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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610601900.0有效
发明人：松浦仁 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：通过在半导体衬底的主表面上方与沟槽栅极电极一体地形成发射极耦合部以在发射极耦合部的侧壁上方形成分隔物，致使形成在发射极耦合部上方的层间绝缘膜的表面和形成在层间绝缘膜上方的发射极电极的表面特别地在发射极耦合部的端部具有平缓形状由此，当发射极布线耦合到发射极电极/发射极焊盘时，应力被分散，而不是集中在发射极耦合部的锐角部，因此可抑制裂缝的出现。另外，通过形成分隔物，发射极电极的表面中中将形成的凹陷和突起可减少，由此，发射极电极和发射极布线之间的粘附性可提高。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]低噪声吉尔伯特(GILBERT)乘法器小单元和正交调制器,及相关方法-CN98808909.2无效
发明人： A·哈齐克里斯托斯 -专利权人：艾利森公司
申请日： 1998-09-03 - 公布日： 2000-10-11 - 主分类号： H03C1/54 文献下载
摘要：吉尔伯特(Gilbert)乘法器小单元包括发射极耦合晶体管和一对交叉耦合发射极耦合晶体管对。滤波器把发射极耦合晶体管对耦合到该对交叉耦合发射极耦合晶体管对。滤波器可包括一对电感或电阻,其各自的一个电感或电阻把发射极耦合晶体管对的各个晶体管串联耦合到该对交叉耦合发射极耦合晶体管对的各个晶体管,以及一个电容,被连接在该对电感或电阻之间。本地振荡器被耦合到该对交叉耦合发射极耦合晶体管对,以及数据输入被耦合到发射极耦合晶体管对。通过对于被加到该对交叉耦合发射极耦合晶体管对的发射极耦合晶体管对的输出进行低通滤波,可以提供低噪声基底吉尔伯特乘法器小单元和正交相位调制器。
噪声吉尔 gilbert 乘法器单元正交调制器相关方法

[发明专利]一种串联门控发射极耦合逻辑电路-CN201310612734.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州贝克微电子有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H03K19/08 文献下载
摘要：一种串联门控发射极耦合逻辑电路，提供了一个提供差动输出的发射极耦合逻辑电路，并将差动输出传送到发射极耦合逻辑（ECL）开关的晶体管对。差动输出允许将附加的发射极耦合逻辑开关接到正负电压之间。一个用于发射极耦合逻辑开关的电流源包括与发射极耦合逻辑开关并联的二极管或晶体管，二极管或晶体管的作用是使电源电流相对独立于电源电压的波动，但电流源两端的电压降最小化。
一种串联门控发射极耦合逻辑电路

[发明专利]容栅传感器和绝对位置测量装置-CN202310372235.2在审
发明人：李秉恒;石坚;石梦莹;杨广禄;卢辉 -专利权人：桂林市晶瑞传感技术有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01D5/245 文献下载
摘要：本发明提供一种容栅传感器和一种绝对位置测量装置，所述容栅传感器包括：第一栅板，其上设置有包括多个第一耦合极的具有第一节距的第一耦合极阵列、与多个第一耦合极电连接的第一反射极、包括多个第二耦合极的具有第二节距的第二耦合极阵列、和与多个第二耦合极电连接的第二反射极，以及第二栅板，其上设置有包括多个发射极子阵列的具有标准节距的发射极阵列和布置在发射极阵列两侧并与其电隔离的第一接收极和第二接收极，发射极子阵列包括多个发射极片，所述第一耦合极和所述第二耦合极的形状相同或相似，所述第一耦合极阵列和所述第二耦合极阵列反向交错排列并在空间上与所述发射极阵列相对，所述第一节距与所述第二节距不相等。
传感器绝对位置测量装置

[实用新型]偏置电阻器晶体管半导体器件及半导体器件-CN201520769857.X有效
发明人： D·M·海明格尔;T·基纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：偏置电阻器晶体管半导体器件包括：基极端子；发射极端子；集电极端子；主要双极型晶体管，具有基极、与发射极端子耦合的发射极以及与集电极端子耦合的集电极；第一电阻器，具有与主要双极型晶体管的基极耦合的第一端子，并且具有与基极端子耦合的第二端子；及保护双极型晶体管，具有与主要双极型晶体管的集电极耦合的集电极、与主要双极型晶体管的发射极耦合的基极以及与基极端子耦合的发射极，保护双极型晶体管具有发射极到集电极区，发射极到集电极区被配置为响应于静电放电事件以雪崩模式操作。
偏置电阻器晶体管半导体器件

[发明专利]一种六开关的微逆变器交流侧功率耦合电路-CN201710141551.3有效
发明人：章勇高;熊健;高彦丽 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H02M7/5395 文献下载
摘要：本发明公开了一种六开关的微逆变器交流侧功率耦合电路，包括开关管T1‑T6、二极管D1‑D6、耦合电容Cc及电感Lc；T1和D1，T2和D2，T3和D3，T4和D4，T5和D5及T6和D6均为反并联连接，T5的集电极与T6的集电极连接，T2的集电极与T3的集电极连接，T6的发射极与Lc的一端连接，T3的发射极与Lc的另一端连接；T1的集电极与T6的发射极连接，T4的集电极与T3的发射极连接，T1发射极及T4发射极接入逆变器交流输出端；Cc的一端分别与T2的发射极、T5的发射极连接，Cc的另一端与T4的发射极连接。本发明能够代替传统电解电容器实现功率耦合功能，能够减小耦合电容值，提高微逆变器效率。
一种开关逆变器交流功率耦合电路

[实用新型]一种六开关的微逆变器交流侧功率耦合电路-CN201720232508.3有效
发明人：章勇高;熊健;高彦丽 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H02M7/5395 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种六开关的微逆变器交流侧功率耦合电路，包括开关管T1‑T6、二极管D1‑D6、耦合电容Cc及电感Lc；T1和D1，T2和D2，T3和D3，T4和D4，T5和D5及T6和D6均为反并联连接，T5的集电极与T6的集电极连接，T2的集电极与T3的集电极连接，T6的发射极与Lc的一端连接，T3的发射极与Lc的另一端连接；T1的集电极与T6的发射极连接，T4的集电极与T3的发射极连接，T1发射极及T4发射极接入逆变器交流输出端；Cc的一端分别与T2的发射极、T5的发射极连接，Cc的另一端与T4的发射极连接。本实用新型能够代替传统电解电容器实现功率耦合功能，能够减小耦合电容值，提高微逆变器效率。
一种开关逆变器交流功率耦合电路

[发明专利]量化逻辑之多值高抗噪位权量化器-CN201710205920.0在审
发明人：胡五生 -专利权人：胡五生
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G06F7/38 文献下载
摘要：量化逻辑之多值高抗噪位权量化器是由基本单元电路、队列电路、和全值量化电路组成，把N个单元电路并列并标记为(n)，各单元电路三极管的发射极节点和相邻的另一单元发射极节点连接，并删掉重叠的发射极恒流电源Ie，各单元三极管集电极恒流源的正极连接到一起并接到电源VCC，此即为队列电路(n)；在队列电路(n)的两端三极管的发射极节点，分别连接三极管Tc，Td，把三极管Tc的发射极与队列一端①单元三极管2的发射极通过Ie耦合连接，把三极管Td的发射极与队列一端单元(n)三极管1的发射极通过Ie耦合连接，把三极管Tc，Td的集电极分别接入恒流电源Ic0，Icn，恒流源一端接电源VCC。
三极管发射极发射极节点队列电路单元三极管单元电路恒流电源耦合连接电源VCC 恒流源集电极量化器高抗队列基本单元电路量化量化电路正极连接并列

[发明专利]一种电动汽车行进式无线充电装置及其控制方法-CN201510131455.1有效
发明人：杨金明;向如意;谢兴琅 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H02J7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电动汽车行进式无线充电装置及其控制方法，装置包括整流器、若干个磁耦合谐振发射极组、车载谐振接收极，每个磁耦合谐振发射极组包括第一谐振发射极和第二谐振发射极。车载谐振接收极中包括分置于电动汽车前后两端的第一接收极、第二接收极。谐振电路的发射线圈截面为长条形，横向布置，车载谐振接收极中的接收线圈截面为长条形，竖向布置。两个接收极工作在互补状态，即当一个接收极处于磁耦合谐振发射极组高效发射范围时，工作于谐振输电状态，另一个接收极则工作于对上述接收极进行补偿的状态。
一种电动汽车行进无线充电装置及其控制方法

[发明专利]功率放大器模块-CN201811182641.8有效
发明人：近藤将夫;柴田雅博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：在活性区域上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。由层间绝缘膜覆盖集电极层、基极层以及发射极层。垫片与元件分离区域热耦合。在层间绝缘膜上配置有发射极凸块。发射极凸块经由设置于层间绝缘膜的导通孔与发射极层电连接，并且也与垫片电连接。在俯视时，发射极凸块与发射极层中的流过发射极电流的区域亦即发射极区域部分地重叠。
功率放大器模块

[发明专利]具有改进隔离的放大器-CN202180011380.7在审
发明人： K·S·巴蒂亚 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种放大器(700)，其包括耦合到第一输入(720)和第二输入(725)的共发射极级，耦合到共发射极级以及第一输出(730)和第二输出(735)的共基极级，以及耦合到共发射极级和共基极级以及第一输出和第二输出的消除路径消除路径包括耦合到共发射极级和共基极级以及第一输出的第一消除晶体管(M6)和耦合到共发射极级和共基极级以及第二输出的第二消除晶体管(M5)。
具有改进隔离放大器

[发明专利]发光和激光作用半导体装置和方法-CN201080004170.7无效
发明人：加布里埃尔·沃尔特;尼克·霍伦亚克;米尔顿·冯 -专利权人：伊利诺斯大学理事会;量子电镀光学系统有限公司
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体发光装置，其包含：异质结双极型发光晶体管，其具有位于发射极区与集极区之间的基极区；发射极电极、基极电极和集极电极，其分别用于使电信号与所述发射极区、基极区和集极区耦合；以及位于所述基极区中的量子大小区；所述基极区包含位于所述量子大小区的发射极侧上的第一基极子区，和位于所述量子大小区的集极侧上的第二基极子区；且所述第一和第二基极子区具有不对称带结构。还揭示一种从两端半导体结构产生光发射的方法，其包含以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包含位于第一导电类型的发射极区与同所述第一导电类型相反的第二导电类型的基极区之间的第一半导体结，和位于所述基极区与漏极区之间的第二半导体结；在所述基极区内提供展现量子大小效应的区；提供与所述发射极区耦合的发射极电极；提供与所述基极区和所述漏极区耦合的基极/漏极电极；以及相对于所述发射极电极和基极/漏极电极施加信号以从所述半导体结构获得光发射
光和激光作用半导体装置方法

[发明专利]量化逻辑之高抗噪电流型自激励量化寄存器-CN201710212475.0在审
发明人：胡五生 -专利权人：胡五生
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G06F7/38 文献下载
摘要：量化逻辑之高抗噪电流型自激励量化寄存器是由基本单元电路、队列电路、和全值量化电路组成，把N个单元电路并列并标记为(n)，各单元电路三极管的发射极节点和相邻的另一单元发射极节点连接，并删掉重叠的发射极恒流电源Ie，此即为队列电路(n)；在队列电路(n)的两端三极管的发射极节点分别连接三极管Tc，Td，把三极管Tc的发射极与队列一端①单元三极管2的发射极通过Ie耦合连接，把三极管Td的发射极与队列一端单元(n)三极管1的发射极通过Ie耦合连接；把队列(n)中所有三极管1的集电极和三极管Tc的集电极连接到一起构成节点G，把队列(n)中所有三极管2的集电极和三极管Td的集电极连接到一起构成节点V。
三极管发射极队列发射极节点队列电路量化集电极连接单元电路耦合连接电流型集电极寄存器自激励高抗基本单元电路单元三极管恒流电源量化电路并列

[发明专利]量化逻辑之多值调宽型位权量化器-CN201710205916.4在审
发明人：胡五生 -专利权人：胡五生
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G06F7/38 文献下载
摘要：量化逻辑之多值调宽型位权量化器是由基本单元电路、队列电路、和全值量化电路组成，其特征在于：把N个单元电路并列并标记为①，②，③…(n)，各单元电路三极管的发射极和恒流源的连接点与相邻的另一单元发射极节点连接，并删掉重叠的发射极恒流电源Ie，此即为队列电路①，②，③…(n)；在队列电路①，②，③…(n)的两端三极管的发射极节点，分别连接三极管Tc，Td，把三极管Tc的发射极与队列一端①单元三极管2的发射极通过Ie耦合连接，把三极管Td的发射极与队列一端单元(n)三极管1的发射极通过Ie耦合连接，把各单元中的三级管1的基极连接在一起并和三极管Tc的基极连接，把三极管Tc，Td的集电极分别接入恒流电源Ic0，Icn
三极管发射极队列电路发射极节点单元电路恒流电源基极连接耦合连接量化器调宽队列基本单元电路量化单元三极管量化电路恒流源集电极连接点三级管正极接并列电源

[实用新型]光电耦合器-CN202122787539.4有效
发明人：王明辉;张旭;郑学艳;宋亚美;赵美星;王四新;吴雪娇 -专利权人：北京瑞普北光电子有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H03K19/14 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种光电耦合器，属于光电技术领域。该光电耦合器包括底座、外壳、发光器、受光器和电阻；其中，外壳与底座形成密闭空间；发光器、受光器和电阻处于密闭空间内；受光器包括至少两个级联的三极管，其中前级三极管为光电三极管，且光电三极管与发光器形成光耦合；光电三极管的发射极与末级三极管的发射极之间连接有电阻。该光电耦合器，其光电三极管的发射极和末级三极管的发射极之间通过电阻相连而泄放漏电流，防止了高温下漏电流升高导致电流误通。
光电耦合器

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