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[发明专利]一种稀土铁氧体六方相薄膜样品生长方法-CN202310621360.2在审
发明人：王文彬;沈健;谭俊雨;赖辉琳;刘峰良;郭杭闻;朱银燕;周晓东;何攀;殷立峰 -专利权人：上海期智研究院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明属于凝聚态物理和材料学技术领域，具体为一种稀土铁氧体六方相薄膜样品生长方法。本发明根据晶体成核生长动力学原理，采用激光脉冲沉积PLD方法在单晶衬底上沉积生长厘米尺度的RFeO3六方相单晶薄膜。本发明方法简单易于操作，通过控制PLD生长的激光能量和衬底沉积生长温度实现六方相薄膜样品生长；且该方法适用范围广，适用于多种稀土元素RFeO3材料生长，适用于从单层薄膜到几百纳米厚的薄膜沉积生长，适用于多种不同衬底的薄膜沉积生长。此外，本发明通过实时的RHEED图谱监测提供了生长过程的闭环反馈监控机制，确保了单晶薄膜样品的生长质量，测量表明其表面平整度在1nm以内，且均匀性好。
一种稀土铁氧体六方相薄膜样品生长方法

[发明专利]一种可实现超高真空系统间样品转移的真空腔室及其使用方法-CN202310624488.4在审
发明人：宋睿;沈健;廖阳辉;周晓东;朱银燕;郭杭闻;王文彬;何攀;殷立峰 -专利权人：上海期智研究院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01Q30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现超高真空系统间样品转移的真空腔室及其使用方法。本发明涉及两套相互独立或多套相互独立的超高真空系统以及其泵组系统，用以实现在不破坏原有真空的基础上，实现样品在超高真空的情况下实现不同腔体间的转移。本发明包括磁耦合传样杆，样品储存架，超高真空泵组(NEG泵，用来实现并维持超高真空)，阀门(用来隔绝超高真空与大气)，以及配套的超高真空腔体(三通，直通等可拓展组件)。各个组件通过法兰实现真空密封与连接。本真空传样腔室对于实现敏感样品在不同测量系统之间以及样品制备系统与测量系统之间的转移具有重要意义。
一种实现超高真空系统样品转移空腔及其使用方法

[发明专利]一种基于磁各向异性薄膜的人工神经元器件单元-CN202310622872.0在审
发明人： 郭杭闻;沈健;牛畅;殷立峰;王文彬;周晓东;何攀;朱银燕 -专利权人：上海期智研究院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁各向异性薄膜的人工神经元器件单元。该器件包括三个核心部分：①读出磁头；②La5/8Sr3/8MnO3(LSMO)薄膜和SrTiO3(001)衬底；③用于调节矢量磁场的两根电流导线。本发明利用②中铁磁薄膜的磁矩‑磁场响应曲线随角度的依赖关系，实现激活宽度可调节的人工神经元功能。该方法设计的人工神经元具有良好的可重复性和稳定性。利用这种激活宽度可变的神经元构建出的神经网络对标准数据库MNIST中数据进行识别，通过迭代，神经网络可逐步实现二值化计算并不断提高识别率，达到了98.1％。
一种基于各向异性薄膜人工神经元器件单元

[发明专利]一种高性能的氧化物超晶格室温热电薄膜器件及其制备方法-CN202310622173.6在审
发明人：殷立峰;沈健;朱怡;高文萍;朱银燕;郭杭闻;王文彬;何攀;周晓东 -专利权人：上海期智研究院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10N10/851 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能的氧化物超晶格室温热电薄膜器件及其制备方法。该器件包括衬底和生长在衬底上的由[(SrTi0.8Nb0.2O3)m/(SrTiO3)n]t组成的氧化物超晶格薄膜。氧化物超晶格薄膜将声子功能层SrTiO3和电子功能层SrTi0.8Nb0.2O3在纵向上分开，实现了“声子玻璃、电子晶体”的理想热电材料架构。同时通过衬底引入+1％左右的张应力，将SrTiO3声子软模相变温度从块材的105K提高到室温，通过声子拖曳效应进一步提高了塞贝克系数。本发明制备方法简单，器件单元具有优异的热电性能。
一种性能氧化物晶格室温热电薄膜器件及其制备方法

[发明专利]利用脉冲激光沉积技术制备复杂氧化物横向超晶格的方法-CN202310621767.5在审
发明人：朱银燕;沈健;朱志飞;高文萍;郭杭闻;周晓东;何攀;王文彬;殷立峰 -专利权人：上海期智研究院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用脉冲激光沉积技术制备复杂氧化物横向超晶格的方法。其包括：衬底筛选阶段，探索氧化物材料生长速率阶段以及主体层生长阶段；衬底要求表面平整，台阶明显，且台阶宽度适中，探索氧化物材料生长速率阶段采用氧化物材料沿台阶横向生长的Step‑flow生长模式，同时调节每次生长一层的激光脉冲数确定氧化物的实际生长速率。主体层生长阶段通过调节激光脉冲数来控制材料沿台阶横向外延生长的横向宽度，改变激光脉冲数即实现不同材料在同一层的组分配比而实现横向超晶格调控。本发明的横向超晶格样品的制备方法开拓了一种新的复杂氧化物薄膜界面调控的方法，并可推及到关联体系，为全氧化物自旋电子器件的研发奠定基础。
利用脉冲激光沉积技术制备复杂氧化物横向晶格方法

[发明专利]一种基于LaAlO3-CN202310622523.9在审
发明人：翟金凤;沈健;何攀;郭杭闻;朱银燕;王文彬;周晓东;殷立峰 -专利权人：上海期智研究院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LaAlO3/KTaO3界面二维电子气的非线性霍尔器件及其制备方法。该器件由LaAlO3/KTaO3薄膜异质结和光刻胶组成。在旋涂一层光刻胶并且经过图案化曝光和显影后，KTaO3衬底被分为覆盖区和非覆盖区。在衬底的非覆盖区上通过脉冲激光沉积生长非晶LaAlO3(LAO)，在非覆盖区产生氧化物界面二维电子气，实现导电区和绝缘区的分离，得到霍尔器件形状的LAO/KTO导电界面。本发明器件适合低温工作，其利用该界面的非线性霍尔效应，成功在垂直于电流方向上出现非线性霍尔电压，实现倍频和整流应用。
一种基于 laalo base sub