设备中横向生长纳米线本发明利用侧壁圆形窗口、低平面上沟槽结合金属液滴引导纳米线横向生长，有效解决现阶段制备纳米线的方法中无法实现纳米线横向生长的问题，获得晶体质量好的横向纳米线材料。
一种 mbe 横向生长纳米方法

[发明专利]蓝宝石衬底、使用该蓝宝石衬底的氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法-CN200780038953.5有效
发明人：罗伯特·大卫·阿米蒂奇;近藤行广;平山秀树 -专利权人：松下电工株式会社;独立行政法人理化学研究所
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明实现能够通过气相法使晶体m面生长的廉价的衬底。在蓝宝石衬底(1)中，在生长GaN等的晶体(2)之际，作为该晶体(2)的模板的生长面(3)，通过研磨工序来制作相对于m面(4)倾斜预先设定的微小角度的斜切面，来形成具有台阶(5)和平台(6)的阶梯状台阶衬底从而，即使使用通常不生长m面(无极性面)GaN膜的廉价的蓝宝石衬底(1)来作为结晶生长用衬底，也能够通过有利于器件制作的气相法，使GaN晶体从作为a面的各台阶(5)的面起在平台(6)上沿c轴生长，外延生长的良好的GaN单结晶继续生长，使m面为平台(6)的表面的相反侧，同时各台阶(5)一体化(融合)，能够利用穿透位错(threading dislocation)少的GaN单结晶衬底制造器件。
蓝宝石衬底使用氮化物半导体发光元件制造方法

[发明专利]一种高晶体质量AlN外延层的生长方法-CN201410542542.1有效
发明人：许福军;沈波;秦志新;王嘉铭;张立胜;何晨光;杨志坚 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及外延层生长技术领域，尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：烘烤衬底；低温沉积AlN成核层；升温退火；AlN高温外延生长，利用台阶聚效应导致的宏台阶降低位错密度；AlN表面形貌控制，提高生长速度修正表面形貌，促进所述宏台阶的减弱和消失本发明提供了一种生长低位错密度和表面平整的高晶体质量AlN外延层的方法。本发明方法简单易行，且对MOCVD系统不会造成任何污染。
一种晶体质量 aln 外延生长方法

[发明专利]SiC半导体衬底及其制造方法和制造装置-CN201980072707.4在审
发明人：金子忠昭;芦田晃嗣;井原知也;堂岛大地 -专利权人：学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有台阶高度被控制的生长层的SiC半导体衬底及其制造方法以及其制造装置。其特征在于，包括用于使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长的生长步骤。这样通过使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长，可以提供一种生长层的台阶高度被控制的SiC半导体衬底。
sic 半导体衬底及其制造方法装置

[实用新型]一种用于导模法晶体生长的坩埚系统及晶体生长装置-CN202120581908.1有效
发明人：齐红基;王晓亮 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于导模法晶体生长的坩埚系统及晶体生长装置，所述坩埚系统包括：坩埚；模具，设置在所述坩埚内，所述模具的侧面上具有台阶；盖板，所述盖板设有开孔，所述模具穿过所述开孔，且所述台阶与所述盖板焊接本实用新型通过在模板上设置台阶，将盖板的开孔搭在所述台阶上并进一步进行焊接，能够防止挥发物从坩埚中挥发出来并在模具上形成多余晶体而影响晶体的生长。
一种用于导模法晶体生长坩埚系统装置

[发明专利]非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法-CN202110931253.0有效
发明人：康俊勇;林伟;陈浩南;陈心路 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法。采用富C工艺(Si/H2＝0.97‰，C/Si＝1.55)进行外延层高速生长，生长气氛中保持较高的C源相对化学势μC可以实现外延生长时优先吸附的生长单体为SiC分子，将生长台阶高度稳定在1/2c或1c，在实现高速外延生长的同时，得到较好的表面粗糙度和较低的离化掺杂浓度。
平衡条件下化学势调控生长单体 sic 台阶快速方法

[发明专利]一种高质量碳化硅单晶生长方法-CN202111672169.8在审
发明人：胡小波;王垚浩;杨祥龙;于国建;陈秀芳;徐南;张木青 -专利权人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种高质量碳化硅单晶生长方法，在将坩埚装入单晶生长炉的炉腔时，使各坩埚沿炉腔的温场中轴线对称分布，各坩埚中的籽晶的小面靠近温场的中心，从热场的中心至边缘温度逐渐升高。通过设置籽晶的位置，将籽晶台阶流的上游置于靠近温度场的中心位置，对于籽晶来说，台阶流的上游靠近热场中心的低温区，台阶流的下游处于热场的高温区，热场的分布有利于台阶流的流动。小面始终处于热场的低温区，且小面在单晶生长的过程中始终保持不动，由于台阶流从近中心向边缘流动，温度场的分布有利于台阶流的流动，不会发生台阶聚并现象，进而可以有利于保持晶型的稳定性。并且，本申请提供的方法可以一次性放入多个坩埚，进而可提高单晶生长效率。
一种质量碳化硅生长方法

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