专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种反馈电路及复位电路-CN202222764590.8有效
  • 张武 - 上海海栎创科技股份有限公司
  • 2022-10-20 - 2023-01-24 - H03K17/22
  • 本实用新型揭示了一种反馈电路及复位电路,所述反馈电路包括:第一反相、第二反相、控制开关以及电容,控制开关的第一端用于控制复位电路的输出信号,第一反相的第一端、第二反相的第一端以及电容的第一端皆连接至电源电压,第一反相的第二端、第二反相的第二端以及控制开关的第二端接地,第一反相的第三端接偏置电压,第一反相的第四端、电容的第二端以及第二反相的第三端相连接,第二反相的第四端连接控制开关的第三端,第一反相、第二反相和电容用于共同配合实现对控制开关的控制,控制开关用于当电源电压快速下降且不降为0时,将复位电路比较的输出信号拉低,以在电源电压恢复上升时,复位电路给出复位信号。
  • 一种反馈电路复位
  • [发明专利]存储装置和适用于存储装置的驱动电路-CN201410699353.5有效
  • 金宁泰 - 华邦电子股份有限公司
  • 2014-11-27 - 2018-11-13 - G11C11/4063
  • 第一和第二数据线耦接于电源线和接地线之间,每条数据线包括4个驱动群组。第一数据线,第一驱动群组包括一偶数阶段反相驱动,第二驱动群组包括偶数阶段反相驱动,第三驱动群组包括一奇数阶段反相驱动,第四驱动群组包括奇数阶段反相驱动。第二数据线,第一驱动群组包括奇数阶段反相驱动,第二驱动群组包括偶数阶段反相驱动,第三驱动群组包括偶数阶段反相驱动,第四驱动群组包括奇数阶段反相驱动。偶数阶段反相驱动包括一偶数数量的反相。奇数阶段反相驱动包括一奇数数量的反相
  • 存储装置适用于驱动电路
  • [实用新型]一种带锁存功能的反相-CN201921598284.3有效
  • 周泽坤;金正扬;邓琪 - 成都矽能科技有限公司
  • 2019-09-24 - 2020-03-31 - H03K3/356
  • 一种带锁存功能的反相,包括反相单元和锁存单元,反相单元包括输入端、输出端、电源端和接地端,反相单元的输入端连接反相的输入信号,其电源端连接电源电压,其输出端输出反相的输出信号;锁存单元包括第二NMOS管,第二NMOS管的栅极连接控制信号,其漏极连接反相单元的接地端,其源极接地。当控制信号为高电平时,反相作为一般反相使用,当控制信号为低电平时,反相输出节点浮空,反相实现锁存功能。本实用新型提出的带锁存功能的反相,仅利用一个接在反相单元的接地端和地电平之间的晶体管即可实现锁存功能,相比传统的使用正反馈结构实现锁存的反相而言,减少了晶体管数量,节省了面积。
  • 一种带锁存功能反相器
  • [实用新型]一种抗干扰复位电路-CN201420641884.4有效
  • 李富华;赵鹤鸣;胡成煜;顾益俊 - 苏州大学
  • 2014-10-31 - 2015-01-21 - H03K17/22
  • 本实用新型公开了一种抗干扰复位电路,包括源极与电源连接、漏极与一端接地的电容器连接、栅极接地的PMOS管和反相电路,所述PMOS管和电容器的连接点与反相电路的输入端连接,所述反相电路的输出端连接外电路,所述反相电路包括依次串联连接的第一反相、第二反相和第三反相,所述第一反相和第二反相的电源输入端连接于所述PMOS管的漏极。
  • 一种抗干扰复位电路
  • [实用新型]基于双极型场效应晶体管的阈值反相-CN202122837265.5有效
  • 任天令;鄢诏译;田禾;杨轶 - 清华大学
  • 2021-11-18 - 2022-05-03 - H01L27/082
  • 本申请提出一种基于双极型场效应晶体管的阈值反相,其中,阈值反相包括:第一匀质反相至第N匀质反相,其中,第一匀质反相至第N匀质反相的第一端均连接输入电压,第N‑1匀质反相的第二端连接第N匀质反相的第三端,并输出第N‑1匀质反相的输出电压,第N匀质反相的第二端连接第一供电电压,第一匀质反相的第三端连接第二供电电压。本申请负责实现器件阈值电压匹配的设计参数完全由双极型场效应晶体管的沟长参数承担,不再需要涉及不同掺杂类型晶体管之间的匹配,设计简单,可以应用到诸如闪烁型模数转换(Flash ADC)等场合。
  • 基于双极型场效应晶体管阈值反相器

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