“反铁磁层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3154351个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种反铁磁隧道结及其制备方法-CN202310332044.3在审
发明人：刘知琪;冯泽鑫 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种反铁磁隧道结及其制备方法，首先在单晶硅晶圆上沉积绝缘氧化物层，然后在绝缘氧化物层上沉积共线反铁磁钉扎层，随后在共线反铁磁钉扎层上依次沉积非共线反铁磁参考层、隧穿层和非共线反铁磁自由层，结合光刻工艺，最终在硅晶圆上实现具有绝缘氧化层‑共线反铁磁钉扎层‑非共线反铁磁参考层‑隧穿层‑非共线反铁磁自由层的全反铁磁隧道结，由于绝缘氧化物层为单晶膜层，因此能够提高共线反铁磁钉扎层的质量，增大非共线反铁磁参考层和共线反铁磁钉扎层之间的交换偏置作用，提高器件可靠性，同时，该反铁磁隧道结可在硅晶圆上大规模制备，易于集成，具有写入速度快、存储密度高的优势。
一种反铁磁隧道及其制备方法

[发明专利]全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络-CN202110537062.6在审
发明人：邢国忠;王迪;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本公开提供一种全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络，神经元器件包括：底部反铁磁钉扎层；合成反铁磁层，形成于底部反铁磁钉扎层上；势垒层，形成于铁磁自由层上；其中，铁磁自由层的正对势垒层的区域形成阈值区域；铁磁参考层，形成于势垒层上；其中，势垒层、铁磁参考层和铁磁自由层形成磁性隧道结；第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层，形成于铁磁自由层的除正对势垒层区域外的裸露区域上，且第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层位于势垒层的两侧；其中，铁磁自由层的正对第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层的区域分别形成第一钉扎区域和第二钉扎区域；第一电极，形成于铁磁参考层上。
全电控自旋电子神经元器件神经元电路神经网络

[发明专利]一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件-CN202111206784.X在审
发明人：毕冲;娄凯华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件，钉扎铁磁层结构包括基片、待钉扎铁磁层、环绕包裹在待钉扎铁磁层周围的反铁磁层，且反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行。通过在待钉扎铁磁层的侧面形成反铁磁层，且还使反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行，以实现对待钉扎铁磁层的钉扎。由于反铁磁层位于待钉扎铁磁层的侧面，在待钉扎铁磁层的上方和下方都无需再设置反铁磁层，从而既能够在待钉扎铁磁层的上方又能够在待钉扎铁磁层的下方设置诸如缓冲层等的其他附加层，而不受反铁磁层的影响，防止出现由于晶格失配和界面处材料混合而削弱反铁磁层的钉扎效果
一种钉扎铁磁层结构及其制造方法电磁器件

[发明专利]一种磁存储器及其制备方法-CN202111522263.5在审
发明人：卢世阳;殷加亮;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁存储器及其制备方法，涉及磁存储器领域，该磁存储器包括：电流写入层以及设置在之上的反铁磁耦合自由层，反铁磁自由层包括：反铁磁耦合层、第一铁磁翻转层以及第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层厚度小于第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层设于反铁磁耦合层与电流写入层之间，第二铁磁翻转层设于反铁磁耦合层之上，第一铁磁翻转层通过所述电流写入层产生的自旋累积实现翻转，翻转过程带动第二铁磁翻转层翻转，由于反铁磁耦合自由层厚度较单自由层高，因此提升了存储器的使用寿命，并且由于反铁磁耦合自由层的第一铁磁翻转层的厚度小于第二铁磁翻转层，可以实现优先翻转，并且带动第二铁磁翻转层翻转，翻转速度大于现阶段的翻转速度。
一种磁存储器及其制备方法

[发明专利]一种利用反铁磁材料产生可控自旋流的方法、异质结构器件和自旋电子学器件-CN202211402840.1在审
发明人：宋成;白桦;潘峰 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用反铁磁材料产生可控自旋流的方法、异质结构器件和自旋电子学器件。本发明方法包括：通过多场操纵反铁磁自旋源/铁磁功能层异质结构器件的反铁磁磁矩，利用反铁磁磁矩与自旋的相互作用调控自旋流的自旋极化方向和/或调节自旋流强度；反铁磁自旋源/铁磁功能层异质结构器件包括由下至上依次层叠且构成异质结构的衬底层、反铁磁层和铁磁层；反铁磁层的材质为共线反铁磁材料或非共线反铁磁材料；铁磁层为垂直磁化的铁磁层或面内磁化的铁磁层。本发明异质结构器件能够产生可控自旋极化方向的自旋流，以实现相邻铁磁层高效的磁化翻转并带来器件低功耗的优势，其临界自旋流密度相比于传统非磁自旋源可降低一个数量级。
一种利用反铁磁材料产生可控自旋方法结构器件电子学

[发明专利]磁性薄膜和磁阻效应元件-CN200710159762.6有效
发明人：高桥研;角田匡清;驹垣幸次郎 -专利权人：富士通株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01F10/12 文献下载
摘要：在所述磁性薄膜中，可以可靠地固定诸如固定层的铁磁层的磁化方向。所述磁性薄膜包括：反铁磁层；和铁磁层。反铁磁层由锰系反铁磁材料构成，并且在反铁磁层和铁磁层之间形成有锰层。
磁性薄膜磁阻效应元件

[发明专利]基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件-CN202111186841.2在审
发明人：万蔡华;韩秀峰;司文荣;王翼展;梁云;陈川;黄辉 -专利权人：中国科学院物理研究所;国网上海市电力公司;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N15/20 文献下载
摘要：根据一实施例，一种热电器件包括磁性多层膜结构和包围磁性多层膜结构的保护层，磁性多层膜结构包括[反铁磁层/铁磁层]a、[反铁磁层/铁磁层/重金属层]b、以及[反铁磁层/铁磁层/重金属层/铁磁层]c中的一种或多种，铁磁层由铁磁导电材料形成，重金属层由重金属材料形成，[反铁磁层/铁磁层]a结构中的反铁磁层由包括重金属元素的反铁磁材料形成，其余结构中的反铁磁层由反铁磁材料形成，铁磁层具有面内磁矩并且被所述反铁磁层偏置在第一方向上，所述磁性多层膜结构响应于其膜层法线方向上的温度梯度
基于磁性多层膜结构反常能斯特效应热电器件

[发明专利]层叠的磁记录介质-CN01813420.3无效
发明人：霍亚·范多;埃里克·E·富勒顿;戴维·T·马古利斯;哈尔·J·罗森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-07-06 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种用于数据存储的层叠磁记录介质采用了一种磁记录层，该层至少有两个被非铁磁间隔层分隔的反铁磁耦合(AFC)层。每个AFC层形成为通过一个反铁磁耦合膜反铁磁耦合在一起的两层铁磁膜，该反铁磁耦合膜具有引发第二膜与第一膜的反铁磁耦合的成分和厚度。每个AFC层中的两个反铁磁耦合膜的磁矩反平行取向，并且因而每个AFC层的净磁化强度－厚度乘积(Mrt)为两个铁磁膜的Mrt值之差。两个相邻的AFC层之间的非铁磁间隔层具有足以防止一个AFC层的铁磁膜与相邻AFC层的铁磁膜的任何反铁磁耦合的成分和厚度。
层叠记录介质

[发明专利]磁阻磁头及其制造方法-CN200510082332.X无效
发明人：重松惠嗣;西冈浩一;田岛康成 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：使得旋转阀设备的反铁磁层和第一铁磁层之间的交换耦合能以及经由Ru反铁磁耦合层耦合的第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合能增加，从而增加磁阻比例并减小旋转阀膜的自由层矫顽磁力。在MnPt反铁磁基础型合成铁型旋转阀膜中，底层、包括MnPt的反铁磁层、包括CoFe的第一铁磁层、包括Ru的反铁磁耦合层、包括CoFe的第二铁磁层、包括Cu的中间非磁性层、包括CoFe和NiFe合成膜的自由层以及保护层被堆叠在基底上，并且第一铁磁层的CoFe_X中的Fe组分被设定为20＜X≤50at％。
磁阻磁头及其制造方法

[发明专利]磁存储器及其制造方法-CN202211499465.7在审
发明人：范晓飞;陈文静;曹凯华;刘宏喜;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造技术领域，具体涉及磁存储器及其制造方法，所述磁存储器至少包括：反铁磁层，所述反铁磁层的材料为非共线反铁磁材料；磁隧道结，设置于所述反铁磁层上，所述磁隧道结自下而上依次包括自由层、隧穿势垒层和参考层；其中，当所述反铁磁层通入电流时，利用所述反铁磁层的自旋轨道矩效应改变所述反铁磁层与所述自由层形成的交换偏置场方向，进而翻转所述自由层的磁矩方向。可以借助非共线反铁磁材料的反铁磁层其内部的自旋轨道矩效应进行磁矩翻转，从而大幅降低了写入电流，进而降低了该磁存储器的功耗，也更易于驱动该磁存储器。
磁存储器及其制造方法

[发明专利]具有晶格传输作用的合成反铁层的磁性隧道结结构-CN201911233568.7有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供一种具有晶格传输作用的合成反铁层的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构设置反铁磁耦合层结合双铁磁层的合成反铁磁层，配合反铁磁耦合层和晶格隔断层，实现合成反铁磁层到参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合
具有晶格传输作用合成反铁层磁性隧道结构

[发明专利]一种具有反铁磁近邻效应的析氧反应电催化剂-CN202210400374.7在审
发明人：胡策;骆兴芳;袁彩雷;周行;俞挺;郭满满;杨勇;徐铿 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2022-04-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有反铁磁近邻效应的析氧反应电催化剂，其包括反铁磁层和设置在所述反铁磁层上的顺磁层。其中，所述反铁磁层的奈尔温度高于室温，且所述顺磁层的厚度小于5纳米。这种具有反铁磁近邻效应的析氧反应电催化剂，在反铁磁近邻效应作用下实现顺磁层的室温铁磁性，因而在外加磁场磁化后析氧反应性能可以得到永久提升。
一种具有反铁磁近邻效应反应催化剂

[发明专利]一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法-CN201610173054.7有效
发明人：唐晓莉;杨鸿洁;苏桦;钟智勇;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，依次在基片上沉积第一反铁磁层/第一铁磁层/第一非磁性层/第二铁磁层/第二非磁性层/第三铁磁层/第二反铁磁层作为巨磁电阻薄膜，第三铁磁层和第二反铁磁层的溅射气压为0.004‑0.08Pa，溅射功率为30‑50W，第三铁磁层的厚度为8‑12nm，第二反铁磁层的厚度为10‑18nm。本发明在超低气压下溅射巨磁电阻薄膜探测层中的铁磁层和反铁磁层，在不减薄铁磁层厚度的条件下，使铁磁层FM2/反铁磁层AF2产生不同大小的交换偏置场，进而在不损失巨磁电阻变化率的条件下实现对巨磁电阻薄膜线性区域的调整
一种调节磁电薄膜线性区域方法

[发明专利]一种磁性随机存取器及磁隧道结存储单元-CN201910356071.8在审
发明人：张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于解决现有磁性随机存取器中磁隧道结存储单元所存在的磁稳定性问题。本发明磁隧道结存储单元，包括磁性自由层、绝缘隧道势垒层、磁性参考层和复合反铁磁层，其中复合反铁磁层设置在磁性参考层远离绝缘隧道势垒层的一侧，复合反铁磁层包括：合成反铁磁耦合增强层、第一铁磁超晶格层、第二铁磁超晶格层、第一反铁磁耦合层以及第二反铁磁耦合层；本发明磁性随机存取器包括磁隧道结存储单元。相对于现有技术，本发明不仅有更优的体心立方结构的磁性参考层和铁磁隧道效应及其稳定性，并且具有更强的漏磁场和写电流调控能力。
一种磁性随机存取隧道结存单元

[发明专利]具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元-CN201910960364.7在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元的磁性随机存储单元，透过直接在磁性隧道结的参考层之下方，制备合成反铁磁层。合成反铁磁层为叠加的多层结构，从下至上分别为超薄铁磁超晶格层和反铁磁耦合层的双层结构；其中该反铁磁耦合层下至上分别为RKKY反铁磁耦合层，晶格转换层和硼碳吸收层的依次向上叠加而成。透过一种含有三亚层的反铁磁耦合层的合成反铁磁层的磁性隧道结单元结构，极大的减小了整个合成反铁磁层和参考层的总厚度，且能够承受在400℃条件下的长时间退火，具有更强的漏磁场(HStray
具有超薄合成反铁磁层磁性隧道单元

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条