专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器-CN202211219801.8在审
  • 张思瑞;廖敏;周益春 - 西安电子科技大学
  • 2022-09-30 - 2023-05-09 - C23C14/08
  • 本发明涉及一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器,双层薄膜材料的制备方法包括:利用脉冲激光沉积技术,在具有[001]晶体取向的衬底上生长单晶缓冲层;利用脉冲激光沉积技术,在单晶缓冲层上生长单晶铁电层,单晶铁电层的材料包括Pb0.52Zr0.48TiO3;对样品进行降温处理,得到包括单晶缓冲层和单晶铁电层的双层薄膜材料。该制备方法通过缓冲层的引入实现了Pb0.52Zr0.48TiO3铁电层的超薄厚度的生长,实现了单晶缓冲层和单晶铁电层的原子级复合,使得Pb0.52Zr0.48TiO3薄膜的单晶分布均匀且具有铁电畴结构,得到了铁电性能优异的双层薄膜结构,有利于实现电子设备的小型化。
  • 一种双层薄膜材料制备方法存储器

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