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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种反铁电单晶材料、其制备方法及其应用-CN201910183580.5有效
发明人：杨晓明;何超;苏榕冰;龙西法 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种反铁电单晶材料，所述反铁电单晶材料为钨镁酸铅‑铌镥酸铅二元反铁电单晶材料。该反铁电单晶材料为反铁电领域提供一种可开关、可调变的新型单晶材料，有望在能量储能、脉冲电源、精密致动等领域中有所应用。
一种反铁电单晶材料制备方法及其应用

[发明专利]一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法-CN202110756423.6在审
发明人：郑明;关朋飞;郭立童 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法，属于电子元件领域。其具有(111)取向的高性能PMN‑PT铁电单晶衬底，高性能PMN‑PT铁电单晶衬底上表面设有外延生长特性的钙钛矿型LaVO3反铁磁薄膜；通过控制施加在该多铁异质结构上的直流电场强度，使得高性能PMN‑PT铁电单晶衬底诱导出压电应变，该应变通过刚性的外延界面传递至钙钛矿型LaVO3反铁磁薄膜，从而实现当直流电场撤去时LaVO反铁磁/铁电多铁异质结构方法简单，生产方便，具有广泛的实用性。
一种反铁磁铁电多铁异质结构及其制备方法

[发明专利]反铁电单晶铌镥酸铅及其制备方法和用途-CN201210519904.6有效
发明人：刘颖;龙西法;李修芝;王祖建;何超 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁电单晶铌镥酸铅及其制备方法和用途。该单晶具有典型钙钛矿结构，其化学式为Pb(Lu1/2Nb1/2)O3。所述的单晶采用高温溶液法或顶部籽晶法生长并且生长出的为晶体显露（001）及（111）自然生长面的立方体和八面体聚形晶体。通过X‑射线粉末衍射、介电和铁电测量，分析了其结构、介电和反铁电性。该晶体有典型的反铁电性能，并且有高的居里温度和较好的热稳定性，具有广泛的应用前景。
反铁电单晶铌镥酸铅及其制备方法用途

[发明专利]一种“三明治”型人工反铁电膜材料及其制备方法-CN202310644297.4在审
发明人：朱汉飞;王莹;罗红钰;欧阳俊;薛银秀 -专利权人：齐鲁工业大学（山东省科学院）
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种“三明治”型人工反铁电膜材料及其制备方法。所述“三明治”型人工反铁电膜材料包括基体、底电极、缓冲层、“三明治”介电层、顶电极，基体为硅单晶基体，底电极为惰性金属电极，缓冲层为钙钛矿型氧化物，“三明治”介电层为铁电薄膜，顶电极为高电导率金属点电极本发明提供的“三明治”型人工反铁电材料具有高耐击穿电场(≥2000kV/cm)和优异抗疲劳特性(可承受≥109次极化循环周期)，而且材料体系晶化温度较低(≤500本发明可为开发新型反铁电材料体系另辟蹊径，同时能够极大拓宽反铁电材料性能调控的研究范畴。
一种三明治人工反铁电膜材料及其制备方法

[发明专利]一种反铁磁自旋电子太赫兹波发射器-CN202211110622.0在审
发明人：金飚兵;邱红松;吴镝;周礼繁 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁磁自旋电子太赫兹波发射器，包括单晶衬底和异质结结构，所述异质结结构包括反铁磁薄膜和重金属层，所述异质结结构为纳米级厚度的薄膜结构，所述反铁磁薄膜为无杂散磁场的过渡金属氧化物单晶薄膜，所述异质结结构生长在单晶衬底上。本发明还公开了一种对反铁磁自旋电子太赫兹波幅值调控的方法。本发明实现了无杂散场和抗磁场干扰的反铁磁自旋电子太赫兹波发射器的相干调控。
一种反铁磁自旋电子赫兹发射器

[发明专利]具有大反常霍尔效应的反铁磁单晶合金及其制备方法和应用-CN202310927728.8在审
发明人：宋林轩;李航;郗学奎;刘永昌;王文洪 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明提供一种具有大反常霍尔效应的反铁磁单晶合金，其具有以下化学式：Mn2.4Ga。本发明还提供一种制备本发明的具有大反常霍尔效应的反铁磁单晶合金的方法，其包括如下步骤：(1)将Mn和Ga单质按原子比2.4:1熔炼成合金；(2)将步骤(1)所得的合金与助溶剂Pb混合，并使混合物经受熔炼，最后通过离心分离助溶剂Pb，制得具有大反常霍尔效应的反铁磁单晶合金。本发明还提供本发明的具有大反常霍尔效应的反铁磁单晶合金在霍尔元器件中的应用。本发明的制备方法简单、成本低廉。本发明的方法所制备的单晶在室温下表现为反铁磁性并且具有大反常霍尔效应。
具有反常霍尔效应反铁磁单晶合金及其制备方法应用

[发明专利]一种反铁磁隧道结及其制备方法-CN202310332044.3在审
发明人：刘知琪;冯泽鑫 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种反铁磁隧道结及其制备方法，首先在单晶硅晶圆上沉积绝缘氧化物层，然后在绝缘氧化物层上沉积共线反铁磁钉扎层，随后在共线反铁磁钉扎层上依次沉积非共线反铁磁参考层、隧穿层和非共线反铁磁自由层，结合光刻工艺，最终在硅晶圆上实现具有绝缘氧化层‑共线反铁磁钉扎层‑非共线反铁磁参考层‑隧穿层‑非共线反铁磁自由层的全反铁磁隧道结，由于绝缘氧化物层为单晶膜层，因此能够提高共线反铁磁钉扎层的质量，增大非共线反铁磁参考层和共线反铁磁钉扎层之间的交换偏置作用，提高器件可靠性，同时，该反铁磁隧道结可在硅晶圆上大规模制备，易于集成，具有写入速度快、存储密度高的优势。
一种反铁磁隧道及其制备方法

[发明专利]一种无铅反铁电单晶及其制备方法-CN202211581452.4在审
发明人：罗能能;赵邓小江;陈振培 -专利权人：广西大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅反铁电单晶及其制备方法。该无铅反铁电单晶化学通式为(1‑x)AgNbO3‑xAgTaO3，其中0＜x≤0.1，其制备方法为：根据化学通式按比例配备>O5，加入无水乙醇研磨、烘干，在氧气气氛下，升温、烧制合成熟料，以AgCl为助溶剂，按熟料：助溶剂＝1:1～3:1配比，在氧气气氛下高温熔融，再缓慢降温，使单晶自发形核结晶本发明可生长出3～15mm大尺寸、钙钛矿正交结构的高质量、高纯度、可应用在高电场的工作环境下有相对可靠的温度稳定性、具有较小的剩余极化强度和较高的饱和极化强度、高可恢复能量密度、高功率密度的单晶。
一种无铅反铁电单晶及其制备方法

[发明专利]Kagome材料RMn6-CN202311039448.X在审
发明人：王秩伟;吴黄宇;刘锦锦;李永恺;胡金国;姚裕贵 -专利权人：北京理工大学;晶工新材料（扬中）有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明涉及Kagome材料RMn6Sn6单晶及其制备方法，属于单晶材料技术领域。R为Zr或Hf，其中，ZrMn6Sn6的单晶结构为：P6/mmm空间群，a=5.410Å，b=5.410Å，c=8.982Å，α=90°，β=90°，γ=120°；HfMn6Sn6单晶结构为：P6/mmm空间群，a=5.399Å，b=5.399Å所述单晶是高温反铁磁材料，相比于传统的铁磁材料构成的磁性隧道结，反铁磁材料因具有近乎为零的杂散磁场、高自旋动力学频率等优点。
kagome 材料 rmn base sub

[发明专利]一种铁电单晶薄膜及其制备方法-CN202111484387.9在审
发明人：丑修建;毕开西;薛刚;梅林玉;穆继亮;何剑;侯晓娟 -专利权人：中北大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：本申请提供了一种铁电单晶薄膜及其制备方法，包括：清洗铁电单晶与衬底表面；将衬底与铁电单晶进行间接键合，同时与基板进行临时键合；采用不同粒径的磨料对铁电单晶进行减薄抛光；将抛光后的铁电单晶从基板表面剥离，清洗铁电单晶表面，得到铁电单晶薄膜。本申请通过间接键合与化学机械抛光方法代替离子注入方法，可以避免由离子注入引起的薄膜表面晶格损伤，进而获得低厚度、高平整度、低损伤的铁电单晶薄膜，满足高精度器件制备需求，可应用于集成电路制造，微传感器、微执行器等功能元件的制造；可以实现常温环境下制备，减少了在低温—高温—低温的变换过程中铁电单晶由于热失配原因而产生的变形、碎裂等问题，提高产物的成品率。
一种铁电单晶薄膜及其制备方法

[发明专利]一种剥离铁电单晶薄膜的方法-CN201910690097.6有效
发明人：江安全;陈一凡;张岩;江钧;柴晓杰 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种剥离铁电单晶薄膜的方法，包括以下步骤：使用质子交换法在铁电单晶材料表面形成厚度可控的贫Li离子的第二相单晶层；采用离子注入法剥离出铁电单晶材料表面发生质子交换的所述第二相单晶层，获得薄膜层；使用反质子交换法补充所述薄膜层中缺失的Li离子，将薄膜层还原至原先铁电单晶材料的晶体结构和化学配比。与现有技术相比，本发明将质子交换法和离子束剥离技术相结合，降低使用离子束剥离制造大面积铁电单晶薄膜的难度，使离子束剥离铁电单晶薄膜更加有效快捷，可应用于铁电存储器和铁电晶体管制造等领域，降低铁电存储材料的制造成本
一种剥离铁电单晶薄膜方法

[发明专利]2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具-CN201410712388.8有效
发明人：李永川;郭瑞彪;钱明;薛术;郑海荣;陈然然;苏敏;刘广 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L41/39 文献下载
摘要：2‑2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨，使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠，再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此，在沟槽深度固定时，聚合物的厚度就能固定为沟槽深度，从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充，使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度，使其符合用户要求。
压电陶瓷单晶铁电复合材料制备方法

[发明专利]一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用-CN202310340775.2在审
发明人：刘鑫;胡庆元;李飞;魏晓勇;徐卓 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用，S1，对与长方体弛豫铁电单晶光学面两个短边垂直的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到工程畴弛豫铁电单晶；S2，对与工程畴弛豫铁电单晶光学面两个长边垂直的的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到单畴态弛豫铁电单晶。简化了工艺流程，实现高性能多畴铁电单晶的高度单畴化，所得样品光学性能稳定。
一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法应用

[发明专利]一种用于弛豫铁电单晶生长的原料的制备方法-CN202110016870.8有效
发明人：刘锦峰;许桂生;朱秀;陈梅林 -专利权人：生物岛实验室;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开一种用于弛豫铁电单晶生长的原料的制备方法，包括：步骤（A）：根据弛豫铁电单晶材料的化学计量比，采用两步合成法制备作为弛豫铁电单晶生长的原料使用的熟料；步骤（B）：按照步骤（A）中弛豫铁电单晶材料的化学计量比称取铅的氧化物以及铅以外其它元素对应的氧化物，球磨混合均匀后作为生料；步骤（C）：将步骤（A）获得的熟料和步骤（B）获得的生料球磨混合均匀，得到用于弛豫铁电单晶生长的原料；其中，所述熟料占用于弛豫铁电单晶生长的原料的比例为铁电单晶。
一种用于弛豫铁电单晶生长原料制备方法

[发明专利]一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器-CN202211219801.8在审
发明人：张思瑞;廖敏;周益春 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器，双层薄膜材料的制备方法包括：利用脉冲激光沉积技术，在具有[001]晶体取向的衬底上生长单晶缓冲层；利用脉冲激光沉积技术，在单晶缓冲层上生长单晶铁电层，单晶铁电层的材料包括Pb0.52Zr0.48TiO3；对样品进行降温处理，得到包括单晶缓冲层和单晶铁电层的双层薄膜材料该制备方法通过缓冲层的引入实现了Pb0.52Zr0.48TiO3铁电层的超薄厚度的生长，实现了单晶缓冲层和单晶铁电层的原子级复合，使得Pb0.52Zr0.48TiO3薄膜的单晶分布均匀且具有铁电畴结构，得到了铁电性能优异的双层薄膜结构，有利于实现电子设备的小型化。
一种双层薄膜材料制备方法存储器

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